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[发明专利] 图像感测装置 -CN202111157605.8 在审
发明人：
文惠嫄
- 专利权人：
爱思开海力士有限公司
申请日：
2021-09-30
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公布日：
2022-07-19
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主分类号：
H04N5/369 文献下载
摘要： 本公开提供一种图像感测装置，包括：像素阵列，其被配置为包括属于第一行第一列的第一像素和属于第二行第二列的第二像素，第一像素和第二像素中的每一个包括被构造为响应于入射光而产生光电荷的一个或更多个光电转换元件；以及DCG 第一像素包括：第一浮置扩散区，其被配置为存储由第一像素的光电转换元件产生的光电荷；以及第一DCG 晶体管，其用于选择性地将DCG 电容器连接到第一浮置扩散区或者从第一浮置扩散区断开。第二像素包括：第二浮置扩散区，其被配置为存储由第二像素的光电转换元件产生的光电荷；以及第二DCG 晶体管，其用于选择性地将DCG 电容器连接到第二浮置扩散区或将从第二浮置扩散区断开。图像 装置
[发明专利] 静电释放保护装置 -CN201811480568.2 有效
发明人：
汪广羊
- 专利权人：
无锡华润上华科技有限公司
申请日：
2018-12-05
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公布日：
2022-08-12
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主分类号：
H01L27/02 文献下载
摘要： 所述第一GGNMOS器件和第二GGNMOS器件均包含多个GGNMOS晶体管，每个GGNMOS晶体管包括一所述栅极、栅极一侧的一源极区及另一侧的一漏极区；距离两GGNMOS器件最近的GGNMOS晶体管为DCG 最大的GGNMOS晶体管，DCG 为GGNMOS晶体管的漏极接触孔到栅极的距离。本发明将该最近处的GGNMOS晶体管的DCG 拉大，能够针对该极端条件提供更好的ESD保护能力，优化输入输出端口之间的ESD性能。且使晶圆的面积利用率更高，降低制造成本。静电 释放 保护装置
