[发明专利]带密封材料层的玻璃构件以及使用该构件的电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，

具备具有密封区域的玻璃基板和

设于所述玻璃基板的所述密封区域上的密封材料层，所述密封材料层由包含以低膨胀填充材料粒子构成的低膨胀填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料形成；

所述密封用玻璃材料不含粒径大于所述密封材料层的厚度T的所述低膨胀填充材料粒子，且包含以体积比计在0.1～50％的范围内的粒径相对于所述密封材料层的厚度T在0.5T～1T的范围内的所述低膨胀填充材料粒子。

2.如权利要求1所述的带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，所述低膨胀填充材料由选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、硅酸锆、堇青石、磷酸锆类化合物、钠钙玻璃和硼硅酸盐玻璃的至少1种材料形成，且所述低膨胀填充材料在所述密封用玻璃材料中的含量在15～50体积％的范围内。

3.如权利要求1或2所述的带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，所述激光吸收材料由选自Fe、Cr、Mn、Co、Ni和Cu的至少1种金属或包含所述金属的化合物形成，且所述激光吸收材料在所述密封用玻璃材料中的含量在0.1～10体积％的范围内。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，具有所述0.5T～1T的范围内的粒径的所述低膨胀填充材料粒子在所述密封用玻璃材料中的含量以体积比计在0.1～10％的范围内。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，所述玻璃基板由钠钙玻璃或无碱玻璃形成。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的带密封材料层的玻璃构件，其特征在于，所述密封用玻璃材料包含由锡-磷酸类玻璃或铋类玻璃形成的密封玻璃作为其主要成分。

7.一种电子器件，其特征在于，包括

具有具备电子元件的元件形成区域和设于所述元件形成区域的外周侧的第一密封区域的第一玻璃基板、

具有与所述第一玻璃基板的所述第一密封区域对应的第二密封区域的第二玻璃基板、

以在所述元件形成区域上设置间隙的同时将所述第一玻璃基板的所述第一密封区域与所述第二玻璃基板的所述第二密封区域之间密封的方式形成的密封层，所述密封层由包含以低膨胀填充材料粒子构成的低膨胀填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料的熔融固着层形成；

所述密封用玻璃材料不含粒径大于所述密封层的厚度Ta的所述低膨胀填充材料粒子，且包含以体积比计在0.1～50％的范围内的粒径相对于所述密封层的厚度Ta在0.5Ta～1Ta的范围内的所述低膨胀填充材料粒子。

8.如权利要求7所述的电子器件，其特征在于，所述电子元件为有机EL元件或太阳能电池元件。

9.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括

准备具有具备电子元件的元件形成区域和设于所述元件形成区域的外周侧的第一密封区域的第一玻璃基板的工序、

准备具有与所述第一玻璃基板的所述第一密封区域对应的第二密封区域以及形成于所述第二密封区域上的由包含以低膨胀填充材料粒子构成的低膨胀填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料形成的密封材料层的第二玻璃基板的工序、

在所述元件形成区域上形成间隙的同时介以所述密封材料层层叠所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的工序、

透过所述第二玻璃基板对所述密封材料层照射激光而使所述密封材料层熔融并形成将所述第一玻璃基板与所述第二玻璃基板之间密封的密封层的工序；

所述密封用玻璃材料不含粒径大于所述密封材料层的厚度T的所述低膨胀填充材料粒子，且包含以体积比计在0.1～50％的范围内的粒径相对于所述密封材料层的厚度T在0.5T～1T的范围内的所述低膨胀填充材料粒子。

10.如权利要求9所述的电子器件的制造方法，其特征在于，所述电子元件为有机EL元件或太阳能电池元件。