[发明专利]基板处理设备以及磁记录介质制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在硬盘等磁记录盘的制造中向基板的两个表面照射离子束以对基板的两个表面进行处理的基板处理设备以及磁记录介质制造方法。

背景技术

硬盘等磁记录盘的制造大致分为前处理和后处理，其中，前处理包括衬层的形成、用于记录层的磁膜的形成以及用于保护记录层的保护膜的形成，并且后处理包括例如已形成保护膜的基板表面上的润滑层的形成。

通常，磁记录盘在基板的两个表面上都具有记录层，因此，在前述的处理中，在基板的两个表面上进行各种处理。

作为用于如上所述对基板的两个表面进行处理的技术，公开了例如如下的技术：在基板两侧设置离子枪，从而从离子枪向基板的各表面发出并照射由离子化的氩气形成的离子束(参见日本特开2005-56535)。

然而，如日本特开2005-56535中的在基板的相背表面相对地布置离子枪(离子束产生器)的技术存在如下的问题：相对的离子束产生器被其离子束相互影响。

特别是，当使用像用于磁记录盘的基板那样在中心有开口的基板并向基板的两个表面照射离子束时，来自一个离子束产生器的离子束通过基板的开口进入另一离子束产生器。结果，存在离子束产生器的内部被相互污染和/或损坏的问题。

发明内容

因此，鉴于上述情况做出了本发明，并且本发明的目的是提供一种能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和/或损坏的基板处理设备以及磁记录介质制造方法。

为实现上述目的而做出的本发明包括如下结构。

本发明提供一种基板处理设备，其能够向包括开口的基板照射离子束以进行预定处理，所述基板处理设备包括：第一离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第一提取机构；以及第二离子束产生器，其包括用于提取等离子体中的离子的第二提取机构，所述第二离子束产生器被布置成与所述第一离子束产生器相对，其中所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器均被布置成向所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域照射离子束；所述第一提取机构包括第一栅格，并且所述第二提取机构包括第二栅格；以及所述第一栅格和所述第二栅格被布置成相互不对称。

另外，本发明提供一种使用如上所述的基板处理设备来制造磁记录介质的方法，所述方法包括如下步骤：将保持有包括开口的基板的基板承载器布置在所述第一离子束产生器和所述第二离子束产生器之间的区域中；以及通过所述第一离子束产生器向所述基板的一个待处理表面照射离子束，并且通过所述第二离子束产生器向所述基板的另一个待处理表面照射离子束。

根据本发明，将第一离子束产生器中的第一栅格(grid)和第二离子束产生器中的第二栅格配置成相互不对称。因此，防止了离子束通过栅格中的细微孔和基板开口进入相对的离子束产生器，使得能够抑制相对布置的离子束产生器内部的相互污染和损坏。

附图说明

图1是示出从上方观察的根据本发明实施例的基板处理设备的结构的框图。

图2是根据本发明实施例的离子束产生器的结构的示意截面图。

图3A是根据本发明实施例的离子束产生器中的栅格的示意图。

图3B是根据本发明实施例的离子束产生器中的栅格的示意图。

图4是根据本发明实施例的磁记录介质制造方法中所使用的制造设备的示意结构图。

图5是根据本发明实施例的磁记录介质制造设备要处理的层叠体的示意图。

图6是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图7是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图8是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图9是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图10是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图11是用于按步示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的示意图。

图12是示出根据本发明实施例的磁记录介质制造方法的流程图。

图13示出根据本发明实施例的离子束蚀刻(IBE)中各材料的蚀刻率。

图14是示出根据本发明实施例当进行离子束蚀刻时所蚀刻的物质的改变的图。

具体实施方式

下面参照附图说明本发明的实施例。然而，本发明不限于本实施例。

参照图1说明根据本发明实施例的基板处理设备。图1是示出从上方观察的根据本实施例的基板处理设备的结构的框图。