[发明专利]处理模块、基片处理装置以及基片运送方法

说明书

技术领域

本发明涉及处理半导体晶片等基片的处理模块、包括该处理模块的基片处理装置以及它们中的基片运送方法。

背景技术

在半导体集成电路的制造工艺中，利用多个处理室经由一个传送室相结合的所谓的集束型设备(cluster tool)(例如，专利文献1、2)。由此，基片通过实现了真空气氛(或者，干净气氛)的运送室从一个处理室被运送到下一个处理室，因此能够在运送过程中将基片维持在干净的气氛中。从而防止了基片被污染，改善了制造成品率。另外，由于多个处理室与一个运送室邻接配置，因此能够缩短从一个处理室向下一个处理室运送基片时的运送路径。从而通过缩短运送时间还能够提高生产能力。

专利文献1：日本专利文献特开2008-258192号公报；

专利文献2：日本专利文献特开平7-142551号公报。

发明内容

然而，近年来，随着半导体集成电路被进一步高度集成，以及为了实现高度集成而尺寸进一步被缩小，例如层积在基片上的薄膜的膜厚也逐渐变薄，层积所需的时间也逐渐变短，从而运送基片运进出处理室的时间相对层积时间变长了。因此，甚至在集束型设备中，生产能力也逐渐受到基片运送时间的限制。

本发明鉴于上述的实际情况，提供一种可进行快速的基片运送从而有助于提高生产能力的处理模块、包括该处理模块的基片处理装置以及它们中的基片运送方法。

为了达到上述目的，本发明的第1方式提供一种处理模块，包括：载置部，其载置基片，被载置的所述基片被进行基片处理；以及基片运送机构，其包括多个基片保持用具，所述多个基片保持用具能够分别独立地位于第一位置或第二位置并且能够分别保持基片，其中，所述第一位置是相对于外部的基片运送装置进行基片交接的位置，并且所述第二位置是所述载置部的上方的位置。

本发明的第二方式提供如下的处理模块：在第1方式的处理模块中，还包括升降所述基片运送机构的升降部。

本发明的第3方式提供了如下的处理模块：在第1或第2方式的处理模块中，还包括转动机构，该转动机构使所述多个基片保持用具中的每一个以预定的转动轴为中心转动以位于所述第一位置或所述第二位置。

本发明的第4方式提供了如下的处理模块：在第3方式的处理模块中，所述多个基片保持用具的转动角度小于或等于90°。

本发明的第5方式提供一种基片处理装置，包括：第1至第4方式中任一方式的处理模块；以及基片运送装置，其包括基片运送部，所述基片运送部能够相对于所述多个基片保持用具中位于所述第一位置的基片保持用具进行基片交接。

本发明的第6方式提供如下的基片处理装置：在第5方式的基片处理装置中，所述载置部被配置在能够密封的处理室中，所述基片运送机构被配置在与所述处理室可连通地结合的能够密封的缓冲室，所述基片运送装置配置在能够与一个或多个所述缓冲室可连通地结合的能够密封的转运室。

本发明的第7方式提供如下的基片处理装置：在第6方式的基片处理装置中，所述处理室、所述缓冲室以及所述转运室能够被排气成负压。

本发明的第8方式提供如下的基片处理装置：在第5至第7方式中任一方式的基片处理装置中，所述基片运送部在其一端具有能够保持基片的第一基片保持区，在其另一端具有能够保持基片的第二基片保持区，并且在所述第一基片保持区和所述第二基片保持区之间具有旋转中心。

本发明的第9方式提供一种基片运送方法，用于在基片运送部和载置部之间交接基片，其中所述载置部载置基片，并且被载置的所述基片被进行基片处理，所述基片运送方法包括以下步骤：使保持一个基片的所述基片运送部移动到第一位置后进行等待，以使所述一个基片被保持在第一位置；将通过所述基片运送部被保持在所述第一位置上的所述一个基片传递给多个基片保持用具中的一个基片保持用具，其中所述多个基片保持用具能够分别独立地位于所述第一位置或所述载置部的上方的第二位置并且能够分别保持基片；使接受到所述一个基片的所述一个基片保持用具移动到所述第二位置；以及从所述多个基片保持用具中的其它基片保持用具向在所述第一位置等待的所述基片运送部传递其它基片。

本发明的第10方式提供如下的基片运送方法：在第9方式的基片运送方法中还包括以下步骤：从移动到所述第二位置的所述一个基片保持用具将所述一个基片载置到所述载置部。

本发明的第11方式提供如下的基片运送方法：在第9或第10方式的基片运送方法中，在向所述一个基片保持用具传递的步骤中，通过所述一个基片保持用具上升，所述一个基片从所述基片运送部被传递给所述基片保持用具。