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[发明专利]一种BiVO4-CN202310198468.5在审
发明人：赵一阳;李政道;杨传云 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，具体涉及一种BiVO4/Ag2S复合光催化剂及其制备方法、应用。所述光催化剂以不锈钢丝网为基础，在不锈钢丝网上生长负载BiVO4纳米片，将Ag2S沉积在所述BiVO4纳米片上形成p‑n异质结BiVO4/Ag2S复合材料，所述BiVO4BiVO4纳米片，然后通过原位沉积在BiVO4表面修饰Ag2S形成p‑n异质结BiVO4/Ag2S复合材料，固化光催化剂BiVO
一种 bivo base sub

[发明专利]一种纺织纤维/BiVO₄/CoO复合光催化材料的制备方法-CN201811503363.1在审
发明人：王怡乐;刘保江;张瑞祥;张海升;田君梅;俞丹;王炜 -专利权人：东华大学;上海仁弗环保科技有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： B01J31/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种纺织纤维/BiVO₄/CoO复合光催化材料的制备方法。该方法包括：BiVO₄/CoO复合粉体制备，BiVO₄/CoO复合催化剂制备，纺织纤维/BiVO₄/CoO复合光催化材料制备。
制备复合光催化材料纺织纤维复合催化材料复合催化剂复合粉体制催化性能

[发明专利]一种CdS/BiVO₄复合半导体光催化剂、制备及应用-CN201410545319.2在审
发明人：王雄;田鹏;张旻;邹磊 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdS/BiVO₄复合半导体光催化剂、制备及应用。属于环境材料制备技术领域。本发明首先采用溶剂热法制备BiVO₄粉体，然后水热合成CdS/BiVO₄复合半导体。按照本方法制备出来了单斜相BiVO₄，并以此为载体，负载CdS纳米颗粒，增加了光催化剂的比表面积，降低了电子空穴复合率，提高了BiVO₄的光催化活性，能够有效降解污水中的有机染料
一种 cds bivo sub 复合半导体光催化剂制备应用

[发明专利]一种光电极及其制备方法和应用-CN202110060275.4在审
发明人：范东华;张云波;黄吉儿;梁胜华;孙史巍 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C25B11/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电极及其制备方法和应用，用两次电化学沉积法制备FTO/BiVO4/Cu2O光电极；将所述FTO/BiVO4/Cu2O光电极用于光电催化水氧化反应过程；所述FTO/BiVO4/Cu2O光电极中BiVO4晶型为单斜结构，其孔隙为10‑80nm，粒子尺寸为50‑200nm；Cu2O的粒子尺寸约为0.8‑1.5μm；BiVO4<；所述BiVO4与Cu2O沉积的摩尔比为1:4‑32，各自电解液中的Bi与Cu的摩尔比为1：8。本发明所述的FTO/BiVO4/Cu2O光电极可提高单纯BiVO4载流子分离
一种电极及其制备方法应用

[发明专利]一种GaN/BiVO4-CN202310905843.5在审
发明人：席鑫;李拓;刘凯;邹晓峰;王长红;苏康;李国庆;李南君;郭建文 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提出了一种GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料及其制备方法，其中，GaN/BiVO4/WO3半导体复合材料的结构包括：衬底、GaN层、BiVO4层以及WO3层；其中，GaN层形成于衬底上，BiVO4层形成于GaN层上，WO3层形成于BiVO4<层、BiVO4层以及WO3层产生光生电子空穴对时对光生电子空穴对产生分离作用。通过本发明方法制备的GaN/BiVO4/WO3复合材料，能够通过窄带隙BiVO4
一种 gan bivo base sub

