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[发明专利]一种监控CMOS电池寿命的方法及相关装置-CN202011305646.2在审
发明人：耿亮 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01R31/367 文献下载
摘要：本申请公开了一种监控CMOS电池寿命的方法，包括采集CMOS电池的放电电流；获取所述CMOS电池的电池容量的流失时间；根据所述CMOS电池的额定电池容量与所述放电电流得到所述CMOS电池的初始寿命；根据所述CMOS电池的初始寿命与所述流失时间得到所述CMOS电池的当前寿命。该方法能够对CMOS电池的寿命进行有效监控，可以得到COMS电池的实时寿命。本申请还公开了一种监控CMOS电池寿命的装置、设备及计算机可读存储介质，均具有上述技术效果。
一种监控 cmos 电池寿命方法相关装置

[发明专利]更新CMOS值的方法-CN200710166939.5无效
发明人：李剑英;邱国书 -专利权人：英业达股份有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种更新CMOS值的方法，包括下列步骤：提供一CMOS值的文件，此CMOS值的文件为预先读取或是经过修正；决定以一直接硬件控制或一间接网络控制来更新CMOS值；读取CMOS值；更新CMOS值依照本发明的方法，在批量更新时无需对每台电脑的CMOS值进行逐一设定。
更新 cmos 方法

[发明专利]CMOS带隙基准电压产生电路-CN201010187337.X无效
发明人：段新东 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明提出一种CMOS带隙基准电压产生电路，用于基准电压的输出，包括：第一CMOS、第二CMOS和第三CMOS、第一三极管、第二三极管、放大器、第四CMOS，所述第四CMOS的基极和所述放大器的输出端相连，所述第四CMOS的源极和所述第一CMOS的源极、所述第二CMOS的源极、所述第三CMOS的源极相连，第三三极管，所述第三三极管的基极和集电极接地，所述第三三极管的发射极和所述第四CMOS的漏极相连。本发明CMOS带隙基准电压产生电路通过增加一个支路和若干电阻，有效的消除了原电路中三极管的二阶温度调制效应，提高了基准电压产生电路的稳定性。
cmos 基准电压产生电路

[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器-CN202110324027.6有效
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；与支撑底座同层设置的反射板被刻蚀掉。
基于 cmos 工艺红外探测器镜像像元

[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器-CN202110324026.1有效
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和多个柱状结构，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括金属结构，金属结构位于红外转换结构和反射层之间
基于 cmos 工艺红外探测器镜像像元

[发明专利]CMOS数据恢复系统及方法-CN201010604470.0无效
发明人：彭爽 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：一种CMOS数据恢复系统，包括：获取模块，用于进入BIOS提供的设置界面时，获取CMOS中的所有数据和服务器的系统时间；控制模块，用于控制基板管理控制器存储CMOS数据和系统时间；获取模块，还用于当需要将系统时间对应的CMOS数据恢复到CMOS中时，获取用户所选择的该系统时间；发送模块，用于根据获取的系统时间发送命令给基板管理控制器，通知该基板管理控制器读取该系统时间对应的CMOS数据；设定模块，用于将所读取的CMOS数据设定到CMOS中；及所述控制模块，还用于重新启动服务器以完成CMOS数据恢复。本发明还提供了一种CMOS数据恢复方法，利用本发明，可以有效恢复之前保存的CMOS数据。
cmos 数据恢复系统方法

[发明专利]一种用于制造组合半导体器件的方法-CN201811063534.3有效
发明人： D·A·楚玛科夫;C·达尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：此外，该方法包括在半导体衬底的非CMOS区域中提供保护层或保护层堆叠的步骤，其中非CMOS区域是半导体衬底为非CMOS器件预留的部分。此外，该方法包括在半导体衬底的CMOS区域中至少部分地制造CMOS器件的步骤，非CMOS区域和CMOS区域彼此不同。此外，该方法包括去除保护层或保护层堆叠，以暴露非CMOS区域中的半导体衬底的步骤。此外，该方法包括在半导体衬底的非CMOS区域中制造非CMOS器件的步骤。
一种用于制造组合半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201110104418.3有效
发明人：舛冈富士雄;新井绅太郎 -专利权人：日本优尼山帝斯电子株式会社
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，CMOS反向器结合电路由使用SGT的串联连接成2段以上的CMOS反向器所构成。多个CMOS反向器共同使用衬底的源极扩散层。形成在栅极配线上的接触部的构造不同的CMOS反向器交互邻接配置。CMOS反向器彼此以最小间隔配置。CMOS反向器的输出端通过下一段的CMOS反向器的接触部，连接在下一段的CMOS反向器的配线层。本发明可利用SGT形成占有面积小且连接成2段以上的CMOS反向器。
半导体器件

