[发明专利]晶圆垂直加工设备及方法有效
申请号: | 201110342065.0 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN102354675A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 傅荣颢;刘玮荪 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 加工 设备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法,例如晶圆背面金属处理设备及晶圆背面金属处理方法。
背景技术
随着半导体器件封装工艺的发展,在以晶圆垂直的状态对晶圆进行加工的晶圆垂直加工工艺(例如晶圆背面沉积金属层的工艺)变得越来越普遍。
图1示意性地示出了根据现有技术的晶圆垂直加工设备的结构图。如图1所示,为了使晶圆1垂直(竖直)放置,需要在按压点2处对晶圆1施加压力来防止晶圆1滑落,该按压点2位于晶圆1的边缘。更具体地说,这样可以通过按压点2处的按压力所产生的摩擦力来固定垂直放置的晶圆1,由此来防止晶圆1滑落或倾倒。
即,在例如晶圆背面金属处理过程中,传统的固定晶圆2的结构都会给晶圆边缘带来压力,会导致晶圆1(尤其是薄片晶圆)容易破裂或破碎。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种使得晶圆(即使是薄片晶圆)也不容易破裂或破碎的晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法。
根据本发明的第一方面,提供了一种晶圆垂直加工设备,其特征在于包括支撑部件;其中,在晶圆垂直加工过程中,所述支撑部件位于晶圆周围,用于在晶圆的边缘处支撑或固定竖直放置的晶圆。
优选地,所述晶圆垂直加工设备用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
根据本发明的第二方面,提供了一种晶圆垂直加工设备,其特征在于包括:在晶圆垂直加工过程中,利用位于晶圆周围的支撑部件在晶圆的边缘处支撑竖直放置的晶圆。
优选地,所述晶圆垂直加工方法用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
通过利用根据本发明的晶圆垂直加工设备及晶圆垂直加工方法,支撑部件仅仅对晶圆边缘产生一个沿晶圆的直径的支撑力,而不是垂直于晶圆表面的压力;由此使得晶圆(即使是薄片晶圆)在垂直加工过程中也不容易破裂或破碎。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据现有技术的晶圆垂直加工设备的结构图。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备的结构图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备的结构图。
例如,根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备可用于在晶圆背面沉积金属层或其它薄片垂直工艺。
如图2所示,根据本发明实施例的晶圆垂直加工设备具有一个支撑部件3,该支撑部件3用于在晶圆1的边缘处支撑竖直放置的晶圆1。在晶圆垂直加工过程中,支撑部件3位于晶圆1下方,如图2的虚线椭圆框所示。由此,支撑部件3仅仅对晶圆边缘产生一个沿晶圆1的直径的支撑力,而不是垂直于晶圆1表面的压力。
更具体地说,在一个具体示例中,晶圆周围例如有多个(例如3个)支撑部件,多个支撑部件等角度间隔(例如,3个支撑部件相互之间成120度夹角),晶圆和这些多个支撑部件有时会同步旋转;所以,在某个时候,有可能是3个支撑部件中的一个支撑部件在最下面,但下一个时间可能就是3个支撑部件中的另一个支撑部件在下面。只有在下面的支撑部件对晶圆有往上的支撑力,而不在下面的支撑部件对晶圆只有左右的阻挡力。即,任意时刻,所述多个支撑部件中的一个在晶圆下方支撑晶圆,而其它支撑部件在晶圆侧部阻挡晶圆。
需要说明的是,图2所示的示意图是一种示例的结构,本发明的结构并不是限于上述结构,而是可以演变成许多类似的结构。重点在于,传统的固定薄片的结构都会给晶圆边缘带来压力,会导致薄片容易破碎,而本发明提供了新的解决方案,就是不给晶圆边缘有压力,只是有支撑力。这样,在晶圆垂直加工过程中位于晶圆左右两侧表面处的两个支撑部件可作为辅助部件,用于辅助地使得晶圆1固定地垂直布置。
在本发明的实施例中,阻挡晶圆的位置仍然是晶圆边缘,但是本发明实施例的晶圆垂直加工设备只是阻挡晶圆1,而不是对晶圆1实施传统的按压点2处的压力。晶圆1的中心因为有芯片,是不能接触的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110342065.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种甲缩醛的制备方法
- 下一篇:涉及不剥落低密度硬面涂层的涂层、组合物和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造