[发明专利]一种用于甲醛降解的钒酸铋复合材料的制备方法-CN202011349001.9在审
发明人：庾翔;张建华 -专利权人：深圳瀚光科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： B01J23/847 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于甲醛降解的钒酸铋复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备单斜BiVO4晶体、制备Cu2O/BiVO4复合材料和制备Cu2O/Co3O4/BiVO本发明提供的用于甲醛降解的钒酸铋复合材料的制备方法包括制备单斜BiVO4晶体步骤、制备Cu2O/BiVO4复合材料步骤和制备Cu2O/Co3O4/BiVO4复合材料，通过制备单斜BiVO4晶体步骤制备出单斜BiVO4晶体，单斜BiVO
一种用于甲醛降解钒酸铋复合材料制备方法

[发明专利]一种Cs0.32WO3/(m-t)-BiVO4异质结及其制备方法和应用-CN202211064467.3在审
发明人：谈国强;杨迁;毕钰;冯帅军;王敏;张碧鑫;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结及其制备方法和应用，所述异质结包括暴露(010)晶面的十面体状单斜相m‑BiVO4和由十面体状单斜相m‑BiVO4的(110)晶面相变得到的四方相t‑BiVO4，以及负载在四方相t‑BiVO4上的颗粒状Cs0.32WO3，十面体状单斜相m‑BiVO4与四方相t‑BiVO4形成Z型异质结；四方相t‑BiVO本发明Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4双Z型异质结在紫外‑可见光‑
一种 cs0 32 wo3 bivo4 异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种PVC用纳米钒酸铋防污自清洁表面整理助剂-CN201911334305.5在审
发明人：夏登明;周瑾;王向锋;张陈成 -专利权人：南通吉美装饰材料有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVC用纳米钒酸铋防污自清洁表面整理助剂,包括以下步骤：A、纳米BiVO4分散液制备：将纳米BiVO4粒子，适量无水乙醇，NaOH和草酸调节pH至弱酸性，分散制得纳米BiVO4分散液；B、改性纳米BiVO4粒子制备：取适量的纳米BiVO4分散乳液，加入偶联剂水解液，调节pH至弱酸性，得到改性BiVO4粒子；C、光催化自清洁整理剂制备：取改性BiVO4粒子，DMF，0.5%六偏磷酸钠，得到光催化自清洁整理剂；D、PVC膜涂层：采用涂层机在干燥的PVC膜材涂覆0.04‑0.06 mm的保护层，再将含有改性纳米BiVO4粒子的光催化自清洁整理剂涂覆于PVC膜材上，烘干制得自清洁PVC膜材，本发明亲油化度较高，
一种 pvc 纳米钒酸铋防污清洁表面整理助剂

[发明专利]一种Ce-BiVO4-CN202011514411.4在审
发明人：张文涛;严文;许心茹;黄艺;黄雪;王晓萌;张佩聪;张继勇;王特深;肖江国 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：所述g‑C3N4/BiVO4‑Ce光阳极复合材料需附着于FTO导电玻璃上。Ce‑BiVO4是将Ce负载于BiVO4基体上，其中BiVO4‑Ce的化学式为xVO4,0.01≤x≤0.03；再将g‑C3N4与BiVO4‑Ce进行复合为g‑C3N4/BiVO43N4与BiVO4‑Ce的质量比为1:5~1:20。
一种 ce bivo base sub

[发明专利]一种氮化碳/氧化石墨烯/(040)晶面钒酸铋异质结及其制备方法和应用-CN201710175639.7有效
发明人：谈国强;王颖;赵程程;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化碳/氧化石墨烯/(040)晶面钒酸铋异质结及其制备方法和应用，先通过水热法合成(040)晶面BiVO₄粉体，并通过煅烧法获得g‑C₃N₄粉体，再通过水热法将(040)晶面BiVO₄粉体与氧化石墨烯(GO)复合，最后通过超声法进行g‑C₃N₄粉体和GO/(040)晶面BiVO₄粉体的复合，合成了g‑C₃N₄/GO/(040)晶面BiVO₄异质结。>4、GO和(040)晶面BiVO₄之间形成了异质结且相互间能级匹配，有利于光生电子和空穴的分离，使(040)晶面BiVO₄光响应范围变大，光生载流子的分离率提高，从而提高(040)晶面BiVO₄的光催化性能。
一种氮化氧化石墨 040 晶面钒酸铋异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种MOFs包覆的OV-BiVO4-CN201911315325.8有效
发明人：尹双凤;潘金波;申升;陈浪;郭君康 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C25B11/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOFs均匀包覆的OV‑BiVO4复合光阳极的制备方法，包括如下步骤：(1)通过电化学沉积‑热处理的方法制备BiVO4纳米阵列；(2)将步骤(1)得到的BiVO4纳米片阵列置于含氢气气氛中灼烧得到OV‑BiVO4；(3)将步骤(2)得到的OV‑BiVO4进行表面阴离子化处理后，通过水热法将MOFs包覆到OV‑BiVO4表面。OV‑BiVO4界面的空穴，实现高效的电荷分离；另外，可以保护氧空位，增强稳定性。
一种 mofs ov bivo base sub

