“mbe ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果289个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]模型驱动企业的能力等级评价方法-CN201911246267.8有效
发明人：吴灿辉;张岩涛;李学常;王宁;李狮伟 -专利权人：中国航空综合技术研究所
申请日： 2019-12-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供一种模型驱动企业的能力等级评价方法，包括以下步骤：步骤一，确定MBE能力等级的划分；步骤二，确定MBE能力的评价指标；步骤三，根据MBE能力等级和评价指标，构成MBE能力等级评价指标体系；步骤四，使用MBE能力等级评价指标体系矩阵计算获得MBE能力等级为值和升级趋势系数。本发明中的模型驱动企业的能力等级评价方法与MBE数字化能力紧密度更高、更全面，评价使用上更便捷、客观；对MBE能力等级的划分更符合MBE能力等级实际评价需求。
模型驱动企业能力等级评价方法

[实用新型]样品传送系统-CN202122458253.1有效
发明人：王新;陶章峰 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种样品传送系统，包括样品传递室、MOCVD托盘通道、MBE托盘通道及自动输送通道，MOCVD托盘通道用于将MOCVD托盘或承载有样品的MOCVD托盘输送给样品传递室；MBE托盘通道用于将MBE托盘或承载有样品的MBE托盘输送给样品传递室；自动输送通道用于将样品传递室内MOCVD托盘上的样品转移到MBE托盘上，或将样品传递室内的MBE托盘上的样品转移到MOCVD托盘上，并将完成样品转移后的MOCVD托盘输送给MOCVD托盘通道或将完成样品转移后的MBE托盘输送给MBE托盘通道；MBE托盘通道还用于将承载有样品的MBE托盘输送给MBE系统，MOCVD托盘通道还用于将承载有样品的MOCVD托盘输送给
样品传送系统

[发明专利]真空互联系统及其自动传输方法-CN202111189908.8在审
发明人：王新;陶章峰 -专利权人：材料科学姑苏实验室;埃特曼（苏州）半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空互联系统及其自动传输方法，真空互联系统包括样品传递室、MOCVD托盘通道、MBE托盘通道及自动输送通道，MOCVD托盘通道与样品传递室相连，用于将MOCVD系统的承载有样品的MOCVD托盘输送给样品传递室；MBE托盘通道与样品传递室相连，用于将MBE托盘输送给样品传递室；自动输送通道与样品传递室相连，用于将样品传递室内MOCVD托盘上的样品转移到MBE托盘上，并将承载有样品的MBE托盘输送给MBE托盘通道；MBE托盘通道还用于将承载有样品的MBE托盘输送给MBE系统。本发明实现了MOCVD系统和MBE系统的直接互联，且实现样品在高温、真空环境条件下的自动化传输。
真空联系及其自动传输方法

[发明专利]一种集成MBE装置的激光加工系统-CN202310611288.5在审
发明人：刘胜;东芳;甘志银;沈桥;雷诚;翁跃云;芦相宇;刘剑辉;周易岗 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种集成MBE装置的激光加工系统，包括MBE生长室、样品台、光路机构、隔热机构和冷却机构，MBE生长室的一侧设有开口；样品台固定在MBE生长室的内部，且与开口的位置相对应，样品台用于放置衬底样品材料；光路机构相对设置于MBE生长室的一侧，且光路机构上设有出光端，出光端的一侧贯穿MBE生长室的开口并伸入其内部，并与样品台呈相对间隔设置，光路机构与MBE生长室的开口处密封连接，本系统将光路机构集成于MBE装置内，将光路机构集成到MBE装置内，采用激光直写的方式近距离对样品加工，提高了激光聚焦能力，有效保证了激光加工的精度和质量。
一种集成 mbe 装置激光加工系统

[发明专利]二甘醇单叔丁基醚的精制-CN91102156.6无效
发明人：范卫荣;游红;周旻;孙诗敦;赵菊英 -专利权人：中国石油化工总公司扬子石油化工公司
申请日： 1991-04-09 - 公布日： 1992-10-28 - 主分类号： C07C43/13 文献下载
摘要：一种二甘醇单叔丁基醚(MBE)的精制方法，在以二甘醇(DEG)和C4馏分抽余液(SBB)为原料合成二甘醇单叔丁基醚(MBE)过程中，醚化产物的单醚(MBE)和双醚(DBE)能形成共沸物，而且共沸物与MBE采用一般精馏方法分离难以得到高纯度的MBE，而采用添加水做共沸剂的共沸精馏流程，则可达到MBE和DBE的高度分离，两者纯度均达到98％以上。
甘醇丁基精制

[发明专利]用于识别多位错误的设备、系统和方法-CN202210669924.5在审
发明人： M·H·盖格;M·A·布莱瑟;S·艾亚普利迪;C·O·贝尼特斯;D·蒙蒂尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：多位错误MBE检测电路可基于所述校正子位或所述奇偶校验位中的至少一个检测所述数据位和所述奇偶校验位中的MBE。举例来说，MBE检测电路可确定所述校正子位是否具有映射或未映射状态，和/或可将所述奇偶校验位、数据位和额外奇偶校验位进行比较以确定是否存在MBE。当检测到MBE时，激活MBE信号。在一些实施例中，可基于所述MBE信号为有效的而设置MBE旗标。
用于识别错误设备系统方法

[发明专利]一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备及其应用-CN201410239937.4有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明通过在MBE蒸发源的中间区域增加可以公转和自转的靶材托盘，放置PLD镀膜所需的靶材；增加一台高性能的固体激光器，同时在MBE生长室腔体的恰当位置增加一个石英窗口，引入波长为150‑355nm的高能激光蒸镀靶材它是PLD和MBE的结合体，同时具有PLD和MBE的功能和优点；它既可以当做PLD或者MBE单独使用，也可以实现PLD和MBE的联用；可用于薄膜的外延生长和薄膜器件的制造，特别是量子阱结构太阳能电池、LED
一种脉冲激光沉积分子外延联用镀膜设备及其应用

