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[发明专利]智能提示答案的方法及装置-CN201710452312.X有效
发明人：王经委;张杰伟;张霄;贺坚;程涛远 -专利权人：百度在线网络技术（北京）有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G06F16/332 文献下载
摘要：本申请公开了一种智能提示答案的方法及装置，该方法包括：分析并提取问题Q的信息特征，信息特征包括词法特征S2(Q)、句法特征S4(Q)、语义词法特征S3(Q)和语义句法特征S5(Q)；计算问题Q和问题库中问题Qi之间的每一类信息特征的相似度，获得问题Q和问题库中问题Qi的相似度Sim(Q,Qi)，其中问题库中包含问题Qi以及对应的答案；以及根据相似度Sim(Q,Qi)对问题库问题Qi进行排序，将排序结果最靠前的若干问题库问题Qi的答案提供给用户。
智能提示答案方法装置

[发明专利]自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片-CN202110766738.9有效
发明人：尹喜珍;陈昊 -专利权人：上海芯跳科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片，第一MOS管Q1的栅极作为GP引脚，第一MOS管Q1的漏极分别连接第三MOS管Q3的源极和第四MOS管Q4的栅极，第一MOS管Q1的源极分别连接第四MOS管Q4的源极和第三MOS管Q3的栅极，第一MOS管Q1的衬底连接第二MOS管Q2的漏极；第二MOS管Q2的栅极作为GB引脚，第二MOS管Q2的源极分别连接第二MOS管Q2的衬底、第三MOS管Q3的衬底、第三MOS管Q3的漏极、第四MOS管Q4的漏极以及第四MOS管Q4的衬底。
自适应衬底切换电路结构电池保护芯片

[发明专利]一种电压触发硬件锁定和解锁电路-CN201310229143.5无效
发明人：刘屹;朱庆;朱弢;朱志强;秦亮 -专利权人：安徽艾可蓝节能环保科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压触发硬件锁定和解锁电路，由电压触发电路、状态锁定电路和解锁电路组成，所述电压触发电路主要包括三极管Q4和电阻，所述Q4基极通过电阻R10与触发电压信号相连，Q4的集电极通过电阻R9与状态信号相连，Q4的发射极接地；所述状态锁定电路由三极管Q1、Q3和电阻组成，所述Q3的基极与Q1的集电极相连，Q3的集电极与Q4的基极相连，Q3的基极集电极并联电阻R5；所述解锁电路由三极管Q2和电阻组成，所述Q2的基极通过电阻R4与解锁信号相连，Q2的发射极接地，Q2的集电极与Q1的基极相连。
一种电压触发硬件锁定解锁电路

[发明专利]充放电极性自适应电路-CN200610061761.3无效
发明人：郑林全 -专利权人：郑林全
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种充放电极性自适应电路，包括一对直流电源供应端Vcc和GND；还包括一对充电电极P1和P2，用来电连接电储能设备；还包括两对类型互补的单极型晶体管Q1和Q3、Q2和Q4。所述电极P1设置在所述晶体管Q1和Q3的漏极连接处，并分别电连接所述晶体管Q2和Q4的栅极；所述电极P2设置在所述晶体管Q2和Q4的漏极连接处，并分别电连接所述晶体管Q1和Q3的栅极；所述晶体管Q1和Q2的源极相连，晶体管Q3和Q4的源极相连，并分别连接所述电源供应端Vcc和GND。
放电极性自适应电路

[实用新型]一种三电平变频器功率电路-CN201720935292.7有效
发明人：张云雷;胡存刚;王群京;马大俊;张超;董浩;李杰 -专利权人：安徽大学
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三电平变频器功率电路，包括两个电容C1、C2，6个开关器件Q1‑Q6；所述C1的两端分别连接Q1的漏极与Q2的源极，所述Q1的源极分别连接Q2的漏极、Q3的源极以及Q4的漏极；所述C2的两端分别连接Q3漏极以及Q4的源极；所述Q5的漏极连接Q3的漏极、Q5的源极连接负载；所述Q6的源极连接Q4的源极、Q6的漏极连接负载；所述C1的端电压为2E、C2的端电压为E。
漏极源极三电平变频器功率电路本实用新型端电压开关器件源极连接开关器件损耗开关状态冗余开关输出模态电容平衡

