[发明专利]提高电光调制器调制带宽的可集成化方法无效

专利信息
申请号: 200910085877.4 申请日: 2009-06-03
公开(公告)号: CN101909403A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 徐海华;徐学俊;俞育德;余金中 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;G02F1/01;G02F1/21;H04J14/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提高 电光 调制器 调制 带宽 集成化 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于半导体光电技术领域,特别是指一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法。

背景技术

密集波分复用(DWDM)系统具有传输容量大、组网灵活等显著特点,已成为长距离光纤通信的主流技术。电光调制器作为DWDM系统关键之一,其作用是将连续光波(载波)调制成携带有特定信息的光信号。电光调制器按照其调制原理主要可分为电光调制器、热光调制器、声光调制器、全光调制器等。电光调制器的原理是利用材料折射率受外加电场的影响而发生改变,从而使调制器的输入光的相位发生改变,并利用光学干涉结构如马赫-曾德干涉仪(MZI)实现对输入光的调制,因此其具有调制速度快、功率消耗低、集成性好等优势。

本发明中所用的电光调制器制作在绝缘衬底上的硅(SOI)基片上,其调制原理是基于硅材料中自由载流子色散效应,即当调制器上外加周期性调制电信号时,硅材料的自由载流子浓度将发生改变,材料的折射率随之发生变化,入射光强将随着折射率的变化而周期性变化,最终实现对光的调制。

高通滤波器可以使高于某个频率的频率成分不受衰减地通过,而低于这个频率的频率成分受到极大的衰减。因此可以在调制器的输入端串联一个高通滤波器,使得输入调制器的信号低频部分得到抑制,而高频部分得到补偿,从而使得调制器的调制带宽得到展宽。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,这种方法工艺制作简单;可对已制作好的器件进行后处理,且不会对原有器件性能带来影响;滤波器和调制器集成在同一电路板上,便于测试和应用;可以显著提高电光调制器的调制带宽。

本发明提供一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,该方法包括如下制作步骤:

步骤1:在高速电路板上制作高通滤波器,高通滤波器输入端电极与高速电路板边缘靠齐;

步骤2:将同轴射频转接头与高速电路板上的高通滤波器的输入端电极焊接在一起;

步骤3:在靠近高通滤波器的输出电极的端部、在高速电路板上涂敷粘结剂,将电光调制器芯片固定在高速电路板上;

步骤4:利用互连金丝将电光调制器的输入端电极与高通滤波器的输出端电极互连在一起,完成器件的制作。

其中步骤1所说的高速电路板为环氧树脂玻璃布层压板,高通滤波器为微带线型或共面型,其结构采用交叉指形。

其中步骤2所说的高通滤波器的输入端电极、输出端电极一端采用过渡线结构,以便使同轴射频转接头、电光调制器与高通滤波器阻抗匹配,减少微波反射损耗。

其中步骤3中的电光调制器是制作在绝缘衬底上的硅基片上,电光调制器的光学结构为马赫-曾德干涉型结构,电学结构为正向p型-本征型-n型结构。

附图说明

为了清楚地解释本发明的技术特征,以下结合附图及实施例对本发明作一详细的描述,其中:

图1是本发明电光调制器与高通滤波器集成的主视图;

图2是图1的俯视剖面图;

图3是电光调制器与微带型高通滤波器集成的侧面剖视图。

图4是本发明电光调制器横截面剖视图。

具体实施方式

请参阅图1和图2所示,本发明一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,该方法包括如下制作步骤:

步骤1:在高速电路板5上制作高通滤波器2,高通滤波器2输入端电极21与高速电路板5边缘靠齐,以便同轴射频转接头1与高通滤波器2接触良好;其中步骤1所说的高速电路板5为环氧树脂玻璃布层压板(FR4),介电常数为4.4,板的厚度为1.6mm,高通滤波器2直接通过在高速电路板5上敷铜线制成,其基本类型为微带线型或共面波导型,微带线型的接地线与信号线不在同一平面内,通常接地面位于高速电路板的底部,因此在两个平面之间需要通过制作一通孔将两个面连接在一起,而共面波导型的接地线与信号线位于同一平面内,两种类型的高通滤波器都采用交叉指形结构;

步骤2:将同轴射频转接头1按照高通滤波器2信号线和地线的相对位置安插在合适的位置,使得两者信号端、接地端一一对应式接触,在各个接触点涂敷助焊剂、焊料后进行焊接,使得同轴射频转接头1与高速电路板5上的高通滤波器2的输入端电极21固定在一起;其中步骤2所说的高通滤波器2的输入端电极21、输出端电极22一端采用过渡线3结构,以便使同轴射频转接头1、电光调制器4与高通滤波器2阻抗匹配,减少微波反射损耗;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910085877.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top