[实用新型]一种基于CMOS传感器的光强检测装置-CN202023057029.3有效
发明人：钟土基 -专利权人：佛山市双耀科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于CMOS传感器的光强检测装置，包括CMOS传感器模块、第一AD转换模块、第二AD转换模块、供电模块以及处理器模块；所述CMOS传感器模块包括衰减片、分光片以及呈镜像设置的第一CMOS传感器和第二CMOS传感器，光线经所述分光片反射后依次射向所述衰减片以及第二CMOS传感器，光线经所述分光片折射后射向所述第一CMOS传感器；所述第一CMOS传感器、第二CMOS传感器、第一AD转换模块以及第二AD转换模块均与所述处理器模块连接，所述第一CMOS传感器与所述第一AD转换模块连接，所述第二CMOS传感器与所述第二AD转换模块连接；所述供电模块用于给整个装置供电。采用本实用新型，能够扩展CMOS传感器采集图像的位深，提高CMOS传感器采集图像的质量。
一种基于 cmos 传感器检测装置

[发明专利]信道热载流子效应测量装置及其方法-CN01109546.6有效
发明人：陈伟梵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-30 - 公布日： 2002-11-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种信道热载流子效应测量装置,适用于CMOS反相器。该装置包括一电源供应器、一功能产生器、以及一电流计。电源供应器是耦接至CMOS反相器,向CMOS反相器提供一电源电压。功能产生器耦接至CMOS反相器,向CMOS反相器的该输入端提供一三角波信号。电流计与CMOS反相器串接,于CMOS反相器经过热载流子效应应力处理前后,测量CMOS反相器瞬时电流。
信道载流子效应测量装置及其方法

[发明专利]一种clear CMOS的管理方法、装置、设备及介质-CN202010724651.0在审
发明人：杨川 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种clear CMOS的管理方法、装置、设备及介质，该方法包括：利用指纹传感器采集管理员的指纹密码，并判断是否接收到clear CMOS的操作指令；若是，则通过管理员的指纹密码判断clearCMOS是否合法；若合法，则执行clear CMOS；若不合法，则禁止执行clear CMOS。显然，因为只有当clear CMOS通过管理员的指纹密码校验时，才能执行clear CMOS，这样相比于现有技术而言，就避免了只需要扣掉用于对CMOS进行供电的电池，或者是找到主板上的jumper就可以直接执行clear CMOS的现象，由此就可以提高在执行clear CMOS时的安全性与可靠性。
一种 clear cmos 管理方法装置设备介质

[发明专利]一种基于CMOS工艺的红外探测器-CN202110324084.4有效
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器，包括：CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统上方包括至少一层密闭释放隔绝层，至少一层密闭释放隔绝层位于CMOS红外传感结构中；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接，至少部分相邻的红外探测器像元的反射板相互接触；至少一层密闭释放隔绝层位于CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构之间的界面，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题，位于CMOS红外传感结构中的密闭释放隔绝层降低了牺牲层的释放难度
一种基于 cmos 工艺红外探测器

[实用新型]一种CMOS摄像镜头护套及带有CMOS摄像镜头的扩阴器-CN201320125096.5有效
发明人：刘华;童俊平 -专利权人：亚新科技（珠海）发展有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G02B23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CMOS摄像镜头护套，包括套装在CMOS摄像镜头外表面上的硅胶套，所述硅胶套端部壁设置有限位环，所述限位环的中心孔直径尺寸小于CMOS摄像镜头的外径尺寸，还公开了一种带有CMOS摄像镜头的扩阴器，一种CMOS摄像镜头护套及带有CMOS摄像镜头的扩阴器，该扩阴器结构简单、操作方便，能够帮助医生在检查和治疗扩大视野，该CMOS摄像镜头护套一次性使用，在使用中可以保持CMOS摄像镜头清洁，使CMOS
一种 cmos 摄像镜头护套带有扩阴器

[发明专利]CMOS图像传感器的校对办法及装置、CMOS图像传感器模组-CN201911316395.5在审
发明人：钟立源;张黎黎;李欣然 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的校对办法及装置、CMOS图像传感器模组。其中，所述CMOS图像传感器的校对办法，包括：提供CMOS图像传感器模组，所述CMOS图像传感器模组包括：待校正的CMOS图像传感器和镜头，所述镜头的光心正对所述CMOS图像传感器感光区；提供固定亮度的光源，对准所述镜头的正上方；启动CMOS图像传感器，使之进入正常工作状态；调整所述CMOS图像传感器的参数，当输出图像的中心区域亮度为满量程亮度的1/2~2/3时，抓取此时的输出图像作为测试图像；采集所述测试图像的数据本发明提出的一种CMOS图像传感器的校对方法，解决了CMOS图像传感器模组镜头衰减存在一致性差异的问题。
cmos 图像传感器校对办法装置模组

[发明专利]一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件-CN201910877965.1有效
发明人：温良恭;吴欣羽 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，该器件包括：CMOS兼容电路系统和多个金属层，相邻金属层之间设置有介质层；至少有一个金属层为超材料结构层；超材料结构层与至少一个CMOS器件集成，CMOS器件用于调整超材料结构层的电磁响应特性；CMOS兼容电路系统用于将不同控制电压传送至CMOS器件，以动态调谐可调谐超材料器件。通过将超材料与CMOS器件进行集成，并通过CMOS兼容电路系统控制CMOS器件的偏置电压，加工制造工艺为标准CMOS工艺，工艺简单，稳定性高，易于实现规模化生产，能够大大降低生产成本；且该器件具有设计流程标准，不依赖工艺、材料等特点，并可利用不同CMOS工艺节点实现较宽的可调谐超材料响应频段。
一种基于 cmos 工艺调谐材料器件