[发明专利]一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201110255163.0 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102431235A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 杜丕一;郑赞;宋晨路;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B32B15/00;H01G4/10 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 陈昱彤 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应力 辅助 调制 可调 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜,其特征在于:在基板(1)的正表面上自下而上依次镀有ITO导电层(2)、PT应力诱导层(3)和PST薄膜(4),所述PT应力诱导层(3)为钙钛矿相晶体结构且掺杂有杂质,所述杂质为其离子尺寸比Ti的离子尺寸大且其化合价比Ti的化合价小的金属离子。
2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于:所述PT应力诱导层(3)为掺杂有杂质的钛酸铅,所述杂质为Zn2+离子、Fe3+离子或Co2+离子。
3.根据权利要求1或2所述的复合薄膜,其特征在于:在所述PT应力诱导层(3)中,所述杂质的摩尔百分含量为1%~3%。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于:在所述PST薄膜(4)中,Pb的摩尔百分含量为35%~50%。
5.一种权利要求1的复合薄膜的制备方法,其特征在于:使用溶胶凝胶法在镀有ITO导电层(2)的基板(1)的正表面自下而上依次镀上PT应力诱导层(3)和PST薄膜(4)。
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