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[发明专利]用于全双工通信的DMRS-CN201980099673.8在审
发明人：黄敏;魏超;徐皓 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04W72/04 文献下载
摘要：BS可以向无线通信设备发送全双工时频资源中的用于零功率DMRS(ZP‑DMRS)的时频映射的指示。用于ZP‑DMRS的时频映射和全双工时频资源中的用于DMRS传输的时频映射是相同的时频映射。
用于双工通信 dmrs

[发明专利]ZIP7作为靶点在制备治疗肝细胞癌的药物或制剂中的应用-CN202310514072.7在审
发明人：佟庆;晏冬;官郅杰 -专利权人：新疆医科大学第三附属医院
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：本发明提供了NVS‑ZP7‑4能够明显抑制肝细胞肝癌细胞增殖、DNA合成、侵袭和迁移能力，抑制肝细胞癌病灶生长。因此，本发明证实了NVS‑ZP7‑4在治疗肝细胞癌中发挥的重要作用。
zip7 作为制备治疗肝细胞药物制剂中的应用

[发明专利]一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法-CN201310259801.5有效
发明人：李前军;沈建元;王晓祥;陆明兵;徐升宝;蒲成刚;蔡春桥;张恩明;屠德义 -专利权人：天长市中德电子有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C04B35/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZP45高Bs软磁铁氧体材料及其生产方法，该材料配方组成与组成含量为：氧化铁：53.5～54.5mol%；氧化锰：37.5～38.9mol%；氧化锌：7.7～9.3mol%；氧化硅：50本发明的ZP45高Bs软磁铁氧体材料，初始导磁率为100左右，Bs在100℃时为410mT，都能满足顾客要求。
一种 zp45 bs 磁铁材料及其生产方法

[发明专利]一种多肽——ZP1受体蛋白－37.95和编码这种多肽的多核苷酸-CN01105901.X无效
发明人：毛裕民;谢毅 -专利权人：上海博德基因开发有限公司
申请日： 2001-04-10 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： C07K14/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种多肽——ZP1受体蛋白－37.95,编码此多肽的多核苷酸和经DNA重组技术产生这种多肽的方法。本发明还公开了编码这种新的ZP1受体蛋白－37.95的多核苷酸的用途。
一种多肽 zp1 受体蛋白 37.95 编码这种多核苷酸

[实用新型]深放电零功耗太阳能光伏控制器-CN201020104568.5无效
发明人：董国华 -专利权人：李培芳
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种深放电零功耗太阳能光伏控制器，包括场效应管在内的太阳能充电回路、蓄电池电压检测电路、太阳能电池电压检测电路、单片机U1、稳压电源电路、包含场效应管U6、三极管Q7和稳压二极管ZP3在内的开关电路，其特征是稳压电源电路的电压由包含场效应管U6、三极管Q7和稳压二极管ZP3在内的开关电路控制，其中场效应管U6漏极连接到稳压电路VR1输入端A，栅极经电阻R11连接到三极管Q7集电极，源极与稳压二极管ZP3负极相连后再连接到蓄电池BAT正极，三极管Q7发射极连接到开关K，基极经电阻R15连接到稳压二极管ZP3的正极。
放电功耗太阳能控制器

[发明专利]由LED光围绕OLED光的照明装置-CN201780071019.7在审
发明人：娜塔莉·拉瑞博;维克·M·冈卡尔维斯;克利斯朵夫·勒达尔 -专利权人：标致雪铁龙汽车股份有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：传递第一光子，该发光二极管传递第二光子，该保护层包括入射表面(FE2)，其紧固地连接到发射表面(FE1)，该保护层对于第一光子和第二光子而言是透明的，以允许该第一光子通过出射表面(FS2)的初级区域(ZP1‑ZP3)出射，并且该保护层适于通过内部反射引导第二光子，直到该第二光子到达该保护层的入射表面(FE2)的至少一个二级区域(ZS1‑ZS4)，该二级区域部分围绕发射表面(FE1)并使该二级区域接收的被引导的第二光子的轨迹朝向该保护层的出射表面(FS2)的三级区域(ZT1‑ZT4)偏转，该三级区域部分围绕初级区域(ZP1‑ZP3)。
光子保护层二级区域发射表面有机发光二极管发光二极管出射表面入射表面照明装置偏转内部反射地连接透明的引导的传递出射紧固

[发明专利]基于非零功率干扰管理资源(NZP-IMR)的信道状态信息(CSI)报告的配置-CN201880074923.8在审
发明人：郝辰曦;张煜;魏超;陈万士 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H04W24/10 文献下载
摘要：本公开内容的某些方面涉及用于配置UE用于基于ZP和NZP IMR的CSI报告的方法和装置。
基于功率干扰管理资源 nzp imr 信道状态信息 csi 报告配置

[发明专利]磁热材料-CN201180005788.X有效
发明人： B·里辛克;E·布吕克;H·D·源;L·张 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：描述了通式(MnxFe1-x)2+zP1-ySiy的磁热材料，其中0.55≤x<1，0.4≤y≤0.8，-0.1≤z≤0.1。
材料

