[发明专利]减小存储单元写入扰乱的方法

权利要求书

1.一种减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，包括下列步骤，

(1)寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；

(2)挑选初始写入条件中的一个参数作为写入扰乱测试的变量；

(3)至少针对该变量的两个变量值，对存储单元进行写入扰乱测试；

(4)根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；

(5)应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。

2.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件的步骤包括，

(11)测量存储单元中晶体管的阈值电压初始值；

(12)保持存储单元中晶体管的源极和基极接地，对存储单元中晶体管的栅极施加电压值为10V的电压，设定漏极电压对存储单元进行写入操作；

(13)再次测量存储单元中晶体管的阈值电压；

(14)判断存储单元中晶体管的阈值电压差值是否大于对应于存储单元中晶体管规格的标称值；

(15)如阈值电压差值小于标称值，则设定的漏极电压值不能够使存储单元正常写入，对存储单元进行擦除操作，使存储单元中晶体管的阈值电压降到初始值，返回步骤(12)；

(16)如阈值电压差值达到标称值，则设定的漏极电压值能够使存储单元正常写入，对存储单元进行擦除操作，使存储单元中晶体管的阈值电压降到初始值；

(17)记录使存储单元能够正常写入的漏极电压至少2个以及源极、基极和栅极的电压，作为初始写入条件。

3.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述标称值是2.5V。

4.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的使存储单元能够正常写入时的漏极电压是3.6V、3.8V、4.0V、4.2V和4.4V。

5.如权利要求2所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的初始写入条件是存储单元中晶体管的源极和基极接地，栅极施加10V的电压，漏极施加3.6V、3.8V、4.0V、4.2V和4.4V的电压。

6.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的写入扰乱测试包括以下步骤，

(31)取所述变量的一个值，保持初始写入条件中的其他参数的值不变，对存储单元进行写入操作；

(32)测量并记录写入扰乱；

(33)判断是否还有未取的变量值；

若还有未取的变量值，则返回步骤(31)；

若没有未取的变量值，则写入扰乱测试完成。

7.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，所述的最小扰乱写入条件是分别使得存储单元写入扰乱最小的各个写入条件参数的对应值的集合。

8.如权利要求1所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，挑选初始写入条件中的参数源极电压或基极电压作为变量。

9.如权利要求8所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，设定所述的源极电压的值是断开、1V、1.5V和2V四个值。

10.如权利要求8所述的减小存储单元写入扰乱的方法，其特征在于，设定所述的基极电压的值是-1V、0V和1V三个值。