[发明专利]一种溅镀方法及溅镀设备

权利要求书

1.一种溅镀方法，包括以下步骤：

取来待溅镀的盘片并将其抽真空至预真空后，将所述盘片旋转传输到第一溅镀腔；

通过所述第一溅镀腔进行溅镀，在达到预定设置的膜厚A时停止溅镀，并将已溅镀的盘片旋转传输到第二溅镀腔；以及

由所述第二溅镀腔将所述已溅镀的膜厚继续溅镀到膜厚B，所述膜厚B为预定设置的要溅镀的总膜厚，膜厚B≥膜厚A，且均为常数。

2.如权利要求1所述溅镀方法，其中，所述膜厚B是膜厚A的两倍。

3.如权利要求1所述溅镀方法，其中，从所述第一溅镀腔将所述盘片旋转传输到所述第二溅镀腔的操作，还包括：

将所述已溅镀的盘片经旋转传输到腔内闲置托盘位进行中转，再由所述腔内闲置托盘位传输到所述第二溅镀腔。

4.如权利要求3所述溅镀方法，其中，将所述腔内盘片闲置位设置在所述第一溅镀腔和所述第二溅镀腔之间的中间位置。

5.如权利要求1所述溅镀方法，其中，由所述第二溅镀腔进行溅镀的操作包括：

通过改变所述第二溅镀腔所包括的第二阴极磁体径向位置及其高度来调节靶材表面磁场水平分量的分布，并对靶材内圈和外圈进行刻蚀。

6.一种溅镀设备，包括：

载锁腔，用于取来待溅镀的盘片并将其抽真空至预真空后传送给腔内手臂，并从所述腔内手臂获取已溅镀完的盘片；

腔内手臂，用于将所述盘片从所述载锁腔旋转传输到第一溅镀腔，将所述第一溅镀腔已溅镀的盘片旋转传输到第二溅镀腔，以及将所述第二溅镀腔溅镀后的盘片旋转传输到所述载锁腔；

第一溅镀腔，用于在其所包括的第一阴极产生的磁场作用下为盘片溅镀膜层，在达到预定设置的膜厚A时停止溅镀，所述膜厚A为常数；以及

第二溅镀腔，包括：

第二阴极，用于产生磁场；

溅镀单元，根据所述磁场进行盘片溅镀；

检测单元，检测第一溅镀腔已溅镀的膜厚以及所述溅镀单元已溅镀的膜厚并通知控制单元；

控制单元，根据预定设置的要溅镀的总膜厚B以及所述第一溅镀腔已溅镀的膜厚控制所述溅镀单元的溅镀过程，即当所述溅镀单元溅镀的膜厚为膜厚B减去所述第一溅镀腔已溅镀膜厚时，通知所述溅镀单元停止溅镀，膜厚B≥膜厚A，且所述膜厚B为常数。

7.如权利要求6所述溅镀设备，其中，所述膜厚B是膜厚A的两倍。

8.如权利要求6所述溅镀设备，还包括：

腔内盘片闲置位，设置在所述第一溅镀腔和所述第二溅镀腔之间，用于将所述第一溅镀腔已溅镀的盘片中转到所述第二溅镀腔。

9.如权利要求8所述溅镀设备，其中，所述腔内盘片闲置位设置在所述第一溅镀腔和所述第二溅镀腔之间的中间位置。

10.如权利要求6所述溅镀设备，还包括：

第一阴极开启装置，用于将所述第一阴极垂直升高一定高度后打开；和/或

第二阴极开启装置，用于将所述第二阴极垂直升高一定高度后打开。

11.如权利要求6所述溅镀设备，还包括：倒立安装的分子泵，所述分子泵用于为所述第一溅镀腔和/或所述第二溅镀腔产生高真空。

12.如权利要求6所述溅镀设备，其中：

所述控制单元改变所述第二阴极磁体径向位置及其高度来调节靶材表面磁场水平分量的分布；以及

所述溅镀单元根据所述磁场将靶材内圈和外圈进行刻蚀溅镀。