专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维测量装置-CN202180091766.3在审
  • 石垣裕之;冈田点;二村伊久雄;间宫高弘;早崎芳夫 - CKD株式会社;国立大学法人宇都宫大学
  • 2021-11-05 - 2023-09-22 - G01B11/24
  • 三维测量装置(1)具备:干涉光学系统(3),具有将入射光分割成两个光的半透半反镜(HM),将该分割后的一个光照射到工件(W),并将另一个光照射到参考面(23),将它们再次合成并射出;第一投光系统(2A),朝向半透半反镜(HM)射出第一波长的第一光;第二投光系统(2B),朝向半透半反镜(HM)射出第二波长的第二光;第一拍摄系统(4A),对从半透半反镜(HM)射出的第一光涉及的输出光进行拍摄;以及第二拍摄系统(4B),对从半透半反镜(HM)射出的第二光涉及的输出光进行拍摄,构成为基于由拍摄系统(4A、4B)获取的图像数据执行工件(W)的三维测量,并且朝向工件(W)的第一光和第二光的行进方向不同,并且朝向参考面
  • 三维测量装置
  • [发明专利]在材料层中形成开口的方法-CN201611197347.5有效
  • 严永松;刘如淦;黄介志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-12-22 - 2022-10-18 - H01L21/027
  • 制造半导体器件的方法包括在材料层上方沿着第一方向形成硬掩模(HM)芯轴,沿着HM芯轴的侧壁形成第一间隔件,沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件并且在HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件上方形成具有第一线开口的图案化的光刻胶层在第一线开口内暴露HM芯轴、第一间隔件和第二间隔件的第一部分。该方法也包括通过第一线开口去除第一间隔件的第一部分以暴露材料层的第一部分并且通过使用HM芯轴和第二间隔件的暴露的第一部分作为子蚀刻掩模蚀刻材料层的暴露的第一部分以在材料层中形成第一开口。
  • 材料形成开口方法

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