[发明专利]接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路有效
| 申请号： | 201110366186.9 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102364674A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 刻蚀 方法 集成电路 制造 以及 | ||
1.一种接触孔刻蚀方法，其特征在于包括：
第一接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于形成第一接触孔刻蚀阻挡层；
第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤，用于利用第一掩膜对第一接触孔刻蚀阻挡层 进行刻蚀，以便在将要形成接触孔的位置上保留所述第一接触孔刻蚀阻挡层；
第二接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于在所述第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤 之后形成第二接触孔刻蚀阻挡层；
内层电介质层形成步骤，用于在所述第二接触孔刻蚀阻挡层上形成内层电介质 层；
接触孔刻蚀步骤，用于利用第二掩膜对内层电介质层进行刻蚀以形成接触孔； 以及
接触孔填充步骤，用于利用导电材料填充所述接触孔刻蚀步骤刻蚀出来的接触 孔。
2.根据权利要求1所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述将要形成接触孔 的位置包括N型半导体器件/P型半导体器件交界的位置。
3.根据权利要求1或2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一接触孔 刻蚀阻挡层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求1或2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，通过逻辑运算产 生所述第一掩膜和所述第二掩膜。
5.根据权利要求1或2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述第一掩膜和 所述第二掩膜相同。
6.根据权利要求1或2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述接触孔刻蚀 方法被用于65nm以下的工艺。
7.一种集成电路制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的 接触孔刻蚀方法。
8.一种采用了根据权利要求7所述的集成电路制造方法制成的集成电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110366186.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：操作压缩机的方法及其设备
- 下一篇：插装式二位四通水液压换向阀
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
