[发明专利]硅片外延线性缺陷的测定方法

权利要求书

1.一种硅片外延线性缺陷的测定方法，用以测定硅片与缺角水平或垂直处所产生的线性缺陷，其特征是，包括如下步骤：

步骤一，在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；

步骤二，在外延生长完成后，测量外延膜厚；

步骤三，测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；

步骤四，根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；

步骤五，根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。

2.根据权利要求1所述硅片外延线性缺陷的测定方法，其特征是，按照下述公式进行所述步骤四中的应力计算：

σ＝E/(1-v)(h2/6t)(1/R2-1/R1)

其中，σ是外延应力；

E/(1-v)是硅片衬底的双轴弹性模数；

h是衬底的厚度；

t外延薄膜的厚度；

R1是外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；

R2是外延薄膜成膜后衬底的曲率半径。

3.根据权利要求1所述硅片外延线性缺陷的测定方法，其特征是，所述步骤五中判定是否存在线性缺陷的判据为：如果硅片外延部分的应力在某一点变化幅度超过50MPa，则判定该点存在线性缺陷。