[发明专利]发光元件用基板及其制造方法和发光装置有效

专利信息
申请号: 201180005655.2 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102696124A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 中谷诚一;小川立夫;木村一夫;濑川茂俊 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 用基板 及其 制造 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及发光元件用基板及其制造方法。更为详细而言,本发明涉及装配了发光二极管(以下也称为“LED”)的发光元件用基板及其基板的制造方法。此外,本发明还涉及在发光元件用基板上装配了发光元件而构成的发光装置。

背景技术

近年来,由于作为光源的LED有节能且长寿命的优点,因此被用于各种用途。特别是最近,在LED的高光量用途中发光效率有所提高,LED开始被用于照明用途。

在白色LED的照明用途中,通过增大对LED施加的电流,从而能够增大光量。但是,在这种施加大电流的过于严酷的使用条件下,有时会产生LED的特性劣化,对于LED封装或模块担心难以确保长寿命/高可靠性。例如,当使LED中流过的电流增加时,来自LED的发热会增大,伴随于此照明用LED模块或系统的内部温度增大从而很可能引起劣化。特别是白色LED所消耗的电力之中被变换为可见光的约为25%左右,其他成为直接热量。因此,针对LED封装和模块需要散热对策,使用着各种的散热设备(例如,在封装基板的底面安装散热设备以提高散热性)。

在此,由于一般情况下LED针对静电的耐性未必较高,因此需要保护LED以免受到静电压迫的影响的设计、对策(参照专利文献1)。例如,采用将齐纳二极管与LED以并联方式电连接的结构,从而能够降低在施加了过电压/过电流时对LED的压迫。但是,例如在图26所示的这种表面装配型LED封装200的情况下,尽管齐纳二极管元件270与LED元件220进行反并联连接,但这种齐纳二极管元件270到底还是配置在封装基板210之上。也就是说,其结果与齐纳二极管元件270的存在相应地封装的整体尺寸会增加,难以应对LED产品的进一步小型化。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】JP特开2009-129928号公报

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的。即,本发明的课题在于提供一种根据针对散热特性良好的小型LED封装的需求、可适当地满足这种需求的发光元件用基板具备该发光元件用基板的发光装置。

【用于解决课题的技术方案】

为了解决上述课题,本发明的发光元件用基板,将相对的2个主面的其中一个主面作为装配面,在该装配面装配发光元件,其中,

在发光元件用基板,设置包含有埋设在该基板中的电压依赖电阻层、与该电压依赖电阻层连接的第1电极和第2电极而成的“发光元件用的保护元件”,发光元件装配成与电压依赖电阻层相重叠。

本发明的发光元件用基板的特征之一在于,按照与发光元件重叠的方式来埋设保护元件的电压依赖电阻层。也就是说,在本发明的发光元件用基板中,保护元件的电压依赖电阻层被埋设在发光元件的装配区域。

在本说明书中,所谓“发光元件”是发出光的元件,实质上意味着例如发光二极管(LED)及包含发光二极管的电子部件。因此,本发明中的“发光元件”不仅仅是表示“LED的裸芯片(即LED芯片)”,还用作表示包含“以易于装配在基板的方式将LED芯片模块化之后的分散类型”的方式。再者,并不限于LED芯片,还能够使用半导体激光器芯片等。

此外,在本说明书中所谓“电压依赖电阻层”实质上是指电阻随着施加于该层的电压值而变化的电阻层。例如,能够列举出如下的层,若对夹着层的电极间施加电压,在电压低的情况下电阻高,进而提高电压时电阻急剧变小(也就是说,所指的是电压-电阻值的关系为“非线性”的层)。在某个方式中“电压依赖电阻层”构成单一层。

再有,本说明书中所谓“基板”实质上是指成为用于装配发光元件的基台的基部部件。因此,本发明中的“基板”不仅仅是指“实质上的平板状部件”,还用作表示包含“为了收纳LED芯片等而在主面设置凹部的部件”的方式。

在某个适当的方式中,电压依赖电阻层的表面与基板的一个主面处于同一平面上,构成装配面的一部分。也就是说,在本发明的发光元件用基板中,保护元件的电压依赖电阻层的上面与基板装配面实质上是“同一面”。此外,也可以是电压依赖电阻层的表面与另一个主面处于同一平面上的方式。也就是说,保护元件的电压依赖电阻层的下面与基板背面可以实质上为“同一面”。

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