[实用新型]晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置

权利要求书

1.一种晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：至少包含：

晶片核心导电凸块阵列；

第一圈导电凸块圈，包围该晶片核心导电凸块阵列，该第一圈导电凸块圈内多数的导电凸块，分别用以连接至电源环(power ring)或接地环(ground ring)；

第二圈导电凸块圈，包围该第一圈导电凸块圈，该第二圈导电凸块圈内多数的导电凸块连接至信号输出入端。

2.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：更包含一圈或一圈以上的导电凸块圈，包围该第一圈导电凸块圈，连接至信号输出入端，且该第二圈导电凸块圈及其外围的导电凸块圈的每一导电凸块彼此呈左右交错排列。

3.如权利要求2所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的导电凸块呈左右交错排列用以降低高频信号的电感抗。

4.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：更包含一圈或一圈以上的导电凸块圈形成于上述第一圈导电凸块圈与上述第二圈导电凸块圈之间，用以连接至电源环或接地环。

5.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的晶片核心导电凸块阵列用以连接各种核心电压。

6.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的第一圈导电凸块圈、第二圈导电凸块圈藉由护层下方的一再分布导体层将上述的导电凸块分别连接至电源环或接地环或信号端。

7.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的第一圈导电凸块圈、第二圈导电凸块圈下方的半导体用以配置电容、静电放电防护元件、电感元件及其组合所组成的群组其中的一种。

8.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的覆晶晶片的信号输出入端以配置于该第二圈导电凸块圈为第一优先，该第一圈导电凸块圈为次优先。

9.如权利要求1所述的晶片上减少阻抗的覆晶焊垫配置，其特征是：上述的覆晶晶片的再分布导体层形成于护层下方，最上层导体层上方，并依据该晶片的最上层导体层输出入缓冲区及接地、电源汇流排而定义该再分布导体层以减少信号输出端与该第二圈导电凸块圈的导电凸块电导线(conductive trace)长度。