专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]GaN衬底和半导体器件-CN201110006321.9无效
  • 藤原伸介;樱田隆;木山诚;善积祐介 - 住友电气工业株式会社
  • 2007-11-30 - 2011-08-10 - H01L21/02
  • 该半导体器件包括:GaN衬底(10),该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S,该比率不大于0.5,在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2,其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大;以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长的至少单层半导体层(20),其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。
  • gan衬底半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710194088.5无效
  • 藤原伸介;樱田隆;木山诚;善积祐介 - 住友电气工业株式会社
  • 2007-11-30 - 2008-06-04 - H01L21/20
  • 该半导体器件制造方法包括:制备GaN衬底(10)的步骤,该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S,该比率不大于0.5,在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2,其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大;以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤,其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [外观设计]台灯(T0001-CN202230780660.1有效
  • 李曹龙 - 李曹龙
  • 2022-11-22 - 2023-03-03 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:台灯(T0001)。2.本外观设计产品的用途:用于室内照明。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。
  • 台灯t0001
  • [发明专利]脂肪酸均衡的组合物及系列-CN201811092348.2在审
  • 陈栩徽 - 陈栩徽
  • 2018-09-19 - 2020-03-27 - A23L33/115
  • 本发明涉及一种脂肪酸均衡的组合物,其每份包含25种食物原料,进一步,提供了脂肪酸均衡的组合物系列,所述系列包含84份组合物,系列中的任意一份组合物所含19种营养素满足对应条件DRIs和行业标准WS/T578.1‑2017、WS/T578.2‑2018、WS/T578.3‑2017、WS/T578.4‑2018、WS/T578.5‑2018中19种营养素参考摄入量的要求,同时满足对应条件DRIs(中国居民膳食宏量营养素可接受范围)和行业标准WS/T578.1‑2017宏量营养素可接受范围要求,特别适合1岁及以上一般人群,通过平衡膳食、均衡营养,实现减少或预防营养不良和慢性疾病的发生。
  • 脂肪酸均衡组合系列

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