[发明专利]加工装置有效
申请号: | 201210015187.3 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN102610542A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 关家一马;藤田敦史;吉田干 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D46/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在净化间(clean room)内设置的切削装置、磨削装置等加工装置。
背景技术
关于在表面被分割预定线划分开地形成有IC(Integrated circuit)、LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)等多个器件的半导体晶片,利用磨削装置对背面进行磨削而加工成预定的厚度后,利用划片装置(切削装置)沿分割预定线进行切削而分割成一个个器件,分割出来的器件被广泛利用于移动电话、个人计算机等电气设备。
磨削装置及划片装置等加工装置设置于净化间内,在晶片的加工时一边供给加工液一边进行加工。因此,由于晶片的加工而产生雾,在净化间设置有排气设备以将该雾排出到净化间外。
专利文献1:日本专利第4170428号公报
但是,在半导体器件制造工艺中使用的净化间经HEPA过滤器(High Efficiency Particulate Air Filter:高效粒子空气过滤器)、ULPA过滤器(Ultra Low Penetration Air Filter:超低穿透率空气过滤器)等高性能过滤器取入外部空气,并且将净化间内的温度保持为恒定,因此存在净化间的运行成本昂贵的问题。另外,存在将雾排出到净化间外的排气系统也耗费成本、净化间的设备费用高涨的问题。
发明内容
本发明鉴于这些方面而完成,其目的在于,提供能够抑制净化间的运行成本及设备费用的加工装置。
根据本发明,提供一种加工装置,其具备:用于保持被加工物的装夹工作台;以及用于对保持于所述装夹工作台的被加工物一边供给加工液一边实施加工的加工机构,所述加工装置的特征在于,所述加工装置具备:壳体,其覆盖所述装夹工作台和所述加工机构;抽吸管道,其与所述壳体的内部连结,用于抽吸在加工时产生的雾和尘埃;以及风扇单元,其配置于所述抽吸管道内并具有高性能过滤器和风扇,所述高性能过滤器捕获抽吸到所述抽吸管道内的雾及尘埃,从而从空气中除去雾及尘埃,所述风扇对所述抽吸管道作用抽吸力,并且将利用所述高性能过滤器除去了雾及尘埃的清洁空气排出,经所述风扇单元排出的清洁空气被排出到净化间内或返回到所述壳体内。
本发明的加工装置中,具有高性能过滤器及风扇的风扇单元配置于抽吸管道内,经风扇单元排出的清洁空气被排出到净化间内或返回到加工装置的壳体内,因此能够抑制将净化间内的空气排出到净化间外的情况,能够减少经HEPA过滤器或ULPA过滤器等高性能过滤器取入到净化间内的外部空气的量。
其结果是,减少了为了将净化间内的室温保持为恒定所需的运行成本。另外,无需在净化间中设置排气设备,能够抑制净化间的设备费用。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的切削装置的外观立体图。
图2是表示第1实施方式的切削装置的主要部分的示意图。
图3是表示第2实施方式的切削装置的主要部分的示意图。
图4是本发明第3实施方式的切削装置的外观立体图。
图5是表示第3实施方式的切削装置的主要部分的示意图。
标号说明
2、2A、2B:切削装置
18:装夹工作台
24:切削机构
28:切削刀具
30:壳体
42、42a、54:排气口
44:抽吸管道
46:风扇单元
48:预滤器
50:风扇
52:高性能过滤器
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的实施方式。参照图1,示出了作为加工装置的一种的本发明第1实施方式的切削装置(划片装置)2的外观立体图。在切削装置2的前表面侧,设有用于供操作者输入加工条件等对装置的指示的操作面板4。
作为切削对象的晶片W粘贴于作为粘接带的切割带T,切割带T的外周缘部粘贴于环状框架F。由此,晶片W成为经切割带T支承于环状框架F的状态,晶片盒6中收容有多枚(例如25枚)晶片。晶片盒6载置于能够上下移动的盒升降机8上。
在晶片盒6的后方配置有搬出搬入机构10,该搬出搬入机构10从晶片盒6搬出切削前的晶片W,并且将切削后的晶片搬入晶片盒6。在晶片盒8与搬出搬入机构10之间设有临时载置区域12,该临时载置区域12是临时载置作为搬出搬入对象的晶片的区域,在临时载置区域12配置有将晶片W对位于一定位置的位置对准机构14。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210015187.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造