[发明专利]接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及接触孔刻蚀方法、采用了该接触 孔刻蚀方法的集成电路制造方法、以及通过该集成电路制造方法制造出来的集 成电路。

背景技术

对于集成电路(IC，integrate circuit)的制造，首先一般在晶片(也称 为晶圆)中制造半导体器件(有源器件和/或无源器件)，随后在制造了半导体 器件的晶片上对金属连线层进行布线，以将半导体器件连接起来形成具有一定 功能的集成电路或模块。

为了形成集成电路或芯片，需要接触孔来实现半导体器件与金属层之间的 电连接。一般通过刻蚀来形成接触孔。

在现有技术的接触孔刻蚀方法中，一般先沉积孔刻蚀停止层以及内层电介 质层，然后执行接触孔光刻及刻蚀。

但是，在65nm以下的工艺中，为了获得良好的半导体器件性能，需要将之 前的接触孔刻蚀停止层同时作为应力层，以改善半导体器件内部的应力分布。 而且，由于N型半导体器件和P型半导体器件对于应力类型的要求不同，因此 需要两种不同的应力层。但是，这两种不同的应力层容易在N型半导体器件/P 型半导体器件交界的位置互相重叠。此时，如果N/P交界处的这种互相重叠的 地方需要打开接触孔，就会由于应力层的厚度和其他地方不同而发生接触孔刻 蚀窗口差异的问题。一方面，如果刻蚀时过刻蚀量过少，就可能会在重叠的地 方引起刻蚀不够的现象，从而引起接触孔连接问题。另一方面，如果过刻蚀量 过多，则有可能在单层接触孔刻蚀停止层(同时作为应力层)部分引起半导体 器件漏电的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种确 保接触孔导电的情况下不会引起半导体器件漏电的接触孔刻蚀方法、采用了该 接触孔刻蚀方法的集成电路制造方法、以及通过该集成电路制造方法制造出来 的集成电路。

根据本发明的第一方面，提供了一种接触孔刻蚀方法，其包括：第一接触 孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于形成第一接触孔刻蚀阻挡层；第一接触孔刻蚀阻 挡层刻蚀步骤，用于利用第一掩膜对第一接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以便在 将要形成接触孔的位置上保留所述第一接触孔刻蚀阻挡层；第二接触孔刻蚀阻 挡层形成步骤，用于在所述第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤之后形成第二接触 孔刻蚀阻挡层；内层电介质层形成步骤，用于在所述第二接触孔刻蚀阻挡层上 形成内层电介质层；接触孔刻蚀步骤，用于利用第二掩膜对内层电介质层进行 刻蚀以形成接触孔；以及接触孔填充步骤，用于利用导电材料填充所述接触孔 刻蚀步骤刻蚀出来的接触孔。

优选地，所述将要形成接触孔的位置包括N型半导体器件/P型半导体器件 交界的位置。

优选地，所述第一接触孔刻蚀阻挡层的材料为二氧化硅。

优选地，通过逻辑运算产生所述第一掩膜和所述第二掩膜。

优选地，所述第一掩膜和所述第二掩膜相同。

优选地，所述接触孔刻蚀方法被用于65nm以下的工艺。

根据本发明的第二方面，提供了一种集成电路制造方法，其特征在于采用 了根据本发明第一方面所述的接触孔刻蚀方法。

根据本发明的第三方面，提供了一种根据本发明的第二方面所述的集成电 路制造方法制造的集成电路。

本发明提出一种新的用于双层应力接触孔刻蚀阻挡层的接触孔刻蚀停止层 工艺用于解决接触孔刻蚀问题。在本发明中，在正常的接触孔刻蚀阻挡层工艺 前沉积了一定厚度的接触孔刻蚀阻挡层材料(例如二氧化硅薄膜)，执行光刻和 刻蚀以便只在将要形成的接触孔的位置上保留此接触孔刻蚀阻挡层材料(例如 二氧化硅薄膜)作为接触孔刻蚀时的停止层；然后可执行正常的接触孔刻蚀阻 挡层工艺，内层电介质层工艺和接触孔工艺。由于在接触孔刻蚀时由于在接触 孔刻蚀阻挡层下面已经淀积了上述的接触孔刻蚀阻挡层材料(例如二氧化硅薄 膜)的停止层，所以既可以在接触孔刻蚀阻挡层重叠的地方获得足够的刻蚀窗 口，又不会在其他单层接触孔刻蚀阻挡层的位置引起过刻蚀的情况。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整 的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明实施例的接触孔刻蚀方法的第一接触孔刻 蚀阻挡层形成步骤的示意图。