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[发明专利]PZT基压电陶瓷的制备方法-CN201610582999.4在审
发明人：刘洁;王竹 -专利权人：安阳华森纸业有限责任公司
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及PZT基压电陶瓷的制备方法，可有效解决PZT陶瓷的压电常数低、温度稳定性差和使用寿命短的问题，方法是，将PZT粉末和MnO₂粉末混合在一起，加水，球磨，成浆料，烘干，加入粘合剂，成坯料，压制成型，排塑，烧结，得到压电陶瓷，打磨，涂上银浆，在两个表面形成银电极，然后放在硅油中，电场极化5‑60min，即成PZT基压电陶瓷。
pzt 压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种铁电光伏器件及其制备方法-CN201911126462.7有效
发明人：樊贞;谭政伟;成声亮 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电光伏器件，包括依次层叠设置的单晶衬底、底电极、PZT薄膜和金属电极；所述PZT薄膜与所述底电极的界面形成耗尽层，所述PZT薄膜的厚度接近所述耗尽层的厚度；本发明还提供一种铁电光伏器件的制备方法相对于现有技术，本发明提供的铁电光伏器件中控制PZT薄膜的厚度与其界面形成的耗尽层的厚度接近，使得电子‑空穴对在内建场作用下有效分离，能够有效抑制载流子复合，同时有效降低铁电光伏器件的串联电阻，从而获得较高的光电流及光电转换效率
一种电光器件及其制备方法

[发明专利]一种消激光散斑光学结构-CN200910110896.8无效
发明人：吴砺;凌吉武;陈燕平;马英俊 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2009-01-14 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明的光学结构：包括PZT调制元件、微透镜及多模光纤。采用电压调制信号控制PZT调制元件，通过PZT调制元件的快速变化来移动微透镜，使经过微透镜后进入多模光纤的光的入射角快速发生变化，或者通过PZT调制元件的快速变化来移动多模光纤，从而使光进入光纤时发生偏振及相位的无序
一种激光光学结构

[实用新型]超声多普勒信号收发装置用换能器-CN200720008994.7有效
发明人：夏文军 -专利权人：夏文军
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H04R17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声多普勒信号收发装置用换能器，它主要由座体、PZT压电陶瓷晶片、覆盖层组成。所述的PZT压电陶瓷晶片表面覆盖一层由绝缘材料构成的覆盖层，PZT压电陶瓷晶片安装在座体上，电连接其上的高频屏蔽线穿过填充在座体内填料引出座体外。由于本实用新型主要由座体、PZT压电陶瓷晶片、覆盖层组成，零部件较少，结构较为简单，造价低廉。而且，与本实用新型配合的检测系统中的发射电路和接收电路较为简单，可处理复杂的声多普勒信号，效果良好。
超声多普勒信号收发装置用换能器

[发明专利]压电薄膜元件-CN201780017158.1在审
发明人：彼得·马迪洛维奇;高松远;苏珊·特罗利尔-麦金斯特里;特伦特·博尔曼;朱宛琳 -专利权人：赛尔科技有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：一种用于制造压电薄膜元件的方法，该压电薄膜元件包括第一电极、第二电极和在其间的一个或更多个压电薄膜，该方法包括通过使用三种溶液的化学溶液沉积形成包括PZT的压电薄膜，其中PZT薄膜的形成包括由三种溶液形成主体PZT薄膜层，其中每种溶液具有不同于任何其它溶液的Zr/Ti含量的Zr/Ti含量，并且至少一种溶液具有大于任何其它溶液的过量铅含量的过量铅含量，使得主体PZT薄膜层在其厚度方向上具有基本上均匀的铅含量和
压电薄膜元件压电薄膜过量化学溶液沉积第二电极第一电极制造

