[发明专利]掩膜框架组件、其制造方法及制造有机发光显示器的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年12月20日递交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2010-0130933的权益，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开内容涉及掩膜框架组件、其制造方法以及使用该掩膜框架组件制造有机发光显示器的方法。

背景技术

因为其轻质、薄形、宽视角、快响应速率以及低功耗，有机发光显示器作为下一代显示器获得了很多关注。

有机发光显示器通常包括以预定图案形成在透明绝缘基板上的第一电极、在第一电极上形成的有机膜(此处所述膜可以通过真空沉积而形成)以及在有机膜的上表面形成的第二电极。

第一电极可以通过例如光刻的湿法蚀刻方法而图案化。然而，如果有机膜是用于产生预定颜色图像的有机发光层，有机膜和形成在有机膜上的第二电极可以不通过湿法蚀刻而形成。这是因为在形成有机膜并在随后使用湿法蚀刻时，由于湿法蚀刻而产生的湿气渗入有机膜或者残留在有机膜上，因此有机发光显示器的性能和寿命都会降低。

曾经试图使用沉积工艺来解决这个问题。为了使用沉积工艺来制造有机发光显示器，对准具有与即将在基板上形成的薄膜图案相同的图案的精细金属掩膜，并沉积薄膜的原料，从而形成具有期望图案的薄膜。

随着FMM变大，形成图案的蚀刻中的误差可能会增加，并且因为重量而导致的中心部分的下陷可能会变得严重。因此，使用了分割的掩膜，其通过将掩膜分割成多个条纹形状并且将他们附到一框架上而获得。然而，分割的掩膜也可能遭受一些下陷。为了解决所述下陷，当将所述分割的掩膜附到框架上时，将它们焊接到框架上，同时在长度方向上拉紧。

然而，如果这样焊接分割的掩膜，当在分割的掩膜被拉紧的长度方向上施加张力时，在宽度方向上施加收缩力，由此在分割的掩膜中产生波形纹。一旦出现这样的纹路，因为分割的掩膜的某些部分不能与基板紧密接触，所以无法实现精确的图案化。

发明内容

本公开内容提供可以防止在掩膜被焊接到框架同时被拉伸时发生纹路的掩膜框架组件，以及使用该掩膜框架组件制造具有高分辨率的有机发光显示器的方法。

根据一方面，提供一种掩膜框架组件，包括：框架，以及安装在所述框架上同时在第一方向上被拉伸的掩膜，其中所述掩膜包括：包括多个沉积图案部分的沉积区域，形成为具有厚度大于所述沉积区域的厚度并且包括在所述沉积区域的两侧上沿第一方向延伸的第一边缘和第二边缘的边缘单元，以及均被形成为具有厚度大于所述沉积区域的厚度、形成在相邻的沉积图案部分之间并且在第二方向上延伸的两个或更多个肋，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。

所述掩膜框架组件可以进一步包括设置于所述肋之间的伪沉积图案部分。

所述伪沉积图案部分的图案可以与所述沉积图案部分中每一个沉积图案部分的图案相同。

所述掩膜框架组件可以进一步包括用于覆盖与所述伪沉积图案部分相对应的区域的覆盖掩膜。

所述伪沉积图案部分的宽度可以小于所述沉积图案部分中每一个沉积图案部分的宽度。

所述边缘单元的厚度可以与所述肋中每一个肋的厚度相同。

所述边缘单元和所述肋可以相互连接。

所述掩膜可以包括安装在所述框架上的多个分割的掩膜，其中所述第一方向是所述多个分割的掩膜中每一个的长度方向，并且所述第二方向是所述多个分割的掩膜中每一个的宽度方向。

根据另一方面，提供一种制造掩膜框架组件的方法，所述方法包括：制备框架；制备掩膜，所述掩膜包括：包括多个沉积图案部分的沉积区域，形成为具有厚度大于所述沉积区域的厚度并且包括在所述沉积区域的两侧上沿第一方向延伸的第一边缘和第二边缘的边缘单元，以及形成为具有厚度大于所述沉积区域的厚度、形成在相邻的沉积图案部分之间并且在第二方向上延伸的两个或更多个肋，其中所述第二方向垂直于所述第一方向；以及通过在所述第一方向上拉伸所述掩膜的两端将所述掩膜安装到所述框架上。

所述掩膜可以通过电铸而制备。

所述掩膜框架组件可以进一步包括形成在所述肋之间的伪沉积图案部分。

所述伪沉积图案部分的图案可以与所述沉积图案部分中每一个沉积图案部分的图案相同。

所述方法可以进一步包括制备用于覆盖与所述伪沉积图案部分相对应的区域的覆盖掩膜，以及安装所述覆盖掩膜以覆盖所述伪沉积图案部分。

所述掩膜和所述框架可以通过激光焊接而相互焊接。