[发明专利]记忆卡的结构与其方法

权利要求书

1.一种记忆卡结构，其特征在于：所述记忆卡结构包含：

一基底具有一晶粒容纳凹槽位于该基底之上表面、一通孔结构及一形成于该基底之布线；

一第一晶粒配置于该晶粒容纳凹槽之内；

一第一介电层形成于该第一晶粒与该基底之上；

一第一重布层形成于该第一介电层之上，其中该第一重布层系耦合至该第一晶粒与该布线；

一第二介电层形成于该第一重布层；

一第二晶粒配置于该第二介电层；

一第三介电层形成于该第二介电层与该第二晶粒之上；

一第二重布层形成于该第三介电层之上，其中该第二重布层系耦合至该第二晶粒与该第一重布层；

一第四介电层形成于该第二重布层之上；

一第三晶粒形成于该第四介电层之上并耦合至该第二重布层；

一第五介电层形成于该第三晶粒之周围；及

一塑胶盖罩住该第一、第二及第三晶粒。

2.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：更包含形成于该第四介电层之被动组件。

3.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第三晶粒系由覆晶配置法所形成。

4.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第三晶粒系附属于该第四介电层之上，而一第三重布层系形成于该第五介电层之上并耦合至该第二重布层。

5.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第一、第二、第三、第四及第五介电层中有一层包含一弹性介电层。

6.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第一、第二、第三、第四及第五介电层中有一层包含一以硅介电为主的材质、苯环丁烯(BCB)或聚酰亚胺(PI)。

7.根据权利要求6所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该以硅介电为主的材质包含硅氧烷聚合物(SINR)、硅氧化物、硅氮化物或其合成物。

8.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第一、第二、第三、第四及第五介电层中有一层包含一感光层。

9.根据权利要求1所述的记忆卡结构，其特征在于：其中该第一及第二晶粒扩散出该第一及第二重布层。

10.一种形成半导体装置封装之方法，包含：

提供一基底具有一晶粒容纳凹槽位于该基底之上表面及一通孔结构，其中一传导布线形成于该基底之上或之中；

提供一第一晶粒配置于该晶粒容纳凹槽之内；

形成一第一介电层于该第一晶粒与该基底之上；

形成一第一重布层于该第一介电层之上，其中该第一重布层系耦合至该第一晶粒与该布线；

形成一第二介电层于该第一重布层；

形成一第二晶粒配置于该第二介电层；

形成一第三介电层于该第二介电层与该第二晶粒之上；

形成一第二重布层于该第三介电层之上，其中该第二重布层系耦合至该第二晶粒与该第一重布层；

形成一第四介电层于该第二重布层之上；

提供一第三晶粒于该第四介电层之上并耦合至该第二重布层；

形成一第五介电层于该第三晶粒之周围；及

提供一塑胶盖罩住该第一、第二及第三晶粒。