[实用新型]一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路-CN201821398300.X有效
发明人：刘金章;杨欣泽 -专利权人：北京蜃景光电科技有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于微光显示的硅基OLED显示驱动电路，属于微电子显示技术领域，该驱动电路包含驱动电路单元，驱动电路单元包含MOS管Q1，MOS管Q5，MOS管Q2和MOS管Q4；MOS管Q1的源极接电源电压VDD，MOS管Q1的漏极连接至MOS管Q2的栅极；MOS管Q2的漏极连接至MOS管Q4的源极，MOS管Q2的源极连接至MOS管Q5的漏极，MOS管Q5的源极连接至电源电压VDD；MOS管Q4的漏极连接至硅基OLED的正极，硅基OLED的负极连接至参考电压Vcom，MOS管Q4的栅极接地；所述MOS管Q1的栅极连接至第一控制端，所述MOS管Q5的栅极连接至第二控制端。
硅基漏极驱动电路驱动电路单元本实用新型电源电压微光显示源极连接栅极连接控制端源极正极显示驱动电路参考电压负极连接驱动电流栅极接地均匀性微电子

[实用新型]一种电压触发硬件锁定和解锁电路-CN201320333059.3有效
发明人：刘屹;朱庆;朱弢;朱志强;秦亮 -专利权人：安徽艾可蓝节能环保科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电压触发硬件锁定和解锁电路，由电压触发电路、状态锁定电路和解锁电路组成，所述电压触发电路主要包括三极管Q4和电阻，所述Q4基极通过电阻R10与触发电压信号相连，Q4的集电极通过电阻R9与状态信号相连，Q4的发射极接地；所述状态锁定电路由三极管Q1、Q3和电阻组成，所述Q3的基极与Q1的集电极相连，Q3的集电极与Q4的基极相连，Q3的基极集电极并联电阻R5；所述解锁电路由三极管Q2和电阻组成，所述Q2的基极通过电阻R4与解锁信号相连，Q2的发射极接地，Q2的集电极与Q1的基极相连。
一种电压触发硬件锁定解锁电路

[实用新型]用于光伏跟踪系统的硬件限位电路-CN201720128771.8有效
发明人：孙伟;吴克明;胡湘江;包西平 -专利权人：杭州帷盛科技有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G05D3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光伏跟踪系统的硬件限位电路，其包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、模拟开关U9A、模拟开关U9C、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R68、电阻R69、电阻MOS管Q1、Q2、Q3和Q4组成H桥电路用于驱动直流电机，模拟开关U9A和U9C检测限位信号并根据限位信号控制Q3和Q4的通断。当限位开关被触发时，模拟开关U9A或U9C的控制端电压置零，模拟开关U9A或U9C断开，MOS管Q3或Q4关闭，则Q1、Q4或Q2、Q3不能形成驱动电机的回路，电机停止运转，达到了良好的限位效果。
用于跟踪系统硬件限位电路

[实用新型]一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器-CN201720251515.8有效
发明人：李志君;黄波;李志雨;田远;董兆雯;蔡阿利;颜繁龙;李波;高鑫;许洪东 -专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，包括MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、变压模块、电容Cr、Cf、电感Lr以及电容Cf2，电容Cf2的一端分别连接MOS管Q1的漏极以及MOS管Q2的漏极，电容Cf2的另一端分别连接MOS管Q3的源极以及MOS管Q4的源极；电容Cr、电感Lr及变压模块的原边为串联关系，三者构成串联支路，串联支路的一端与MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极相连，串联支路的另一端与MOS管Q2的源极与MOS管Q4的漏极相连，变压模块副边连接电容Cf两端部，MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4为碳化硅MOSFET，降低了功率器件高频开关所导致的开关应力
一种基于碳化硅 mosfet llc 谐振变换器

[实用新型]一种电流分档测量电路-CN201920941112.5有效
发明人：王仕城;黄聚永 -专利权人：北京索英电气技术有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种电流分档测量电路，包括：控制器、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4；所述控制器分别连接第一MOS管Q1的栅极、第二MOS管Q2的栅极、第三MOS管Q3的栅极、第四MOS管Q4的栅极。第一MOS管Q1的漏极连接第二MOS管Q2的源极，第三MOS管Q3的漏极连接第四MOS管Q4的源极；第一MOS管Q1的源极连接电池的正极，第三MOS管Q3的源极也连接电池的正极；第二MOS管Q2的漏极连接第一电流传感器(I‑1)，第四MOS管Q4的漏极连接第二电流传感器(I‑2)。
一种电流分档测量电路

