专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硼锶化合物-CN201310344834.X无效
  • 唐志华 - 陕西理工学院
  • 2013-08-03 - 2013-12-11 - C01B35/18
  • 该化合物的化学式为Sr2B16O26,分子量为764.22,该化合物的制备包括如下步骤:S1:称取Bi2O3,SrCO3和H3BO3,所述Bi2O3∶SrCO3∶H3BO3的摩尔比为3∶3∶26;S2:将步骤S1中称取的Bi2O3,SrCO3和H3BO3混合后装入小坩埚,加热至735℃,反应2周,然后5℃/h的速率冷却至500℃,最后再以20℃/h冷却至室温,即可得到硼锶化合物,并且制得了该硼锶化合物的晶体
  • 一种化合物
  • [发明专利]硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法-CN03157326.6无效
  • 陈小龙;吴星;张淑玉 - 中国科学院物理研究所
  • 2003-09-18 - 2005-03-23 - C30B15/00
  • 本发明涉及一种硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法,包括如下步骤:1)制备Ca3(BO3)2粉末相:将CaCO3和B2O3粉末混合均匀,在1200℃加热24~36小时,然后冷却到室温;2)使用熔体提拉法生长Ca3(BO3)2单晶:将步骤1)制得的Ca3(BO3)2粉末置于铂金坩埚中,在提拉式单晶炉内,升温至1500~1550℃恒温1~5小时,然后降至1465~1480℃,待温度平衡后,采用定向籽晶,下籽晶,并恒温1~2h;以0.5~3℃/h的降温速度缓慢降温,晶体开始生长,同时晶体以20~60转/分的速度转动,以1~3mm/h的速度提拉晶体;待晶体生长到所需的尺寸以该方法生长Ca3(BO3)2晶体,可以获得大尺寸高质量的单晶,且工艺过程比较简单,易于操作,生长速度快,成本低。
  • 硼酸钙单晶熔体提拉生长方法

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