[发明专利]一种可调节磁靴的磁控溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及真空磁控溅射镀AR膜设备技术领域，特别是一种具有可调节、分离式磁靴的磁控溅射靶。

背景技术

AR膜，又称高透光率防反射膜，主要功能是增加贴膜的透光率，抗眩光和防紫外线的，是使用磁控溅射技术在基片上镀五氧化二铌Nb₂O₅和二氧化硅SiO₂光学膜层，光学膜层产生干涉效果来消除入射光和反射光，从而提高透过率的，这就要求相关膜层的均匀性非常高，由于有边缘绕镀等粒子效应的存在，就会造成中间部分颜色与边缘部分颜色的差异，尤其是在做大面积玻璃AR的时候尤为明显，时常碰到中心颜色与边缘颜色偏差很大。而色差问题是AR膜质量的重要评判标准。所以如何解决好大面积溅射镀AR膜也成为一个难点。

为了解决均匀性问题，常用多靶位互补的方法，但是在需要增大产能的时候SiO2的厚度成为严重的制约因素，因为SiO₂需要镀120个纳米左右 要占用大量的靶位，而高折射率的材料如Nb₂O₅只需镀15纳米，只需要一对靶位就能达到需要的膜厚。这样就可以把原来镀金属铌的靶位改换成多晶硅靶就能增加镀SiO₂膜层得速度，从而提高产能，而且硅靶通过靶间的互补，均匀性相对比较容易调节。在Nb₂O₅靶位少的情况下 如何解决好氧化铌层得均匀性就成为难点了。这里提出一种用分离式磁靴的方法解决膜厚均匀性问题，达到提高产能的目的。

为了使Nb₂O₅成膜更均匀，常用的方法有改变布气和磁场的不均匀排放来构成，但是在生产过程中布气相对来说比较不易调节，而且相比调节磁场效果没有那么明显。而这只能掌握在少数经验极其丰富的专家手中。在大面积AR生产过程中我们经常碰到中间颜色偏黄，但是边缘已经发蓝，此时单调二氧化硅均匀性对色差没有效果（这是因为五氧化二妮的均匀性较差，光学膜层产生的干涉效果不一致），所以在调节磁场时边缘磁场跟着加强或减弱，无法形成很好的环形磁场束缚电子，使靶稳定的工作。这就需要我们能够在溅射镀AR膜时单方面增强中间磁场，而不改变边缘磁场。

发明内容

本发明为了克服以上现有技术存在的缺点提出的，其所解决的技术问题是提供一种能使边缘磁场不变，单方面增强中间磁场，具有可调节、分离式磁靴的磁控溅射靶。

为此，本发明提供了一种可调节磁靴的磁控溅射靶，包括有阴极座5、磁靴（1、2、3）、磁靴连接块4，磁靴（1、2、3）装在阴极座5上，磁靴连接块4连接着磁靴（1、2）以及磁靴（2、3），其特征在于：磁靴（1、2、3）分离三段并排，中间一段为可调节磁靴2。

所述分段磁靴（1、2、3）上装有分段磁铁6、均匀磁条7，磁靴（1、3）固定在阴极座上5，磁靴连接块4一端固定在磁靴（1、3）上、一端与磁靴2相连。

所述磁靴2与磁靴连接块4的连接处有螺孔41并装有螺钉42，螺钉42深浅进出螺孔41从而推动磁靴2实现调节磁场，两头边缘的磁场不会跟着变。

本发明有益效果是：通过将磁靴分段，调进螺钉42从而调动中间磁靴，可以增强中间磁场强度，整体虽然形成一个新的不规则环形磁场但不会减小两端的磁场强度，这样两端的磁场强度不至于太弱了而无法束缚电子，使得溅射不稳定。使Nb₂O₅膜层的均匀性很好，调节方便；同时能够在少靶位的情况下使用一对Nb₂O₅靶位，而把原来的部分Nb₂O₅靶位换成多晶硅靶位，从而提高生产效率，增大产能。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为现有技术镀AR膜平面磁控溅射靶的结构示意图。

图2为现有技术磁靴的横截面图。

图3为本发明的结构示意图。

图4为本发明可调节磁靴的横截面图。

图中，1、2、3为磁靴、4为磁靴连接块、5为阴极座、为磁铁、7为均匀磁条、41为螺孔、42为螺钉、11为现有技术中的磁靴。

具体实施方式

附图中展示的，只是涉及与本发明改进相关的平面磁控溅射靶部位，平面磁控溅射靶其它部位在此省略。