[发明专利]电压调节器电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种电压调节器电路，该电压调节器电路被应用于用于驱动在移动电话、数码照相机等等中使用的液晶面板的IC。

背景技术

在移动电话、数码照相机等等中使用的液晶面板驱动IC日益变得数据传输(作为高速串行传输)更快并且尺寸更小。由于此，经常通过能够使用更高速度和更小尺寸的元件的精细和低压工艺(在下文中，被称为“低压工艺”)来设计液晶面板驱动IC。在此低压工艺中，元件被击穿的电压(元件的耐受电压)必需下降。因此，要求注意要被使用的电压的范围。

此外，从电源(电池)提供给液晶面板驱动IC的电源电压(电池电压)经常高于在此低压工艺中使用的电压。由于此，要求在使用被包括在液晶面板驱动IC中的电压调节器电路将电压调节为适当的电压之后使用电源电压。

此外，在正常情况下，通过被布置在电源和液晶面板驱动IC之间的装置(诸如稳压电路)来稳定电源电压，并且将其作为供电电压提供给液晶面板驱动IC。然而，由于稳压电路包括诸如防止过电流的功能所以对于液晶面板驱动IC来说，要求平均消耗电流和瞬时消耗电流尽可能的低。

图1示出通常的电压调节器电路110(在下文中，被称为“电压调节器电路110”)的构造。电压调节器电路110包括差分放大器电路AMP1、第一电阻器元件R1(在下文中，“电阻器元件R1”)、以及第二电阻器元件R2(在下文中，“电阻器元件R2”)。

差分放大器电路AMP1被连接至提供高压VDD的高压电源[VDD]和提供比高压VDD低的低压VSS(接地电压GND)的低压电源[VSS]，并且以高压VDD与低压VSS之间的电压进行操作。差分放大器电路AMP1包括是第一输入端子的正侧输入端子+IN、是第二输入端子的负侧输入端子-IN、以及输出端子。基准电压Vref被作为供电电压提供给正侧输入端子+IN。

电阻器元件R1的一端被连接至差分放大器电路AMP1的输出端子。电阻器元件R2的一端被连接至电阻器元件R1的另一端，并且电阻器元件R2的另一端被连接至低压电源[VSS]。电阻器元件R2的一端经由信号线还被连接至负侧输入端子-IN。平滑电容器C1的一端经由输出结点被连接至电阻器元件R1的一端以及差分放大器电路AMP1的输出端子，并且平滑电容器C1的另一端被连接至低压电源[VSS]。

电阻器元件R1和R2将从差分放大器电路AMP1输出的输出电压Vout分压以在电阻器元件R2的一端生成分压Vmon100。差分放大器电路AMP1放大被提供给正侧输入端子+IN的基准电压Vref和被提供给负侧输入端子-IN的分压Vmon之间的差。平滑电容器C1平滑从差分放大器电路AMP1输出的输出电压Vout100。

图2示出差分放大器电路AMP1的构造。差分放大器电路AMP1包括第一和第二N沟道MOS(金属氧化物半导体)晶体管MN1和MN2(在下文中，被称为“晶体管MN1和MN2”)；第一至第三P沟道MOS晶体管MP1、MP2、以及MP3(在下文中，被称为“晶体管MP1、MP2、以及MP3”)；以及第一和第二恒流源。

晶体管MN1和MN2的源极被共同地连接至一个结点。晶体管MN1和MN2的栅极被分别用作差分放大器电路AMP的负侧输入端子-IN和正侧输入端子+IN。

第一恒流源被提供在晶体管MN1和MN2的源极和低压电源[VSS]之间。例如，第一恒流源是第三N构造MOS晶体管MN3(在下文中，被称为“晶体管MN3”)。晶体管MN1和MN2的源极被连接至晶体管MN3的漏极，并且低压电源[VSS]被连接至其源极。偏置电压Vbias被提供给晶体管MN3的栅极用于导通晶体管MN3。

晶体管MP1和MP2的源极被共同地连接至高压电源[VDD]，其栅极被共同地连接至一个结点，并且其漏极被分别连接至晶体管MN1和MN2的漏极。晶体管MP1的栅极被连接至晶体管MN1的漏极。

晶体管MP3的源极被连接至高压电源[VDD]，其栅极被连接至晶体管MN2的漏极，并且其漏极被连接至电阻器元件R1的一端。

第二恒流源被提供在晶体管MP3的漏极和低压电源[VSS]之间。例如，第二恒流源是第四N沟道MOS晶体管MN4(在下文中，被称为“晶体管MN4”)。晶体管MP3的漏极被连接至晶体管MN4的漏极并且低压电源[VSS]被连接至其源极。偏置电压Vbias被提供给晶体管MN4的栅极用于导通晶体管MN4。

接下来，下面将会描述由电压调节器电路110执行的操作。