[发明专利]一种WO3-CN201810678391.0有效
发明人：侯慧林;马自在;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：本发明涉及WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料及其制备方法和在光电催化中的应用，属于光电催化领域。一种WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料，主要表现形式为单斜相WO3、单斜BiVO4和非晶态FeOOH。WO3在底层，BiVO4覆盖在WO3上，FeOOH包裹在最外层，其中，BiVO本发明WO3/BiVO4/FeOOH三元体系复合材料利用WO3/多孔BiVO
一种 wo base sub

[发明专利]一种钴酸镍/氧化镁/钒酸铋光阳极及其制备方法-CN202210666395.3有效
发明人：王其召;王李娜;陈凯怡;梅琼;丁飞;黄静伟 -专利权人：长安大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C25B11/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在基底材料上沉积BiVO4薄膜，然后通过电泳沉积法沉积MgO薄膜，依次经清洗、干燥和煅烧，制得MgO/BiVO4电极本发明制得的NiCo2O4/MgO/BiVO4光阳极在1.23V vs.RHE时，产生的最高光电流密度为4.6mA·cm‑2，约为NiCo2O4/BiVO4光阳极的1.5倍、MgO/BiVO4光阳极的1.7倍和BiVO4光阳极的2.8
一种钴酸镍氧化镁钒酸铋光阳极及其制备方法

[发明专利]一种富含氧空位Bi/BiVO4-CN202010719187.6有效
发明人：武占省;薛永涛;何秀方;田飞;李云锋;张洛红 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种富含氧空位Bi/BiVO4‑CdS光催化剂的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1：BiVO4的制备：步骤2：Bi/BiVO4的制备：步骤3：Bi/BiVO4‑CdS的制备：将Bi/BiVO4添加到含二水乙酸镉的去离子水中；然后将溶液搅拌30分钟，以实现Cd2+在Bi/BiVO4表面上的优先吸收；将硫脲加入上述溶液中并在80‑100℃下保持20‑40分钟；将沉淀物用去离子水洗涤数次，并在真空烘箱中干燥后得到Bi/BiVO4‑CdS光催化剂，提供了一种在可见光下对四环素表现出降解效率高，速率快，具有良好的经济和环境效益的富含氧空位的Bi/BiVO4‑CdS光催化剂。
一种富含空位 bi bivo base sub

[发明专利]钒酸铋的制备方法-CN201210228971.2有效
发明人：赵青燕;朱刘;李蓉;裴志明;刘华胜 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：Na2MoO4、纯净水、以及NaOH配制NaVO3混合溶液；将Bi(NO3)3溶液加入NH4VO3混合溶液中，Bi(NO3)3溶液加完之后，调节反应溶液初始pH，且搅拌；反应完毕后，进行陈化处理；对于反应获得的BiVO4沉淀物洗涤、分离、干燥，以获得干燥的BiVO4粉体；将干燥的BiVO4粉体煅烧，以获得烧结的BiVO4粉体；将烧结的BiVO4粉体进行球磨；将球磨后的BiVO4粉体干燥，以获得BiVO4产品。
钒酸铋制备方法