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[发明专利]CdGeAs₂晶体的腐蚀剂与腐蚀方法-CN200810046286.1无效
发明人：赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;邓江辉 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：一种CdGeAs₂晶体的腐蚀剂，由盐酸、硝酸和纯净水配制而成，盐酸、硝酸、纯净水的体积比为盐酸∶硝酸∶纯净水＝1∶1∶1，所述盐酸的质量浓度为35～38％，所述硝酸的质量浓度为65一种CdGeAs₂晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，其工艺步骤依次如下：(1)腐蚀，将研磨、抛光处理后的CdGeAs₂晶片浸入腐蚀剂中，在摆动下于常压、15℃～30℃腐蚀15秒～40秒取出；(2)清洗，将从腐蚀剂中取出的CdGeAs₂晶片浸入碱性清洗剂中终止腐蚀反应，再用纯净水清洗至中性；(3)干燥，将清洗后的CdGeAs₂
cdgeas sub 晶体腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法-CN201811149529.4在审
发明人：霍晓青;刘禹岑;于凯;徐永宽;赵堃 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可补偿镉元素的砷锗镉单晶生长方法，该方法采用VGF生长装置对Cd元素补偿的CdGeAs₂单晶的生长过程进行控制，VGF生长装置包括由石英原料坩埚和平底石英坩埚组成的单晶生长坩埚和五温区生长炉，石英原料坩埚部分设为晶体生长区，平底石英坩埚设为元素补偿区，元素补偿区位于单晶生长坩埚的下方，两区域通过生长坩埚侧壁的元素补偿管相连通，将CdGeAs₂和Cd原料放进两层的坩埚内，分温区和步骤控制CdGeAs₂单晶生长温度，在单晶生长过程中补偿Cd元素，使晶体首尾两端Cd元素均匀分布，解决因为Cd元素不一致导致的单晶性能不统一的问题，增大单晶的有效使用体积，降低CdGeAs₂单晶生长成本。
单晶生长单晶坩埚单晶生长坩埚生长装置石英原料补偿区可补偿温区单晶生长过程平底石英坩埚晶体生长区生长过程生长坩埚石英坩埚首尾两端有效使用补偿管不一致生长炉侧壁两层统一