[发明专利]光刻构图方法

权利要求书

1.一种光刻构图方法，其中包括：

通过第一放大过程(410)中的数字转换过程(400)，将第一光刻图案(10)转换为第二光刻图案(20)；所述第一光刻图案(10)及第二光刻图案(20)均为二进制图形数据形式；

通过初始光刻过程(600)进行1∶1图形转移，制造对应于所述第二光刻图案(20)的第一光刻版(110)；所述第一光刻版(110)具有第一基准对齐标记(115)；

通过第一缩小过程(510)中的第一光刻过程(610)，在透明基板(150)上制造对应于所述第一光刻版(110)的第二光刻版(120)，所述第二光刻版(120)具有对应于所述第一基准对齐标记(115)的第二基准对齐标记(125)；

通过第二缩小过程(520)，使用所述第二光刻版(120)在晶片基板(800)上制造与所述第一光刻图案(10)的尺寸相同的微观图案(810)，所述微观图案(810)具有与所述第二基准对齐标记(125)对应的第三基准对齐标记(815)；

其中，所述第一放大过程(410)的放大比例乘以第一缩小过程(510)的缩小比例再乘以第二缩小过程(520)的缩小比例等于一。

2.根据权利要求1所述的光刻构图方法，其中所述数字转换过程(400)中进一步包括光学临近效应修正的步骤。

3.根据权利要求1所述的光刻构图方法，其中所述透明基板(150)为石英玻璃晶片。

4.根据权利要求1所述的光刻构图方法，其中所述第二光刻版(120)为微米到纳米量级的不透明薄膜微结构，由铬、氧化铬及氮氧化铬、钛、氮化钛、铷、钼及硅化钼、钽及氮化钽、钨、和钌中的一种或任意组合制造。

5.根据权利要求1所述的光刻构图方法，其中所述第一光刻版(110)包括采用薄膜微结构的移相器。 

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述移相器由不透明材料制成，该不透明材料包括：铬、氧化铬及氮氧化铬、钛、氮化钛、钽及氮化钽中的一种或任意组合。

7.根据权利要求1～6中任意所述的光刻构图方法，其中所述第一光刻图案(10)包括第一明场光刻图案(10c)及第一暗场光刻图案(10d)，所述第二光刻图案(20)包括第二明场光刻图案(20c)及第二暗场光刻图案(20d)，所述将第一光刻图案(10)转换为第二光刻图案(20)包括：将第一明场光刻图案(10c)转换为第二明场光刻图案(20c)，将第一暗场光刻图案(10d)转换为第二暗场光刻图案(20d)；

所述制造对应于所述第二光刻图案(20)的第一光刻版(110)包括：制造对应于所述第二明场光刻图案(20c)的第一明场光刻版(110c)及对应于所述第二暗场光刻图案(20d)的第一暗场光刻版(110d)；所述第一明场光刻版(110c)具有第一明场基准对齐标记(115c)，第一暗场光刻版(110d)具有第一暗场基准对齐标记(115d)；

所述制造对应于所述第一光刻版(110)的第二光刻版(120)包括：制造对应于所述第一明场光刻版(110c)的第二明场光刻版(121c)及对应于所述第一暗场光刻版(110d)的第二暗场光刻版(121d)，所述第二明场光刻版(121c)及第二暗场光刻版(121d)彼此不重叠而并排设置，所述第二明场光刻版(121c)具有第二明场基准对齐标记(125c)，所述第二暗场光刻版(121d)具有第二暗场基准对齐标记(125d)。

8.根据权利要求7所述的光刻构图方法，其中所述通过第二缩小过程(520)，使用所述第二光刻版(120)在晶片基板(800)上制造与所述第一光刻图案(10)的尺寸相同的微观图案(810)包括：

通过第二缩小过程(520)中的第二光刻过程(620)，使用所述第二明场光刻版(121c)在第一晶片基板(800c)上制造与所述第一明场光刻图案(10c)的尺寸相同的明场微观图案(810c)，所述明场微观图案(810c)具有与所述 第二明场基准对齐标记(125c)对应的第三明场基准对齐标记(815c)；及

通过第二缩小过程(520)中的第二光刻过程(620)，使用所述第二暗场光刻版(121d)在第二晶片基板(800d)上制造与所述第一暗场光刻图案(10d)的尺寸相同的暗场微观图案(810d)，所述暗场微观图案(810d)具有与所述第二暗场基准对齐标记(125d)对应的第三暗场基准对齐标记(815d)。