[发明专利]成膜装置和成膜方法有效

专利信息
申请号: 201210023612.3 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN102628160A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 松本诚谦;桑原世治 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 康建忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于通过溅射在成膜对象上形成薄膜的成膜装置,包括:

真空室;

保持器部分,用于在真空室中保持成膜对象;

多个阴极机构,用于分别支撑靶使得靶在真空室中与成膜对象相对;和

多个挡板,能够各自地在由相互不同的材料制成的多个靶和成膜对象之间前后移动,以阻挡或通过从靶产生的成膜粒子,

其中,多个挡板中的至少一个由与用于多个靶的材料不同的靶材料形成,使得多个挡板中的所述至少一个被配置为还用作靶的挡板。

2.根据权利要求1的成膜装置,其中,所述还用作靶的挡板被配置为在多个靶中的一个相应靶和保持器部分之间执行阻挡或通过从所述一个相应靶产生的成膜粒子的操作以及与所述一个相应靶接触或分离的操作。

3.根据权利要求2的成膜装置,其中,在通过使用所述还用作靶的挡板溅射时,所述还用作靶的挡板移动到所述一个相应靶侧,使得所述还用作靶的挡板的至少一部分与所述一个相应靶接触,以由此通过所述一个相应靶向所述还用作靶的挡板施加电压。

4.根据权利要求3的成膜装置,其中,所述还用作靶的挡板在面向所述一个相应靶侧的表面上包含导电性突起,并且,通过经所述导电性突起与所述一个相应靶接触而导通。

5.根据权利要求4的成膜装置,其中,所述导电性突起的长度被设为德拜长度或更小。

6.根据权利要求3的成膜装置,其中,通过使面向所述一个相应靶侧的表面与所述一个相应靶直接接触,所述还用作靶的挡板导通。

7.根据权利要求1的成膜装置,还包括向多个阴极机构中的与所述一个相应靶对应的一个阴极机构供给电压的电源,该电源通过导线直接向所述还用作靶的挡板施加电压。

8.根据权利要求2的成膜装置,其中,在开始溅射之前的预溅射时,所述还用作靶的挡板与所述一个相应靶分离。

9.根据权利要求8的成膜装置,其中,所述还用作靶的挡板和所述一个相应靶之间的距离被设为超过德拜长度的尺寸。

10.根据权利要求1的成膜装置,其中,所述还用作靶的挡板由至少两种材料形成,并且,所述与用于多个靶的材料不同的靶材料被布置于成膜对象侧。

11.根据权利要求1的成膜装置,其中,所述还用作靶的挡板被配置为执行改变所述还用作靶的挡板的倾斜的倾斜和偏移操作。

12.一种通过溅射在成膜对象上形成薄膜的成膜方法,包括:

使用由相互不同的材料制成的多个靶,多个靶分别被多个阴极机构支撑,使得多个靶在真空室中与被保持器部分保持的成膜对象相对;以及

允许多个挡板各自地在成膜对象和多个靶中的每一个之间前后移动,以阻挡或通过从多个靶中的所述每一个产生的成膜粒子,

其中,在多个挡板中的至少一个由与用于多个靶的材料不同的靶材料形成使得多个挡板中的所述至少一个被配置为还用作靶的挡板的状态下,执行溅射。

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