[发明专利]光刻构图方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻构图方法，属于在晶片基板上制造微型器件的光刻工艺技术领域。 

背景技术

光刻工艺是制造各种微型器件(如晶片基板上的半导体集成电路)的基本制造工艺。其中，掩模版(也称为光刻版)是用遮光材料(如铬(Cr))在光透射基板(如石英玻璃基板)制成的。掩模版作为样板，用于复制期望的半导体集成电路或微结构的设计图案。现有的光刻过程通常通过施加光刻胶进行曝光，从而将记录在光刻版上的电路图案转移到半导体晶片上。 

现有的一种在光刻版上构图的方法使用电子束绘图机，即使用电子束光刻过程，其中由电子源产生许多电子，使这些电子被加速并集中为束状，即形成电子束，朝向光刻版。这些电子束可以采用磁性方式或静电方式集中，并以期望图案扫描整个光刻版表面上的特殊电子束抗蚀剂。这种电子束抗蚀剂旋转涂敷于石英玻璃基板上的薄的不透明金属薄膜(如，铬薄膜)上，形成选择性暴露给电子束的图案，并通过热烘焙进行显影。使用干刻工艺将最终的超精细图案刻蚀于铬薄膜中。将余下的电子束抗蚀剂去除，清洁光刻版，并涂敷一定的保护及增光涂层，然后进行缺陷检查，并相对于与集成电路布图相关的原始数字图形图案进行测量。 

随着记录在光刻版上的电路图案变得极为复杂，且其超精细分辨率为纳米量级，光刻版本身的制造过程也变得极为复杂和困难。由于光刻版上的不透明薄膜的超精细图案是通过在单个器件工艺上进行电子束扫描曝光形成的，因此，每次都要制造一个单个的光刻版，费时且效率低下。由于要达到所期望 的超精细分辨率及精度需要电子束绘图机变得越来越复杂，因此，生产纳米量级光刻版的成本也急剧飙升。 

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种光刻构图方法，以便通过使用两步光刻过程制造具有超精细尺寸的光刻版并在光刻工艺中应用这些光刻版。 

为了实现上述目的，本发明的实施例提供了一种光刻构图方法，其中包括： 

通过第一放大过程中的数字转换过程，将第一光刻图案转换为第二光刻图案；所述第一光刻图案及第二光刻图案均为二进制图形数据形式； 

通过初始光刻过程进行1∶1图形转移，制造对应于所述第二光刻图案的第一光刻版；所述第一光刻版具有第一基准对齐标记； 

通过第一缩小过程中的第一光刻过程，在透明基板上制造对应于所述第一光刻版的第二光刻版，每个所述第二光刻版具有对应于所述第一基准对齐标记的第二基准对齐标记； 

通过第二缩小过程，使用所述第二光刻版在晶片基板上制造与所述第一光刻图案的尺寸相同的微观图案，所述微观图案具有与所述第二基准对齐标记对应的第三基准对齐标记； 

其中，所述第一放大过程的放大比例乘以第一缩小过程的缩小比例再乘以第二缩小过程的缩小比例等于一。 

本发明实施例所述方法通过两步光刻过程制造精细光刻版，简化了光刻版的制造过程，降低了生产纳米量级光刻版的成本；并且，由于光刻版上的超精细图案不是通过在单个器件工艺上进行电子束扫描曝光形成的，因此，不需要每次都制造一个单个的光刻版，从而提高了光刻版的生产效率，降低了成本；另外，本发明实施所述方法还通过制造出的上述精细光刻版实现了在晶片基板上的精细构图，从而提高了光刻应用的效率。 

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。 

附图说明

图1为显示本发明一实施例所述光刻构图方法的组合框图示意图； 

图2为显示本发明另一实施例所述光刻构图方法的组合框图示意图； 

图3为显示本发明又一实施例所述光刻构图方法的组合框图示意图。 

具体实施方式

图1为显示本发明一实施例光刻构图方法的组合框图示意图。在该方法中，通过两步光刻过程(即，初始光刻过程600及第一光刻过程610)制造精细光刻版(即第二光刻版120)；并应用所述第二光刻版120，根据以二进制图形数据形式的第一光刻图案10制造晶片基板800上的微观图案810。该方法具体包括如下步骤： 

步骤11：通过第一放大过程410中的数字转换过程400，将第一光刻图案10转换为第二光刻图案20；所述第一光刻图案10及第二光刻图案20均为二进制图形数据形式。 

其中，原始光刻图案(即第一光刻图案)10可以通过掩模版布图工艺，以二进制图形数据形式产生。该第一光刻图案10对应于最终将制造于晶片基板800上的微观图案810。