[发明专利]保护膜形成用化学溶液

权利要求书

1.一种保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其是用于在清洗表面具有微细凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶片时在该凹凸图案的至少凹部表面形成拒水性保护膜的化学溶液，该化学溶液包含下述通式[1]所示的硅化合物A和酸A，该酸A是选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯和三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯组成的组中的至少1种，

R¹_aSi(H)_bX_4-a-b    [1]

式[1]中，R¹各自相互独立地是选自包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团以及包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团中的至少1种基团，X各自相互独立地是与Si元素键连的元素为氮的1价有机基团，a为1~3的整数，b为0~2的整数，a与b的合计为1~3。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液的起始原料中的水分的总量相对于该原料的总量为5000质量ppm以下。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液中的液相中的使用光散射式液体中颗粒检测器进行的颗粒测定中大于0.5μm的颗粒的数量为每1mL该化学溶液中100个以下。

4.根据权利要求1~权利要求3中任一项所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液中Na、Mg、K、Ca、Mn、Fe和Cu各元素的金属杂质含量相对于该化学溶液总量各为100质量ppb以下。

5.一种保护膜形成用化学溶液的制备方法，其特征在于，其是权利要求1~权利要求4中任一项所述的保护膜形成用化学溶液的制备方法，所述制备方法对作为该保护膜形成用化学溶液的原料的混合前的硅化合物A和酸A、以及混合后的混合液中的至少一者进行精制。

6.一种清洗方法，其特征在于，其是使用权利要求1~权利要求4中任一项所述的保护膜形成用化学溶液清洗表面具有微细凹凸图案的晶片表面的方法，该方法具有从晶片表面去除清洗液后从该晶片表面去除保护膜的工序。

7.根据权利要求6所述的清洗方法，其特征在于，从所述晶片表面去除保护膜的工序为选自对晶片表面进行光照射、对晶片进行加热、对晶片进行臭氧暴露以及对晶片表面进行等离子体照射中的至少1种处理。

8.一种保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其是用于在清洗表面具有微细凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶片时在该凹凸图案的至少凹部表面形成拒水性保护膜的化学溶液，该化学溶液包含下述通式[1]所示的硅化合物A和酸A，该酸A是选自由三氟乙酸三甲基硅酯、三氟甲磺酸三甲基硅酯、三氟乙酸二甲基硅酯、三氟甲磺酸二甲基硅酯、三氟乙酸丁基二甲基硅酯、三氟甲磺酸丁基二甲基硅酯、三氟乙酸己基二甲基硅酯、三氟甲磺酸己基二甲基硅酯、三氟乙酸辛基二甲基硅酯、三氟甲磺酸辛基二甲基硅酯、三氟乙酸癸基二甲基硅酯和三氟甲磺酸癸基二甲基硅酯组成的组中的至少1种，

R¹_aSi(H)_bX_4-a-b    [1]

式[1]中，R¹各自相互独立地是选自包含碳原子数1~18的烃基的1价有机基团以及包含碳原子数1~8的氟烷基链的1价有机基团中的至少1种基团，X各自相互独立地是与Si元素键连的元素为氮的1价有机基团，a为1~3的整数，b为0~2的整数，a与b的合计为1~3。

9.根据权利要求8所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液的起始原料中的水分的总量相对于该原料的总量为5000质量ppm以下。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液中的液相中的使用光散射式液体中颗粒检测器进行的颗粒测定中大于0.5μm的颗粒的数量为每1mL该化学溶液中100个以下。

11.根据权利要求8~权利要求10中任一项所述的保护膜形成用化学溶液，其特征在于，所述化学溶液中Na、Mg、K、Ca、Mn、Fe和Cu各元素的金属杂质含量相对于该化学溶液总量各为100质量ppb以下。