[发明专利]显示基板及显示装置-CN202080002535.6在审
发明人：程羽雕;王本莲;李孟;黄炜赟;黄耀 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示基板及显示装置显示基板具有安装区(Q3)，与安装区(Q3)相邻的第一显示区(Q1)，以及包围第一显示区(Q1)和/或安装区(Q3)的第二显示区(Q2)；其中，显示基板包括：基底，驱动电路层，设置在所述基底上；驱动电路层包括多个像素驱动电路(10)；所述多个像素驱动电路(10)位于所述第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2)，且位于第二显示区(Q2)中的像素驱动电路(10)的排布密度小于位于第一显示区(Q1)中的像素驱动电路(10)的排布密度；多个发光器件(D)，位于安装区(Q3)、第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2)；一个发光器件(D)的第一电极电连接一个像素驱动电路(10)，且位于安装区(Q3)中的发光器件(D)的第一电极电连接的像素驱动电路(10)位于第一显示区(Q1)。
显示显示装置

[发明专利]显示基板及显示装置-CN202310334057.4在审
发明人：程羽雕;王本莲;李孟;黄炜赟;黄耀 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：一种显示基板及显示装置显示基板具有安装区(Q3)，与安装区(Q3)相邻的第一显示区(Q1)，以及包围第一显示区(Q1)和/或安装区(Q3)的第二显示区(Q2)；其中，显示基板包括：基底，驱动电路层，设置在所述基底上；驱动电路层包括多个像素驱动电路(10)；所述多个像素驱动电路(10)位于所述第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2)，且位于第二显示区(Q2)中的像素驱动电路(10)的排布密度小于位于第一显示区(Q1)中的像素驱动电路(10)的排布密度；多个发光器件(D)，位于安装区(Q3)、第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2)；一个发光器件(D)的第一电极电连接一个像素驱动电路(10)，且位于安装区(Q3)中的发光器件(D)的第一电极电连接的像素驱动电路(10)位于第一显示区(Q1)。
显示显示装置

[发明专利]用于I/Q减损校正的机制、以及利用偏移本地振荡器的发送器减损测量-CN201380004425.3有效
发明人： S·L·达克;D·J·贝克;C·J·比恩克 -专利权人：美国国家仪器有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H04L27/36 文献下载
摘要：本发明描述了用于减少通信设备中I/Q减损的机制。发送器在把数字I/Q信号转换成模拟I/Q信号之前对数字I/Q信号执行预校正，以预补偿I/Q减损，该I/Q减损随后将在数模转换、I/Q调制或为了产生传输信号而发生的其它处理过程中引入。接收器接收传输信号、根据该传输信号产生数字I/Q信号并且对数字I/Q信号执行滤波，以在多个频率偏移量处校正I/Q减损。此外，还公开了用于测量发送器和/或接收器I/Q减损的机制，包括利用共享的本地振荡器或者利用故意偏移的本地振荡器测量发送器I/Q减损的迭代方法，以及测量接收器I/Q减损的方法。还公开了用于根据采样了的复信号计算I/Q减损、用于计算发送器和接收器之间信号路径的DC属性以及用于通过线性系统变换I/Q减损的方法。
用于减损校正机制以及利用偏移本地振荡器发送测量

[发明专利]显示面板的显示驱动方法及显示装置-CN201910157153.X有效
发明人：魏佳;任娟;周明锋 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：)|≥K时，A’(m,n)＝a*A(m,n)，A’(m+1,n)＝b*A(m,n)，A’(m+1,n+1)＝c*A(m+1,n+1)，A’(m,n+1)＝d*A(m+1,n+1)；和/或，当|A(p,q)‑A(p‑1,q+1)|≤M，且|A(p,q)‑A(p,q+1)|≥K，且|A(p‑1,q+1)‑A(p‑1,q)|≥K时，A’(p,q)＝e*A(p,q)，A’(p‑1,q)＝f*A(p,q)，A’(p‑1,q+1)＝g*A(p‑1,q+1)，A’(p,q+1)＝k*A(p‑1,q+1)；驱动各子像素单元显示实际显示灰阶。
显示面板驱动方法显示装置

[发明专利]一种高压输入级差分对管保护电路-CN202211569955.X有效
发明人：张明;漆星宇 -专利权人：江苏润石科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开一种高压输入级差分对管保护电路，所述差分对管包括共源极连接的第一PMOS管V1和第二PMOS管V2；还包括第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第三PMOS管Q3和第四PMOS管Q4，其中，V1和V2的共源极端还分别连接Q1的栅极、Q2的栅极、Q3的栅极、Q4的栅极，Q1的源极分别连接V2的栅极、Q3的源极，Q2的源极分别连接V1的栅极、Q4的源极；且Q1的漏极连接输入正端，Q2的漏极连接输入负端
一种高压输入级差保护电路