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[发明专利]一种锌基合金及其制造方法-CN96118021.8无效
发明人：谷胜友;黄旌理;伏东才;何英凤;付林林 -专利权人：株洲冶炼厂
申请日： 1996-01-25 - 公布日： 1997-07-30 - 主分类号： C22C18/04 文献下载
摘要：一种镀锌合金，由Zn+Al+Sb组成，其中含有0.30-0.45％(重量)的Al，0.04-0.12％(重量)的Sb，余量为Zn。在450-700℃温度下，制备含4-20％(重量)Al，96-80％(重量)Zn的Zn-Al中间合金，在550-650℃温度下，制备含2-11％(重量)Sb，98-89％(重量)Zn的Zn-Sb中间合金，然后将熔化的锌液与Zn-Al和Zn-Sb合金(或Sb)进行合金化作业，从而制备一种低毒或无毒的热镀锌合金，避免了铅对人体的危害和对环境的污染。
一种合金及其制造方法

[发明专利]一种Pr掺杂Sn-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法-CN201810149260.3在审
发明人：姚梦颖;吴卫华;朱小芹;眭永兴;胡益丰;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种Pr掺杂Sn‑Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成符合化学通式Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x，其中本发明的Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜主要应用于相变存储器，与传统Ge₂Sb₂Te₅、N‑Ge₂Sb₂Te₅及未掺杂Sn_ySb_{100‑y，有助于降低PCM的SET和RESET操作功耗；再次，Pr_x(Sn_ySb_100‑y)_1‑x纳米相变薄膜属于富Sb相变材料，其相变机制为生长占优型，继承着母体相变材料Sn‑Sb快相变速度的优点。}
相变薄膜纳米相变薄膜材料相变薄膜材料相变材料掺杂数据保持力相变存储器操作功耗化学通式化学组成晶态电阻热稳定性非晶态激活能未掺杂晶化制备母体生长继承应用

[发明专利]一种稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO₂电极的制备方法-CN201610710298.4在审
发明人：杨梅 -专利权人：杨梅
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO₂电极及其制备方法。所述稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO₂电极包括钛基片、在钛基片表面涂覆涂液后氧化形成的Ti/Sb‑SnO₂层以及在Ti/Sb‑SnO₂层表面反复涂覆Ce活性层形成Ce掺杂的Ti/Sb‑SnO₂电极，其制备方法包括Ti电极的制备、Ti/Sb‑SnO₂电极的制备、Ce掺杂Ti/Sb‑SnO₂
一种稀土 ce 掺杂 ti sb sno sub 电极制备方法

[发明专利]一种去除三价Sb的电化学方法-CN201910610852.5在审
发明人：杨利明;易根平;刘鹏;罗旭彪;罗胜联;刘廷玺 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：一种去除三价Sb的电化学方法，涉及一种去除三价Sb的方法。本发明是要解决现有的去除水中三价Sb污染物的方法耗时长，效率低的技术问题。本发明：一、在电化学工作站中，设置Pt电极为对电极，碳布为工作电极，Ag/AgCl电极为参比电极；二、将含有三价Sb的待处理水通入电化学工作站的电解池中，电化学处理即完成对三价Sb的去除。本发明通过简单处理碳布，在外加电压的情况下，实现了三价Sb的快速、高效去除，这对水体污染物三价Sb的去除以及回收有重要的意义。
三价去除电化学工作站电化学碳布电化学处理水体污染物参比电极待处理水工作电极外加电压电解池对电极水中耗时污染物回收

[发明专利]用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法-CN201410522199.4有效
发明人：纪兴龙;吴良才;朱敏;饶峰;宋志棠;曹良良;孟云;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100‑x‑ySbxTey，其中，0.5本发明的V‑Sb‑Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb‑Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb‑Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb‑Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
用于相变存储器 sb te 材料体系及其制备方法

[发明专利]一种选择性定量采集环境体系中锑的方法-CN201110253914.5有效
发明人：范洪涛;孙挺 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G01N1/02 文献下载
摘要：一种选择性定量采集环境体系中锑的方法，涉及环境监测领域，包括：a.能够对Sb(Ⅲ)有特异选择性结合物质的制备：各硅烷之间相互作用或与硅胶作用，然后再与Sb(Ⅲ)作用，使其反应完全，再加入交联剂使其聚合，再用NaHCO₃溶液洗涤至pH=7；b.能够使Sb(Ⅲ)渗透而功能物质不渗透的半透膜或水凝胶；c.对Sb(Ⅲ)有特异选择性的结合的物质与被测环境体系被半透膜或水凝胶分开；d.选择性定量采集环境体系中锑在环境体系中可放置本发明可以准确的监测Sb(Ⅲ)污染或含有Sb(Ⅲ)的水系中Sb(Ⅲ)含量，同时可以降低采样次数，大量减少工作量，节约人力物力。
一种选择性定量采集环境体系方法

