专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钽酸锂基片及其制备方法-CN200410033600.4有效
  • 梶谷富男;角田隆 - 住友金属矿山株式会社
  • 2004-04-08 - 2004-10-27 - C30B29/30
  • 在钽酸锂基片中,防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花,从而防止对LT基片表面形成的梳型结构的破坏和LT基片内的裂纹等。此外,在光刻方法中,避免进入LT基片的光线从LT基片的后表面反射回前表面,防止对梳型结构分辨率破坏。在从LT晶体制备LT基片的制备过程中,在晶体生长后,将坯料形式的LT基片包埋在碳粉末中,或置于碳容器中,然后维持650℃至1650℃的温度至少4小时进行热处理。
  • 钽酸锂基片及其制备方法
  • [发明专利]镜头总成-CN201310052131.X有效
  • 叶肇懿;陈志隆 - 高准精密工业股份有限公司
  • 2013-02-18 - 2014-08-20 - G02B13/00
  • f1为第一透镜的焦距,f2为第二透镜的焦距,D为第一透镜与第二透镜间的距离,TTL为镜头总成的全长,R1为第一凸面的曲率半径,R3及R4分别为第二凸面及第二凹面的曲率半径,Φ 为影像圆周;则0.01<|f/f2|<0.2;0.1<R1/f1<0.5;0.8<f1/TTL<1.1;0.2<D/f<0.5;0.3<R2/Φ<0.7;且0.03<(R3-R4)/(R3+R4)<0.3。
  • 镜头总成
  • [发明专利]光源-CN201180022768.3有效
  • M.A.H.多內斯 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 2011-04-26 - 2013-02-20 - H01L25/075
  • 该光具有作为在600nm<=λ<=680nm的第一范围、505nm<=λ<=600nm的第二范围、以及380nm<=λ<=505nm的第三范围上的波长λ的函数的光谱功率分布在所述第一范围上的积分功率分布与380nm<=λ<=680nm的范围的积分功率分布的第一比率由下列关系给定:公式(I),其中,0.65<=P1<=0.95,在所述第二范围上的积分功率分布与380nm<=λ<=680nm的范围的积分功率分布的第二比率由下列关系给定file="97744DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="144" he="64" />,其中,Pm>=0.08,在所述第三范围上的积分功率分布与380nm<=λ<=680nm的范围的积分功率分布的第三比率由下列关系给定:公式(III),其中,
  • 光源

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