[发明专利]一种改性PZT压电陶瓷材料的制备方法-CN201711158557.8在审
发明人：黄秋兰 -专利权人：佛山市白米陶瓷有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：一种改性PZT压电陶瓷材料的制备方法，所述改性PZT压电陶瓷材料的化学通式为Pb1‑a‑bBa aSrbZr1‑xTixO3+Ywt%Sb2O3+Zwt%Pb3O4+M wt%KTiO3，其中0.04≤a≤0.16；0.04≤b≤0.12；0.44≤x≤0.46；0.5≤Y≤0.6；0.3≤Z≤0.40；0.1≤Z≤0.6；按照成分比研磨煅烧得到的PZT压电陶瓷材料具有较好的压电性能。
一种改性 pzt 压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]利用烧结后锆钛酸铅压电陶瓷废片制备压电陶瓷的方法-CN201810640038.3在审
发明人：丁左宏 -专利权人：江苏田字格新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用烧结后的PZT压电陶瓷废片低成本制备较高性能的PZT系压电陶瓷的方法，将烧结后的PZT系压电陶瓷片中的不合格品如有裂纹、杂质、缺陷、性能不佳的挑选出来，经过人工捣碎、研磨、再球磨、成型，造粒、排胶、压片、烧结、测试等工序，制得与原PZT系压电陶瓷性能相当的新制品，即d33＝383～393pC/N，Kp＝0.59～0.61，εr＝1772～1889，tgδ＝1.70～1.74％，Qm＝
压电陶瓷烧结废片低成本锆钛酸铅压电陶瓷制备压电陶瓷压电陶瓷片捣碎不合格品回收利用制备性能研磨新制品有效地排胶球磨压片造粒制备成型测试应用

[发明专利]一种基于PZT嵌入式的木结构健康监测装置-CN202210888813.3在审
发明人：熊海贝;丁叶蔚;陈琳;熊青松;孔庆钊;袁程 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PZT嵌入式的木结构健康监测装置，包括：嵌入式监测模块，所述嵌入式监测模块植入木结构节点区域，所述嵌入式监测模块包括PZT模块、主控电路，所述主控电路与所述PZT模块搭接，形成闭合回路采用这种嵌入式设计构架，基于PZT嵌入式的木结构健康监测装置类似于传统木结构中的榫卯连接以及现代胶合木结构中常用的螺栓连接，可以作为木销嵌入被测的木结构中既可以监测传统木结构，又可以监测现代胶合木结构，
一种基于 pzt 嵌入式木结构健康监测装置

[发明专利]具有微结构阵列的压电材料层及其制备方法和应用-CN202210353179.3有效
发明人：刘通;黄世峰;阮勇;牟言鹏;曹丽霞;宋志强;何长运;周祥亮 -专利权人：淄博高新技术产业开发区MEMS研究院;济南大学;山东超探电子科技有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：具有微结构阵列的压电材料层的制备方法包括以下步骤：采用MEMS工艺在预氧化的硅片表面进行刻蚀制备微结构阵列；采用倒模工艺将微结构阵列浸入PZT陶瓷浆料内，对PZT陶瓷浆料进行脱脂固化、烧结；PZT陶瓷浆料中PZT陶瓷的体积百分比为70%‑80%；脱脂固化的温度在600℃以下至少分成3个温度梯度进行阶段性脱脂固化。
具有微结构阵列压电材料及其制备方法应用

[发明专利]PZT系铁电薄膜及其制造方法-CN201310085420.X无效
发明人：野口毅;土井利浩;樱井英章;渡边敏昭;曽山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其制造方法，该PZT系铁电薄膜具备与以往的铁电薄膜同等的介电特性的同时具备更高的寿命可靠性。本发明的PZT系铁电薄膜，其形成于具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上，其中，PZT铁电薄膜具备：取向控制层，形成于下部电极上且择优晶体取向被控制在（100）面，层厚在45nm～150nm
pzt 系铁电薄膜及其制造方法

