[发明专利]提高电光调制器调制带宽的可集成化方法无效

专利信息
申请号: 200910085877.4 申请日: 2009-06-03
公开(公告)号: CN101909403A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 徐海华;徐学俊;俞育德;余金中 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;G02F1/01;G02F1/21;H04J14/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 提高 电光 调制器 调制 带宽 集成化 方法
【权利要求书】:

1.一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,该方法包括如下制作步骤:

步骤1:在高速电路板上制作高通滤波器,高通滤波器输入端电极与高速电路板边缘靠齐;

步骤2:将同轴射频转接头与高速电路板上的高通滤波器的输入端电极焊接在一起;

步骤3:在靠近高通滤波器的输出电极的端部、在高速电路板上涂敷粘结剂,将电光调制器芯片固定在高速电路板上;

步骤4:利用互连金丝将电光调制器的输入端电极与高通滤波器的输出端电极互连在一起,完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,其中步骤1所说的高速电路板为环氧树脂玻璃布层压板,高通滤波器为微带线型或共面型,其结构采用交叉指形。

3.根据权利要求1所述的提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,其中步骤2所说的高通滤波器的输入端电极、输出端电极一端采用过渡线结构,以便使同轴射频转接头、电光调制器与高通滤波器阻抗匹配,减少微波反射损耗。

4.根据权利要求1所述的提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,其中步骤3中的电光调制器是制作在绝缘衬底上的硅基片上,电光调制器的光学结构为马赫-曾德干涉型结构,电学结构为正向p型-本征型-n型结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910085877.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top