|
钻瓜专利网为您找到相关结果 8581393个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]马达端子用的罩装置-CN202080041592.5在审
-
内田拓真;久保田贵光
-
株式会社电装
-
2020-05-28
-
2022-01-28
-
F02D9/02
- 罩装置(410)具备:凹状的端子收容部(412),供马达(200)所具有的马达端子(206)插入,在多个内周面之中的至少一部分露出导通部件(420);以及端子部件(10);端子部件具有:第1壁部(11),沿着作为多个内周面之中的1个内周面且露出导通部件的第1内周面(421)形成;第2壁部(12),沿着与第1内周面对置的第2内周面(422)形成;第3壁部(13),连接第1壁部的马达端子的插入方向上的端部与第2壁部的插入方向上的端部;以及压接部(14),在上述罩装置中,沿着从第1壁部与第3壁部的第1连接部(C1)朝向第2壁部与第3壁部的第2连接部(C2)的方向的第3壁部的长度(L3)比第1连接部与第2内周面的距离(L1)长,并且比第2连接部与第1内周面的距离(L2)长。
- 马达端子装置
- [发明专利]双极型晶体管型自激式Cuk变换器-CN201010211097.2有效
-
陈怡
-
浙江工业大学
-
2010-06-28
-
2010-11-03
-
H02M3/158
- 一种双极型晶体管型自激式Cuk变换器,包括电感L1、NPN晶体管Q1、电容C2、二极管D1、电感L2和电容C3组成Cuk变换器的主回路,NPN晶体管Q1的发射极与直流输入电压Vi的负端相连,电感L1和电容C2的接点与NPN晶体管Q1的集电极相连,NPN晶体管Q2的发射极与NPN晶体管Q1的发射极相连,NPN晶体管Q2的集电极与NPN晶体管Q1的基极相连,NPN晶体管Q1的基极还通过电阻R1接于直流输入电压Vi的正端,电阻R2和电阻R3的串联支路并接于Q1的发射极和集电极两端,电阻R2和电阻R3的接点与NPN晶体管Q2的基极相连。
- 双极型晶体管cuk变换器
- [发明专利]双极型晶体管型自激式Sepic变换器-CN201010211025.8有效
-
陈怡
-
浙江工业大学
-
2010-06-28
-
2010-11-03
-
H02M3/158
- 一种双极型晶体管型自激式Sepic变换器,包括电感L1、NPN晶体管Q1、电容C2、电感L2、二极管D1和电容C3组成Sepic变换器的主回路,NPN晶体管Q1的发射极与直流输入电压Vi的负端相连,电感L1和电容C2的接点与NPN晶体管Q1的集电极相连,NPN晶体管Q2的发射极与NPN晶体管Q1的发射极相连,NPN晶体管Q2的集电极与NPN晶体管Q1的基极相连,NPN晶体管Q1的基极还通过电阻R1接于直流输入电压Vi的正端,电阻R2和电阻R3的串联支路并接于Q1的发射极和集电极两端,电阻R2和电阻R3的接点与NPN晶体管Q2的基极相连。
- 双极型晶体管sepic变换器
- [发明专利]卷取式成膜装置、蒸发源单元和卷取式成膜方法-CN201680012735.3有效
-
广野贵启
-
株式会社爱发科
-
2016-06-06
-
2020-06-19
-
C23C14/24
- 本发明一方式所涉及的卷取式成膜装置(1)具有退绕辊(2)、卷取辊(3)、冷却辊(4)、蒸发源阵列(6)和气体供给部(7)。蒸发源阵列(6)具有多个第1蒸发源(61(61A~61E))和多个第2蒸发源(62(62A~62F)),其中,所述多个第1蒸发源(61)在与冷却辊4的轴向平行的第1线路(L1)上隔开规定的间隔而配置,所述多个第2蒸发源(62)在与第1线路(L1)平行的第2线路(L2)上与多个第1蒸发源(61)错开半个间距且隔开上述规定的间隔而配置。气体供给部(7)具有多个第1喷嘴部(71(71A~71E))和多个第2喷嘴部(72(72A~72F)),且被配置在蒸发源阵列(6)与冷却辊(4)之间,所述多个第1喷嘴部(71)向来自多个第1蒸发源(61
- 卷取式成膜装置蒸发单元方法
- [发明专利]一种空调柜机后背板压型结构-CN201911048166.X有效
-
罗晓亮;汪晨;戴竞舸;孟庆格;何煜天
-
宝山钢铁股份有限公司
-
2019-10-30
-
2022-03-18
-
F24F13/20