[发明专利]组件式结构带有通信模块的ATM-通信系统-CN95192871.6无效
发明人： H·莱什;K·基尔希-堡格;W·施特克尔;H·朗姆巴哈 -专利权人：西门子公司
申请日： 1995-03-13 - 公布日： 1997-04-09 - 主分类号： H04Q11/04 文献下载
摘要：连接ATM通信发射机(KE)的ATM通信系统(KS)由中继设备(SB)及控制设备(CB)构成。中继设备(SB)的多任务操作系统(OSS)中有传送程序模块(TSP)及安全、操作和中继技术子程序结构(DEP-SB，CP-SB，AM-SB)及信息分配程序模块(MD)。通过软件可以进一步使过程程序结构独立于中继设备(SB)中与通信连接有关的程序结构，并可明显减少控制设备(CB)的中央控制结构外围设备，并且通过程序明显减少控制和中继设备(CB，SB)中的信息流。
组件结构带有通信模块 atm 系统

[实用新型]多用电设备的节能组合开关电路-CN201720799615.4有效
发明人：杜瑞卿;杜彦辉;顾妍;高宛莉;王小立 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了多用电设备的节能组合开关电路，由于主要包括横排控制开关SB‑AN、纵列控制开关SB‑BN，所述横排控制开关SB‑AN和纵列控制开关SB‑BN均为多个；设置在N条支路上的用电设备与设置在该N条支路中的每条支路上的一个横排控制开关SB‑AN串联，组成N条串联支路，组成的每条串联支路均与电源正极连接；每一个纵列控制开关SB‑BN的一端与电源负极连接，每一个纵列控制开关SB‑BN的另一端分别与所述每条串联支路连接
多用设备节能组合开关电路

[发明专利]Ge-Sb-Te 膜的成膜方法和存储介质-CN201180046575.1有效
发明人：河野有美子;有马进 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法，在处理容器内配置基板，将气态的Ge原料、气态的Sb原料和气态的Te原料导入到上述处理容器内通过CVD在基板上形成成为Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜，其具有如下工序：将气态的Ge原料和气态的Sb原料、或在它们基础上还将不形成Ge2Sb2Te5程度的少量的气态的Te原料导入上述处理容器内，在基板上形成不含Te或含有与Ge2Sb2Te5相比少量的Te的前体膜的工序（工序
ge sb te 方法存储介质

[发明专利]一种立井混合提升系统电气闭锁装置-CN201910978290.X在审
发明人：葛建 -专利权人：徐州立方机电设备制造有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： B66B17/28 文献下载
摘要：、箕斗提升绞车电机M2、箕斗提升绞车电机正转控制交流接触器KM5、箕斗提升绞车电机反转控制交流接触器KM6、罐笼绞车闭锁用交流接触器KM3和KM4、热继电器FR1～FR4、罐笼提升绞车电机正转启动按钮SB1、罐笼提升绞车电机正转停止启动按钮SB2、罐笼提升绞车电机反转启动按钮SB3、罐笼提升绞车电机反停止启动按钮SB4、箕斗提升绞车电机正转启动按钮SB5、箕斗提升绞车电机正转停止启动按钮SB6、箕斗提升绞车电机反转启动按钮SB7、箕斗提升绞车电机反停止启动按钮SB8。
绞车电机罐笼提升箕斗提升交流接触器停止启动按钮反转启动按钮正转启动按钮反转控制正转控制正转电气闭锁装置绞车热继电器提升系统闭锁罐笼

[发明专利]用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法-CN201510206563.0有效
发明人：胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。
用于高速功耗相变存储器 ge sb 晶格薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料-CN201810257171.0有效
发明人：胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5
一种用于高速功耗相变存储器 ge sb 晶格薄膜材料

[发明专利]一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法-CN201810257259.2有效
发明人：胡益丰;朱小芹;吴世臣;邹华;袁丽;吴卫华;张建豪;眭永兴;沈大华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5
一种用于相变存储器 ge sb 晶格薄膜材料制备方法

[发明专利]价态调控净化铜电解液的方法-CN201110088216.4有效
发明人：郑雅杰;彭映林;周文科 -专利权人：中南大学
申请日： 2011-04-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：价态调控净化铜电解液的方法，是在一部分铜电解液中通入二氧化硫，使铜电解液中五价As、五价Sb还原为三价As、三价Sb；在另外一部分铜电解液中加入氧化剂，使铜电解液中三价As、三价Sb氧化为五价As、五价Sb；然后将还原后铜电解液和氧化后铜电解液混合，调整铜电解液中As、Sb价态比，使混合铜电解液中n五价As：n总As和n五价Sb：n总Sb均为0.05~0.8；调整铜电解液中As、Sb价态比后，经浓缩结晶脱除电解液中铜
调控净化电解液方法

[发明专利]一种于光储存媒介中的循环录影方法及光盘驱动器-CN200710108417.X有效
发明人：林柏纬;宋丰华 -专利权人：凌阳科技股份有限公司
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：一种于光储存媒介中的循环录影方法及光盘驱动器，该光储存媒介被划分成顺向搜寻子空间集合SB[1]、...、SB[NF]及逆向搜寻子空间集合SB[2]、...、SB[NB]，该循环录影方法首先设定现行子空间以及标记的初始值且执行写入操作，标记决定子空间搜寻时的方向，其初始值是由现行子空间的初始值所决定。当标记为顺向时，判断现行子空间是否不为最高子空间SB[NF]。当判定现行子空间不为最高子空间SB[NF]，则由顺向搜寻子空间集合中的下一子空间作为现行子空间且开始执行写入操作，当判定现行子空间为最高子空间SB[NF]，设定该标记为逆向，由最高子空间SB[NB]作为现行子空间且开始执行写入操作
一种储存媒介中的循环录影方法光盘驱动器