[发明专利]传感器待测位置定位方法及装置-CN201610035656.6在审
发明人：唐志国;陶亦然;叶会生;谢耀恒;李欣;段肖力 -专利权人：华北电力大学;国网湖南省电力公司电力科学研究院;北京华电智成电气设备有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01S5/10 文献下载
摘要：Sx、Sy、Sz与传感器待测位置Sp之间传输的时间间隔，和，电磁波在空气中的传播速度，首先建立xyz坐标系并且分别确定坐标取值范围，测量得出|ox|、|oy|、|oz|、|op|、|xp|、|yp|、|zp其中，|ox|为So与Sx之间的距离，|oy|为So与Sy之间的距离，|oz|为So与Sz之间的距离，|op|为So与Sp之间的距离、|xp|为Sx与Sp之间的距离、|yp|为Sy与Sp之间的距离、|zp|为Sz与Sp之间的距离，再根据|op|、|xp|、|yp|、|zp|，分别得到Sp的坐标值x、y、z，再根据传感器待测位置Sp的坐标值x、y、z，确定传感器待测位置Sp在空间的坐标(x，y，z)。
传感器测位定位方法装置

[发明专利]一种河流污水处理剂的制备方法-CN201710522108.0在审
发明人：章启彬 -专利权人：南京奥伯尔环保设备有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C02F3/34 文献下载
摘要：本发明公开一种河流污水处理剂的制备方法，包括以下步骤巨大芽孢杆菌ZP‑1的固定化；白僵菌Bb98的固定化；将介孔纳米Y‑硫酸铝、纳米沸石、活性氧化铝、椰壳活性炭、棉籽壳和上述固定化巨大芽孢杆菌ZP‑1和固定化白僵菌本发明固定化巨大芽孢杆菌ZP‑1和固定化白僵菌Bb98具备有效的去除吸附污水中的重金属、有效吸附氮磷钾等元素，介孔纳米Y‑硫酸铝、纳米沸石、活性氧化铝、椰壳活性炭可以有效沉淀水中的杂质等有害物质，该处理剂对环境不会造成二次污染
一种河流污水处理制备方法

[发明专利]ZP89型移频信号中心频率检测方法、设备及存储介质-CN202211533828.4在审
发明人：蔡云骐;雍鸿程;张锐;倪伟;邓兴高 -专利权人：绵阳市维博电子有限责任公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了ZP89型移频信号中心频率检测方法、设备及存储介质，方法包括步骤：通过欠采样法对ZP89型移频信号进行采样；对采样数据进行FFT分析；在步骤二所得的频谱上找到左右主峰及其对应的左右次峰，共六个峰根据左主峰或右主峰的左右次峰幅值的比值的大小，选取最大的二个峰值或四个峰值完成t点的能量重心校正，得到校正后的峰值；根据步骤三所得的校正后的峰值计算欠采样中心频率；对步骤四的计算结果进行频谱还原，得到ZP89
zp89 型移频信号中心频率检测方法设备存储介质

[发明专利]用于蚀刻光刻掩模的方法与设备-CN202180057024.9在审
发明人： F·涂;H·施奈德;M·鲍尔;P·斯皮斯;M·鲁姆勒;C·F·赫尔曼斯 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/74 文献下载
摘要：特别是用于非透射式EUV光刻掩模的粒子束诱导蚀刻的方法具有以下步骤：a)在工艺气体环境(ATM)中提供(S1)光刻掩模(100)，b)将聚焦粒子束(110)发射(S2)到光刻掩模(100)上的目标位置(ZP)上，c)供应(S3)至少一个第一气体成分(GK1)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP)，其中第一气体成分(GK1)可通过活化转化为反应形式，其中反应形式与光刻掩模(100)的材料反应以形成挥发性化合物，以及d)供应(S4)至少一个第二气体成分(GK2)至工艺气体环境(ATM)中的目标位置(ZP)，其中在预定工艺条件下暴露于粒子束(100)的第二气体成分(GK2)形成沉积物，其包含硅与氧、氮和/或碳的化合物
用于蚀刻光刻方法设备

[发明专利]用于处理容器的设备和用于包装灌装后的容器的方法-CN201780039885.8有效
发明人： H·斯宾德勒;M·鲍尔 -专利权人：克朗斯股份公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： B65B57/12 文献下载
摘要：在一种用于处理容器(B)的设备(A)中具有：至少一个灌装站(F)和至少一个包装站(P)，至少一个包装站(P)利用形成包装的作用于包装材料的工具部件处理膜或坯料形式的包装材料(FP、ZP)；至少一个测量装置其用于确定灌装后的容器(B)的尺寸偏差；以及控制器(CU)，其用于根据所确定的尺寸偏差来自动调节至少一个设备站，经由控制器(CU)在包装站(P)中自动调节在包装灌装后的容器(B)期间作用于包装材料(FP、ZP在用于包装灌装后的容器的方法中，根据测得的尺寸偏差自动调节包装站的作用于包装材料(FP、ZP)的工作部件，以便形成尺寸不同且具有至少实质上相同包装密度的包装。
用于处理容器设备包装灌装方法

[实用新型]一种基于CMOS工艺的TVS器件-CN201520847782.2有效
发明人：高秀秀;陈利;张军亮;姜帆;高耿辉 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开基于CMOS工艺的TVS器件，包括衬底，衬底上设有N阱区，N阱区上设有N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区，N1+有源注入区、P1+有源注入区、N2+有源注入区、ZP有源注入区依次从左到右排列，ZP有源注入区上设有N3+有源注入区、P23+有源注入区，P1+有源注入区连接N2+有源注入区，P1+有源注入区和N2+有源注入区都连接至输入或输出I/O端，N1+有源注入区连接
一种基于 cmos 工艺 tvs 器件

[发明专利]磁热材料-CN201180013368.6有效
发明人： E·布吕克;Z·欧;L·张;C·洛纳 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：描述了一种通式(MnxFe1-x)2+zP1–ySiy的磁热材料，其中0.20≤x≤0.40；0.4≤y≤0.8；-0.1≤z≤0.1。
材料