[发明专利]改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法有效
| 申请号： | 201210009089.9 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102701569A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;侯多源;张慧君;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C03B8/04 | 分类号： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 高密度 等离子体 化学 气相淀积 玻璃 形貌 方法 | ||
1.一种改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于包括：
第一步淀积，用于采用0.10～0.16的溅射淀积比淀积磷硅玻璃薄层；以及
第二步淀积，用于在所述第一步淀积之后，采用0.18～0.22的溅射淀积比再次淀积磷硅玻璃薄层；
其中，所述第一步淀积的淀积厚度小于所述第二步淀积的淀积厚度。
2.根据权利要求1所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述方法应用在130nm及以下的技术节点中。
3.根据权利要求1或2所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述第一步淀积的溅射淀积比为0.13。
4.根据权利要求1或2所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述第二步淀积的溅射淀积比为0.20。
5.根据权利要求1或2所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述第一步淀积和所述第二步淀积的磷硅玻璃薄层的磷浓度为4.0％。
6.根据权利要求1或2所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述第一步淀积的淀积厚度占整体成膜厚度的5％～30％，所述第二步淀积的淀积厚度占整体成膜厚度的70％～95％。
7.根据权利要求1或2所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法，其特征在于，所述第一步淀积的淀积厚度占整体成膜厚度的10％，所述第二步淀积的淀积厚度占整体成膜厚度的90％。
8.一种高密度等离子体化学气相淀积方法，其特征在于采用了根据权利要求1至7之一所述的改善高密度等离子体化学气相淀积的磷硅玻璃形貌的方法。
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