[发明专利]刻蚀闪存中介电存储层的方法有效
| 申请号： | 200810040226.9 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101621033A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李雪;许宗能;杨海玩;吴佳特 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 闪存 中介 存储 方法 | ||
1.一种刻蚀闪存中介电存储层的方法，提供半导体衬底以及依次位于半导体衬底上的栅介质层、第一半导体层，位于栅介质层、第一半导体层以及半导体衬底内的浅沟槽，布置于第一半导体层与浅沟槽的远离半导体衬底表面的连续的介电存储层、第二半导体层，以及具有开口结构的硬掩模层，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
以硬掩模层作为阻挡层，刻蚀第二半导体层，至露出介电存储层；
利用湿法腐蚀方法对硬掩膜层进行腐蚀，在不影响第二半导体层的情况下将硬掩膜层全部除去，而介电存储层在此步骤中不会被完全除去；
采用干法刻蚀去除介电存储层。
2.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的方法采用含有HF的液体作为腐蚀液。
3.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的方法采用含有CF4的气体作为刻蚀气体。
4.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述半导体衬底为单晶硅衬底。
5.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述栅介质层和硬掩模层的材料为氧化硅。
6.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述介电存储层中包括氧化硅-氮化硅-氧化硅三层复合结构。
7.根据权利要求1所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层的材料为多晶硅。
8.根据权利要求7所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述刻蚀第二半导体层采用干法刻蚀的方法。
9.根据权利要求8所述之刻蚀闪存中介电存储层的方法，其特征在于，所述刻蚀第二半导体层的干法刻蚀方法，刻蚀气体的成分中至少含有Cl2和HBr中的一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
