专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN201010557063.9有效
  • 金冈卓;米谷统多 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-11-12 - 2011-06-15 - H01L21/60
  • 当在保证如无光泽性质和形状平坦度的通常需要的性质的同时通过电解电镀大规模生产相对硬的Au凸块电极时,将自行选择如低液体温度、高电流密度和作为辅助剂的添加Tl(铊)的低浓度的条件的组合。然而在这样的条件下,问题在于难以维持电镀溶液中的Tl浓度并且当Tl浓度减少时因异常沉积而生成Au凸块电极的缺陷外观。常规上仍没有直接监测微小Tl浓度的手段且已经通过定期分析电镀溶液控制Tl浓度。本申请的发明涉及在根据半导体集成电路器件的制造方法使用基于非氰的电镀溶液通过电解Au电镀来形成凸块电极时通过监测向电镀溶液施加的电压来检测电镀溶液中的Tl的添加数量。
  • 半导体集成电路器件制造方法
  • [发明专利]脆性衬底的分断方法-CN201680055906.0有效
  • 曾山浩 - 三星钻石工业股份有限公司
  • 2016-09-06 - 2020-06-09 - B28D5/00
  • (PP)延伸且具有凸形状的侧部(PS)的刀尖(51)在脆性衬底(4)的一面(SF1)上,沿着从突起部(PP)朝向侧部(PS)的方向滑动,而使一面(SF1)上产生塑性变形,由此形成具有沟槽形状的沟槽线(TL通过使脆性衬底(4)的龟裂沿着沟槽线(TL)的至少一部分伸展而形成龟裂线(CL)。沿着龟裂线(CL)将脆性衬底(4)分断。沟槽线(TL)的形成步骤是以如下方式进行:在龟裂线(CL)的形成步骤中,龟裂线(CL)沿着沟槽线(TL)伸展的方向与形成有沟槽线(TL)的方向相同。
  • 脆性衬底方法
  • [发明专利]一种网络抄表装置-CN201310417635.7无效
  • 郭琳;徐月姣;兰晓玉 - 郭琳
  • 2013-09-14 - 2015-03-25 - G08C17/02
  • 本发明包括单片机、串并转换部分、锁存器、GPRS模块、RAM6264芯片、TL16C750芯片、MAX232芯片,其结构要点单片机分别与串并转换部分、锁存器、RAM6264芯片、TL16C750芯片相连,串并转换部分与GPRS模块相连,锁存器分别与TL16C750芯片、RAM6264芯片和TL16C750芯片相连,TL16C750芯片分别与RAM6264芯片和MAX232芯片相连。
  • 一种网络装置

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