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[发明专利]一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法-CN202210277441.0在审
发明人：殷超;迟庆国;张天栋;张昌海 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本发明采用机械剥离、射频磁控溅射和快速退火工艺在Mica和金属电极之间引入宽禁带PZT薄层作为界面势垒层，抑制电极处电荷注入，提升击穿性能。且当退火温度为500℃时，退火处理过的PZT‑Mica‑PZT柔性无机薄膜具有优异的击穿强度(～792.5MV/m)和储能密度(～32.6J/cm3)以及较高的充放电效率
一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法

[发明专利]基于电压传感器的大型矿山岩体波速测量方法-CN202211358923.5在审
发明人：贾永胜;王洪刚;黄小武;陈德志;韩传伟;刘昌邦;司剑峰;何理;蔡路军;周俊汝 -专利权人：武汉爆破有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01V1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于电压传感器的大型矿山岩体波速测量方法，包括以下步骤：在待测试矿山区域内，由中心区域向外钻凿N个炮孔，N个炮孔均在同一条直线上；向1#炮孔的底部装入多发雷管，并对1#炮孔进行填塞；分别在剩余炮孔(2#～N#)的底部装入PZT压电传感器，并对剩余炮孔(2#～N#)进行填塞；将所有PZT压电传感器接入多通道高速信号采集仪；将所有雷管接入起爆器，并将所有雷管的延期时间设为相同数值；起爆雷管，采集并保存PZT压电传感器的测量数据；
基于电压传感器大型矿山波速测量方法

[发明专利]压电铁电薄膜的制备方法-CN201010235315.6有效
发明人：郑慈航;唐刚;刘景全;李倩倩;尹桂林;余震;何丹农 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：一种锆钛酸铅系陶瓷制备技术领域的压电铁电薄膜的制备方法，通过配制前驱体溶液、利用PLD法制备衬底以及利用Sol-Gel法在PZT结晶种子层上制备压电铁电薄膜实现。本发明利用PLD和Sol-Gel相结合的方法制备的PZT厚膜，对不同的基片适用性强；制备的PZT厚膜具有高度择优取向且晶粒大小均匀、结构致密的突出优点，可制备出3-6微米厚的锆钛酸铅薄膜，剩余极化值Pr
压电薄膜制备方法

[发明专利]一种高阻尼橡胶及其制备方法-CN201810275867.6有效
发明人：王可;王悦辉;迟峰 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C08L23/28 文献下载
摘要：发明公开了一种高阻尼橡胶，其特征在于，按质量份数计，包括如下原料：氯化丁基橡胶80‑120份、碳黑20‑60份、石墨烯包覆PZT陶瓷粉末10‑50份、低分子蜡2‑5份、环烷油6‑15份、氧化镁0.2‑1本发明高阻尼橡胶，通过填充一定份数的石墨烯包覆PZT颗粒，使得橡胶峰值阻尼系数提高，从而使提升橡胶的减振效果。另外，不需额外填加导电物质使得橡胶的加工更方便、综合性能更优异，有效克服常规PZT陶瓷和导电碳黑复合填充的橡胶综合性能差的技术问题。
一种阻尼橡胶及其制备方法

[发明专利]气压传感器-CN200710147404.3有效
发明人：笠岛多闻 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明所涉及的一种气压传感器，其包括内部形成有密封空间的密封筐体、形成该密封筐体的至少一部分壁面并根据外气压的变化而变形以改变所述密封空间容积的第1薄板件、以及接触于该第1薄板件上并用于测量该薄板件的固有振动频率的第一PZT；还包括具有与所述第1薄板件相同的振动特性并在所述密封筐体的外部与该密封筐体相接触的第2薄板件、以及具有与第一PZT相同的振动特性且接触于所述第2薄板件上并用于测量该薄板件的固有振动频率的第二PZT。
气压传感器

[发明专利]SS-OCT间距测量中获取更小镜像残余的消镜像方法及其系统-CN201910645065.4有效
发明人：史国华;王俊翔;冯长有;邢利娜;王冬月;潘道伟;樊金宇 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所;长春奥普光电技术股份有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种SS‑OCT间距测量中获取更小镜像残余的消镜像方法及其系统，本发明的方法通过PZT先引起相位震荡后采用遍历迭代算法来获得误差更小的相位，然后带入消镜像算法公式，得到消镜像结果。本发明不同于传统的直接利用PZT产生位移，而是通过PZT先引起相位震荡后采用算法上的遍历迭代来获得误差更小的相位。
ss oct 间距测量获取更小镜像残余消镜像方法及其系统

[发明专利]基于厚度切变型PZT的FRP筋界面剪应力监测装置及方法-CN201410066406.X无效
发明人：蒋田勇;宋钢兵;安磊;龚奇丰;贺常松 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于厚度切变型PZT的FRP筋界面剪应力监测装置及方法，属于FRP筋界面剪应力状况的监测领域，具体方法为：在FRP筋表面开凹槽处粘贴多个厚度切变型压电陶瓷PZT传感器，通过高频信号激励厚度切变型压电陶瓷传感器本发明选择厚度切变型压电陶瓷PZT作为驱动/传感器，实现了筋材界面剪应力状况的直接快速监测、能精确地确定FRP筋界面剪应力大小，具有灵敏度高、响应快、操作简便、价格低廉等特点。
基于厚度切变 pzt frp 界面剪应力监测装置方法

