[发明专利]一种新型MEMS仿生声矢量传感器及其加工方法

权利要求书

1.一种新型MEMS仿生声矢量传感器，其特征在于：包括硅结构层和玻璃结构层；所述硅结构层包括左侧振动膜片(1)、右侧振动膜片(2)、水平梁(3)、竖直梁(4)；左侧振动膜片(1)和右侧振动膜片(2)均为正方形，两者通过水平梁(3)连接；与所述水平梁(3)形成十字连接的竖直梁(4)，通过两个端点与锚点区相连，且左侧振动膜片(1)、右侧振动膜片(2)和水平梁(3)与周边锚点区之间通过狭缝(8)分离，使得左侧振动膜片(1)、右侧振动膜片(2)和水平梁(3)一起形成悬置结构；左侧振动膜片(1)和右侧振动膜片(2)下方存在加强肋(5)；左侧振动膜片(1)和右侧振动膜片(2)上均有可动梳齿(6)，并与连在锚点区域(9)的固定梳齿(7)形成梳齿对；所述玻璃结构层通过玻璃键合台(10)与硅结构层的锚点区域(9)键合；与硅结构层悬置结构区域相应位置有凹槽(11)。

2.一种如权利要求1所述的新型MEMS仿生声矢量传感器，其特征在于：所述左侧振动膜片(1)和右侧振动膜片(2)下方存在的加强肋(5)为米字形。

3.一种如权利要求1所述的所述MEMS仿生声矢量传感器的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：选取SOI硅片；

步骤二：刻蚀，在SOI硅片的器件层上形成左侧振动膜片(1)、右侧振动膜片(2)、水平梁(3)、竖直梁(4)、加强肋(5)和锚点区域(9)；

步骤三：在玻璃上湿法刻蚀，形成微凹槽(11)，未刻蚀部分形成玻璃键合台(10)；

步骤四：将步骤三形成的玻璃键合台(10)和步骤二形成的锚点区域(9)阳极键合；

步骤五：去除SOI硅片的底层和埋层；

步骤六：背面刻蚀，形成可变梳齿(6)、固定梳齿(7)和狭缝(8)，使器件层上结构悬空。

4.一种如权利要求3所述的MEMS仿生声矢量传感器的加工方法，其特征在于：所述步骤一中选取的SOI硅片电阻率范围为(0.01～0.02)。