[发明专利]LED基板的制造方法及LED基板无效
申请号: | 200910128273.3 | 申请日: | 2009-03-23 |
公开(公告)号: | CN101546715A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 芦贺原治之 | 申请(专利权)人: | 日本奥亚特克斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/58;H01L25/075 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张 鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | led 制造 方法 基板 | ||
技术领域
本发明涉及用于制造LED基板的方法以及由该方法制造的LED基板。
背景技术
发光二极管(LED)等发光器件除了耗电功率低、寿命长,还可以实现小型化和轻薄化。因此,可以用于移动电话、电光板、或信号等。尤其在最近,期待将其用作液晶显示器的背光源。
即,在现阶段中,主要使用冷阴极管作为液晶显示器的背光源。但近年来,随着液晶显示器的轻薄化、节能化和高性能化,LED已处于可以取代冷阴极管的地位。在部分液晶显示器中,已经开始使用LED作为背光源。
以往,装设有LED的基板是通过在玻璃环氧基板的表面形成金属层,蚀刻该金属层作为电路,在该电路上焊接LED而制造的。但由于玻璃环氧基板在结构上必须做得较厚,所以即使在电路的背面设置散热层也无法确保充分的散热性。因此,为了提高散热性,正在探讨在LED基板使用较薄的基板。
例如在专利文献1揭示了一种技术,该技术使金属箔层粘合在由热固性的环氧树脂等形成的绝缘层,形成用于装设LED的电路,在进一步将绝缘层与散热基板粘合时,通过将绝缘层只设置在必要的部位来降低成本。
但是,在专利文献1的技术中是通过蚀刻形成电路的,这种形成方法不能高效地、低成本地实施。即,在通过蚀刻形成电路的工序中,需要脱脂清洗金属层、形成抗蚀感光膜、曝光、显影、蚀刻、剥离这样复杂的处理。另外,通过蚀刻去除的金属层会浪费掉。因此,若由蚀刻形成电路,则蚀刻导致的成本往往是基板本身成本的数倍。并且,在蚀刻中一般使用氯化铁,但废弃包含氯化铁的废液并不容易。另外,在与由热固性树脂形成的绝缘层粘接散热板时,必须使用热固性粘接剂。因此还存在的情况是,为了使其热固化而进行的加热加压需要时间、设备、和较多能量,成本难以降低。另外,除了基板会因粘接剂层而变厚,还具有由于该粘接剂而导致热传导性下降这样的缺点。
另一方面,在专利文献2揭示了一种技术,该技术以柔软的绝缘树脂一体地覆盖滚轧为平板状的多条导线,制造柔性的平行线。但这是用于将该平行线与基板之间或者电路之间连接的技术,并非用于装设器件。实际上,覆盖平行线是通过将其浸渍在绝缘树脂而进行的,使该平行线露出端部之外并装设器件并非易事。另外,在专利文献2中没有确定覆盖导线的绝缘树脂的种类。
专利文献1:日本专利特开2007-220925号公报
专利文献2:日本专利特开昭57-115714号公报
发明内容
如上所述,已知一种柔性的LED基板。但由于需要蚀刻等,其制造工序复杂,并不容易制造。
因此,本发明应该解决的课题是提供一种用于简便且高效地制造LED基板的方法。
本发明者为解决上述问题进行了专心研究。结果发现,若使用液晶聚合物薄膜等热可塑性树脂薄膜作为基板,在该基板热压接线状电路,则可以极其简便且高效地制造连续地装设可用作为液晶显示器的背光源等的LED的基板,从而完成本发明。
本发明所涉及的LED基板的制造方法的特征是,包括:在热可塑性树脂薄膜热压接线状导电材料的工序;以及在线状导电材料装设至少两个LED的工序。另外,在线状导电材料装设LED的形态包括在将线状导电材料作为电路的基板上装设LED的所有形态。例如,可以是在一条线状导电材料的断线部分或者两条线状导电材料之间配置表面安装型LED的本体,将各电极焊接在线状导电材料的形态;或者将LED裸芯片管芯键合(die bond)在一条线状导电材料的一个断线端部或者两条线状导电材料中的一个,引线键合(wire bond)在另一断线端部或者另一线状导电材料的形态。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本奥亚特克斯股份有限公司,未经日本奥亚特克斯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910128273.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造