[发明专利]平面型复合结构超声换能器-CN200510122648.7无效
发明人：刘晓宙;龚秀芬;叶式公 -专利权人：南京大学
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：平面型复合结构的超声换能器：采用PZT压电材料来发射超声波，采用PVDF来接收回波信号，超声换能器采用多层结构，在背衬上先设有第二匹配层材料，在第二匹配层材料上设有PZT压电换能器，然后再设有第一匹配层材料可用PVDF层代替PZT的匹配层，可使设计上比较简单。
平面复合结构超声换能器

[发明专利]一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法-CN201310429693.1有效
发明人：张晓东;褚君浩;邢怀中 -专利权人：东华大学
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种对较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性的方法，通过采用磁控溅射在STO衬底上相继沉积LNO3底电极、PZT薄膜和CFO薄膜，并形成a、c电畴共存的PZT薄膜层。
一种较厚铁电薄膜实施应力工程用于材料改性方法

[发明专利]用于盘驱动器悬架的多层剪切模式PZT微致动器及其制造方法-CN201710288092.1有效
发明人：余坤祺 -专利权人：马格内康普公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：微致动器包括具有第一面和相反的第二面的多层PZT器件。多层PZT器件的每个层被构造成在由激励电压激励时以其d15模式操作。
用于驱动器悬架多层剪切模式 pzt 微致动器及其制造方法

[实用新型]压电双晶片中间碳纤维层结构-CN202221985660.6有效
发明人：朱岳群 -专利权人：上海博瓷电子科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本实用新型公开了压电双晶片中间碳纤维层结构，包括碳纤维层，所述碳纤维层上端两侧均设有铜箔，所述铜箔下方设有绝缘带，所述碳纤维层位于绝缘带下方设有PZT压电晶体，所述PZT压电晶体下端设有绝缘层。
压电双晶中间碳纤维结构

[发明专利]掺杂Ce的PZT系压电膜-CN201580015884.0在审
发明人：土井利浩;樱井英章;曽山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜由以通式：Pb_zCe_xZr_yTi_1‑yO₃表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成而且，上述掺杂Ce的PZT系压电膜的极化量的磁滞优选由其中心向负侧偏移4kV/cm以上。
掺杂 ce pzt 压电

[发明专利]谐振传感器组件-CN200480003581.9无效
发明人：爱德华·巴里·琼斯;内尔·M·怀特;约翰·M·都铎;斯蒂芬·P·毕比 -专利权人：布鲁内尔大学;南安普敦大学
申请日： 2004-02-05 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：厚膜PZT元件(20，22)被印制在中央光束(14)每一端的分隔区域，当谐振器(10)按其有利振动模式工作时存在最大应力。在一端的PZT元件(20)驱动振动，而在另一末端的PZT元件(22)检测振动。在最大应力区域定位PZT驱动和传感元件(20，22)，使有源压电层和用于产生驱动力和传感信号的谐振器之间机械耦合程度最大。体现出很高的品质因数3100和更高的品质因数。
谐振传感器组件

[发明专利]收发两用压电陶瓷材料的制备方法-CN201610583371.6在审
发明人：刘洁;郭菲菲 -专利权人：安阳华森纸业有限责任公司
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及收发两用压电陶瓷材料的制备方法，可有效解决压电陶瓷收发兼用，同时提高温度稳定性的问题，方法是，称取干燥烧结后的PZT粉末和MnO₂和Nb₂O₅粉末，装入球磨罐中球磨，烘干成干粉，加入粘合剂，压制成陶瓷坯成型，将坯放入刚玉坩埚，马弗炉中排塑，然后入马弗炉中烧结，得到PZT:xMnO/yNb₂O₅压电陶瓷；将PZT:xMnO/yNb₂O₅压电陶瓷的上下表面进行打磨，在两个表面涂上银浆，煅烧
收发两用压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种制备垂直有序多铁性双层纳米管阵列的方法-CN201710140154.4在审
发明人：张璋;汤丹;王新;曾志强 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L41/318 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种制备垂直有序多铁性双层纳米管阵列的方法，所述制备垂直有序多铁性双层纳米管阵列的方法包括选取基底，对基底进行处理；制备阳极氧化铝模板AAO；进行AAO的扩孔以及转移；进行锆钛酸铅PZT和钴铁氧CFO溶胶的配制；浸渍PZT溶胶凝胶；将样品置于离子刻蚀机中进行刻蚀；将刻蚀后的样品浸渍于CFO溶胶凝胶中；将浸渍CFO后的样品置于离子刻蚀机中进行刻蚀；去除残留的AAO模板得到垂直有序多铁性双层纳米管阵列该制备方法制成PZT‑CFO双层纳米管阵列能够与基底进行垂直结合，具有可控的尺寸，高密度，良好的有序性，而且有着良好的铁电性，还具有制作成本低、人工操作安全等特点。
一种制备垂直有序多铁性双层纳米阵列方法