- 本发明公开了一种空调柜机后背板压型结构,包括后背板本体,后背板本体内侧板面冲压有压槽,压槽沿后背板本体外侧板面凸出并形成加强筋,压槽的槽体呈“锯齿”型走向,以“锯齿”相邻齿边的夹角为θ1,其齿边最大直线长度L=L0/cos(θ1/2)*k0,L0为后背板本体的有效宽度,k0为分布系数,k0=0.7~0.9;θ1取30°~40°;以压槽槽宽为w1,“锯齿”齿尖处压槽中线位的圆角半径R=W1/2+Δr,Δr为倒角增量,Δr=2~4mm;w1取30~50mm;压槽槽底断面呈单周期的正弦波曲线,正弦波曲线峰高hs=h0*k1,k1为正弦波高系数,k1=0.2~0.3;h0为压槽中线位槽体基准深度,h0=1~5mm;正弦波曲线波长W2=W1‑2*h0*Ctg(θ0),θ0为压槽槽壁与槽口所在平面的夹角,θ0=30°~50°。
- 一种空调柜机背板结构
- [实用新型]利用x电容提供辅助供电电路-CN201720352741.5有效
-
王知生
-
东莞市优优照明科技有限公司
-
2017-04-05
-
2017-11-17
-
H02M7/04
- 本实用新型公开一种利用x电容提供辅助供电电路,包括交流输入电路、主电路和辅助供电电路,所述交流输入电路分别与主电路和辅助供电电路连接,所述辅助供电电路包括x电容C1A和整流桥Q2,所述交流输入电路包括x电容C4A、可调电阻VR1B和共模电感L1C;所述交流输入电路的一个输入端分别连接可调电阻VR1B、x电容C4A和共模电感L1C的第一绕线组,所述共模电感L1C第一绕线组的另一端连接电阻R1A,所述电阻R1A的另一端分别连接x电容C1A和电阻R3B,所述电阻R3B的另一端串联有电阻R4B。本实用新型通过在辅助供电电路内设置x电容C1A,通过x电容C1A同时起到EMI滤波和阻容降压作用,实现了在主电路中提供小电流的辅助供电,提高了用户的使用方便性。
- 利用电容提供辅助供电电路
- [实用新型]LED恒流源驱动电路-CN201120075773.8无效
-
吴华夏;刘劲松;王华;胡元元;洪火锋
-
安徽华东光电技术研究所
-
2011-03-22
-
2011-11-02
-
H05B37/02
- LED恒流源驱动电路,包括钽电容、高精度电阻RS、二极管D1、第一、二电压比较器、门电路、MOS管、电感L1、稳压块、带隙基准块、电阻R1、R2,C1正极、D1负极、第一电压比较器的负极及RS一侧与电源相连,RS另一侧接第一电压比较器正极,且为输出端的正极,第一电压比较器的输出接门电路的脚1,门电路的输出接MOS管的栅极,MOS管的源极接地,漏极接D1正极、L1一端,L1另一端为输出端的负极,带隙基准块的脚2、稳压块的输入接电源,稳压块的输出接带隙基准块的脚1、门电路的脚3,带隙基准块的输出与第二电压比较器的正极相连,通过电阻R1、R2分压接第二电压比较器的负极,第二电压比较器的输出接门电路的脚2。
- led恒流源驱动电路
- [实用新型]一种镇流器电路-CN200820163363.7无效
-
胡建人
-
杭州电子科技大学
-
2008-08-26
-
2009-05-27
-
H05B41/288
- AC-DC转换模块包括桥式整流器VD1、压敏电阻VR1、滤波电感L1、滤波电容C5和C6;DC-AC逆变电路模块包括功率双极型晶体管VT1和VT2、启动充电电阻R1、启动电容C1、放电二极管VD2、双向二极管VD3、高频电容C4、发射极电阻R4和R5、旁路电阻R6、初级线圈T1a、副线圈T1b和与T1b的副线圈T1c;初级线圈T1a与镇流电感L4连接,启动器S的一端与镇流电感L4的抽头连接,另一端与滤波电容
- 一种镇流器电路
- [发明专利]基于模糊理论的变电站电气主接线评估方法-CN201410122486.6在审
-
刘波;袁智强
-
上海电力设计院有限公司
-
2014-03-28
-
2014-11-26
-
G06N7/02
- 一种基于模糊理论的变电站电气主接线评估方法,包括如下步骤:(a)设定刻画被评价对象的n种因素的第一因素集U={u1,u2,…,un},以及刻画每一种所述因素所处状态的m种决断的第二因素集V={v1,v2,…,vm};(b)根据所述第一因素集和所述第二因素集获取第一模糊集和第二模糊集,其中所述第一模糊集为所述第一因素集U上的模糊权重向量w=(w1,w2,…,wm),用来表明各因素在评价者心目中的重要程度,所述第二模糊集为所述第一因素集U×第二因素集V上的为模糊矩阵R={rij}m×n∈F(U×V),其中rij表示因素ui具有评语vj的程度;及(c)对所述两类模糊集施加模糊运算,获得便所述第二因素集V上的第三模糊子集B=(b1,b2,…,bn)∈F(V),其中bj表示被评价对象具有评语vj的程度,即vj对所述第三模糊集
- 基于模糊理论变电站电气接线评估方法
|