[发明专利]一种电子级二氧化硅的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810079802.0 申请日: 2008-11-12
公开(公告)号: CN101475181A 公开(公告)日: 2009-07-08
发明(设计)人: 张原僖;周日升;庚廷瑞;赵建卿;梁建强;王洁 申请(专利权)人: 山西天一纳米材料科技有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 山西太原科卫专利事务所 代理人: 温彪飞;赵晓云
地址: 030600山西*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子 二氧化硅 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高纯度电子级二氧化硅的生产方法,具体为一种采用凝胶溶胶法制备电子级二氧化硅的方法。

背景技术

二氧化硅粉料是制造电子元件的重要原材料,制作电子元件对二氧化硅粉料的化学纯度和物理规格均有特殊要求,国外一般采用气相法工艺生产,但采用此种工艺的生产设备庞大,工艺复杂、生产成本较高。

发明内容

本发明的目的是提供一种电子级二氧化硅的制备方法。

本发明的一种电子级二氧化硅的制备方法,其特征在于包括如下工艺步骤:

①将含铁量小于或等于5PPM、重量百分浓度为8-15%的水玻璃液体置于反应釜内,常温、常压及搅拌条件下,以1-6立方/小时的流速向反应釜内加入浓度为25-35%的稀硫酸至釜内液体pH值=1,得反应物为硫酸钠Na2SO4及硅酸H4SiO4胶体与水的混合物;

②将釜内反应物移入真空抽滤筒用纯水进行洗涤除去硫酸钠,得到硅酸胶体与水的混合物;

③将洗涤后的硅酸胶体与水的混合物进行离心脱水,使其中硅酸胶体含量达到35%以上;

④将离心脱水后的硅酸胶体用微波干燥使硅酸脱去分子水及外部水份,至含游离水小于5%,得高纯二氧化硅粉体;

所述的一种电子级二氧化硅的制备方法,其中步骤②中所得产物硅酸胶体与水的混合物的电导率为35-40μs/cm;所述的洗涤用纯水的电导率为25-40μs/cm。

本发明的一种电子级二氧化硅的制备方法,工艺简单,所得产品纯度高,粒径小,可制作轻质纳米孔材料,具有密度低、比表面积高、孔洞率高等特点,适合用作电子产品,特别是制作各种电子元器件的材料。在电子工业等行业具有广泛的应用前景。

具体实施方式

本发明的一种电子级二氧化硅的制备方法,首先用水玻璃原料与稀硫酸反应得到反应物为硫酸钠Na2SO4水溶液及硅酸H4SiO4胶体的混合物,

反应式为:

其中水玻璃原料采用本厂生产的含铁量小于或等于5PPM、重量百分浓度为8-15%的水玻璃液体,将上述水玻璃液体置于反应釜内,在常温、常压及搅拌条件下,将浓度为25-35%的工业稀硫酸以3立方/小时的流速加入反应釜内,其加入量为釜内液体pH值=1为止,此时反应基本完成,然后保持pH值=1的状态下继续搅拌约一小时左右,使反应进行充分。

将釜内反应物移入真空抽滤筒用电导率为25-40μs/cm纯水进行洗涤,除去硫酸钠,得到硅酸胶体与水的混合物,检测电导率低于40μs/cm,证明其中的硫酸钠基本洗涤干净。

将洗涤后的硅酸胶体与水的混合物进行离心脱水,使其中硅酸胶体含量达到35%以上;然后用微波进行干燥脱水,本次微波干燥脱水既要脱去外部游离水,更重要的是脱去硅酸中的分子水,反应式为:

脱水后即得到纯净度较高的二氧化硅粉体,其含水率小于或等于5%(游离水)。

实施例1

含铁量5PPM,浓度10%的水玻璃5M3,加入反应釜内。搅拌条件下以3立方/小时的速度往反应釜内缓慢加入浓度为35%的稀硫酸,在加入硫酸过程中连续测试釜内反应物的pH值,直至釜内反应物pH值=1的时候,停止加硫酸。继续搅拌约一个小时,继续监测并保持釜内pH值=1。此时,釜内反应物为硫酸钠Na2SO4水溶液与硅酸H4SiO4。其中的硅酸为胶体状。用电导率为25μs/cm的纯净水洗涤上述反应物,除去其中的硫酸钠,检测电导率小于40μs/cm为合格。洗涤后得到硅酸胶体与水的混合物,用离心方法除去大部分水份,使固含量达到35%以上。然后用微波干燥约1小时,脱去硅酸分子中的分子水及外部水,得到2(吨)纯净的二氧化硅粉体。其含水率小于或等于5%。主要技术指标如下:

外观:白色粉末             白度:≥90%

PH值:                     7-8SiO2含量:≥99%

平均粒径:10-40μm          加热减量:≤6%

吸油值:80-150g/100g

实施例2

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