[发明专利]利用烧结后锆钛酸铅压电陶瓷废片制备压电陶瓷的方法-CN201110281966.3无效
发明人：孙清池;余方云;马卫兵;孙惠;胡欣媛 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用烧结后的PZT压电陶瓷废片低成本制备较高性能的PZT系压电陶瓷的方法，将烧结后的PZT系压电陶瓷片中的不合格品如有裂纹、杂质、缺陷、性能不佳的挑选出来，经过人工捣碎、研磨、再球磨、成型，造粒、排胶、压片、烧结、测试等工序，制得与原PZT系压电陶瓷性能相当的新制品，即d33＝383～393pC/N，Kp＝0.59～0.61，εr＝1772～1889，tgδ＝1.70～1.74％，Qm＝
利用烧结后锆钛酸铅压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种制备锆钛酸铅厚膜的方法-CN00125278.X无效
发明人：丁爱丽;何夕云;仇萍荪;罗维根 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2000-09-19 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法，属于陶瓷厚膜的制备领域。本方法的要点是制备一种特殊的前驱液，这种前驱液是由Pb，Zr，Ti的水解物的聚集物与Pb Zr_(1-x)Ti_xO₃(简写PZT)溶液混合而成Pb，Zr，Ti的水解物和PZT溶液具有相同的化学配比：Pb∶Zr∶Ti＝1∶X∶(1-X)0≤X≤1。这种前驱液通过甩胶淀积在衬底上，然后经热解、退火处理后在衬底上形成结晶的PZT厚膜。
一种制备锆钛酸铅厚膜方法

[实用新型]一种宽频谱超声波接收装置-CN201520433031.6有效
发明人：许逵;赵立进;曾华荣;崔彦锋;师小亮 -专利权人：贵州电力试验研究院;河北浩正电力设备制造有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G01H11/08 文献下载
摘要：它包括PZT压电陶瓷圆柱、圆片、BNC接线口、放大电路、外壳和正负电极线，外壳围成的腔体内放置有PZT压电陶瓷圆柱，PZT压电陶瓷圆柱粘接在下方的圆片上，圆片安装在外壳底部，PZT压电陶瓷圆柱通过正负电极线与放大电路连接
一种宽频超声波接收装置

[发明专利]PZT陶瓷薄膜及其制备方法-CN202310039484.X在审
发明人：张浩 -专利权人：深圳通感微电子有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种PZT陶瓷薄膜及其制备方法，制备方法包括：S1、在衬底上设置第一电极层；S2、在所述第一电极层上设置过渡层；S3、通过磁控溅射在所述过渡层上设置PZT薄膜层；步骤S3包括：S3.1、在真空的密闭腔室内充入氩气和氧气并将密闭腔室的气压维持在预定气压；所述密闭腔室内安装有钛靶、铅靶和锆靶；S3.2、开启钛靶、铅靶和锆靶对应的溅射电源，所述钛靶、铅靶和锆靶分别反应溅射，在所述过渡层的表面沉积形成锆钛酸铅氧化物薄膜，即PZT本发明的PZT陶瓷薄膜的制备方法，通过磁控溅射方式在衬底上形成PZT薄膜，无需经过减薄抛光等工序，能够兼容半导体生产工艺，满足小型化、集成化要求，制备过程简单，重复性好。
pzt 陶瓷薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于快速反射镜的光束稳定调整方法-CN202310108963.2在审
发明人：顾天立;马兴华;王金雅;陶翰中;陈浩然 -专利权人：上海镭望光学科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于快速反射镜的光束稳定调整方法，包括步骤：S100：根据前馈调整指令获取当前光束位置和角度，计算其与目标光束位置、角度之间的偏差；S200：判断偏差是否在二级PZT驱动的行程范围内，若是，启动二级PZT驱动调节，若否，启动一级电机驱动调节；S300：根据反馈调整指令获取当前光束位置和角度，计算其与目标光束位置、角度之间的偏差；S400：判断偏差是否在二级PZT驱动的行程范围内，若是，启动二级PZT通过二级PZT驱动和一级电机驱动快速、精准调整光束稳定性。
一种基于快速反射光束稳定调整方法