[实用新型]一种脉冲激光沉积与分子束外延联用镀膜设备-CN201420289079.X有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实用新型通过在MBE蒸发源的中间区域增加可以公转和自转的靶材托盘，放置PLD镀膜所需的靶材；增加一台高性能的固体激光器，同时在MBE生长室腔体的恰当位置增加一个石英窗口，引入波长为150-355nm的高能激光蒸镀靶材它是PLD和MBE的结合体，同时具有PLD和MBE的功能和优点；它既可以当做PLD或者MBE单独使用，也可以实现PLD和MBE的联用；可用于薄膜的外延生长和薄膜器件的制造，特别是量子阱结构太阳能电池、LED
一种脉冲激光沉积分子外延联用镀膜设备

[发明专利]一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构-CN202210003978.8有效
发明人：刘胜;沈威;吴改;梁康;郭宇铮;汪启军;王诗兆 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MBE法的应变金刚石生长掺杂方法及外延结构。通过MBE法在衬底层上依次外延出渐变缓冲层、驰豫层，最后在弛豫层上外延出应变金刚石层，并通过MBE法进行掺杂。MBE应变金刚石在生长和掺杂过程中，能够较为精确的对渐变缓冲层和驰豫层中的材料进行组分控制，获得原子级平滑的表面，使得驰豫层材料晶格常数大于金刚石材料晶格常数，使得金刚石处于拉应变状态，进而提高金刚石的掺杂效率
一种基于 mbe 应变金刚石生长掺杂方法外延结构

[实用新型]用于MBE设备的载片夹具-CN201821110931.7有效
发明人：陈意桥;马栋梁 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电子元器件技术领域，涉及一种用于MBE设备的载片夹具，包括基板、在基板上围绕一个中心设置的若干夹持装置以及被夹持装置夹住的载片，所述载片上设有多个收容槽。这种载片夹具结构简单，占用空间小，不光可以夹持圆形的MBE产品，还可以承载不规则的MBE产品，使用方便灵活。
载片夹具夹持装置基板本实用新型电子元器件夹具结构占用空间中心设置不规则收容槽夹持夹住承载灵活

[发明专利]一种衬底加热器-CN202110615227.7在审
发明人：刘胜;甘志银;王亦凡;沈桥 -专利权人：广东众元半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05B3/02 文献下载
摘要：一种用于MBE设备的衬底加热器，主要包括外框、固定顶板、上隔热板、侧隔热环、下层隔热板、内圈加热丝、外圈加热丝。可以提高衬底片的加热温度均匀性，提高分子束外延反应速率，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体生长速率，提高生产效率，降低生产成本；采用多层隔热板平行排布设计，有效降低样品台加热丝热源对腔体内部热量的耗散，减少对MBE腔体内其他组件的热影响，保障MBE运行性能。
一种衬底加热器

[发明专利]二甘醇单叔丁基醚的制备-CN91102158.2无效
发明人：孙诗敦;周旻;舒新华;韩建中;顾道斌;范卫荣 -专利权人：中国石油化工总公司扬子石油化工公司
申请日： 1991-04-09 - 公布日： 1992-10-28 - 主分类号： C07C43/13 文献下载
摘要：一种二甘醇单叔丁基醚(MBE)的制备方法，把二甘醇和裂解C4馏分丁二烯抽余液作为超始原料，以大孔强酸阳离子交换树脂作催化剂，在温度40～85℃，压力1.0～3.0MPa(表)，醇烯摩尔比1.0～3.0，液体进料空速0.5-3.0时-1，线速180-350厘米/小时的条件下，连续通过固定床反应器进行反应生成MBE。异丁烯转化率为80～85％，MBE选择性为90～97％。由于原料来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低生产成本。
甘醇丁基制备

[发明专利]一种MBE外延片生产方法-CN202210552291.X在审
发明人：路云峰;温涵 -专利权人：苏州信越半导体有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MBE外延片生产方法，包括如下步骤：步骤S1、衬底处理、步骤S2、生长介质层、步骤S3、热化学处理、步骤S4、生长氮化物润湿层、步骤S5、依次生长AlGaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN本发明公开的MBE外延片生产方法工艺简单，操作控制方便，耗能低，对设备依赖性小，适合工业化大规模生产；通过该生产方法制成的MBE外延片表面质量好、缺陷少，衬底易去除，电化学性能优异。
一种 mbe 外延生产方法

[发明专利]一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法-CN202310459512.3在审
发明人：王晓晖;琚海涛;张一帆;谭皓文;简贤 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位监测MBE生长碲镉汞材料组分和厚度的装置及方法。该装置通过将傅里叶红外光谱检测系统原位地集成于MBE生长设备，以及样品托独特的结构设计，实现了MBE生长碲镉汞材料组分和厚度实时、原位、多点位的检测，最终提高了碲镉汞材料的质量。
一种原位监测 mbe 生长碲镉汞材料组分厚度装置方法

[发明专利]通过不同的沉积技术形成的半导体器件中的多结-CN201280048760.9有效
发明人： R·克劳泽;B·吉斯伦 -专利权人： SOITEC公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种半导体器件，以使用MOCVD和MBE的混合沉积策略为基础形成该半导体器件，具体地为太阳能电池（450），以便提供晶格匹配半导体化合物（452，453，454）。为此，可以应用MBE以提供含氮半导体化合物（453），允许期望的低能隙和关于砷化镓衬底的晶格匹配结构。
通过不同沉积技术形成半导体器件中的

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 289 条