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[发明专利]砷化镓太阳电池及其制造方法-CN202010093535.3有效
发明人：吴真龙;张策;朱鸿根;郭文辉;李俊承 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓太阳电池，包含底电池、至少一个子电池以及顶电池，其中：顶电池的窗口层全部或部分采用AlGaInP/AlInP超晶格。其优点是：AlGaInP/AlInP超晶格中AlGaInP可以通过提高Al组分来减小晶格常数和提高带隙，减少AlGaInP的吸光。而AlInP保持与GaInP子电池晶格匹配，利用AlGaInP/AlInP超晶格的应变生长可以提高窗口层带隙，减少吸光。
砷化镓太阳电池及其制造方法

[发明专利]AlGaInP发光二极管组件-CN02148018.4有效
发明人：陈乃权;周以伦;易乃冠 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al₂O₃形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al₂O₃第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。
algainp 发光二极管组件

[发明专利]一种多结太阳能电池及供电设备-CN202010259516.3有效
发明人：吴真龙;李俊承;张策;朱鸿根;郭文辉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供了一种多结太阳能电池及供电设备，包括：底电池；位于底电池上的第一隧穿结；位于第一隧穿结背离底电池一侧的DBR反射层；位于DBR反射层背离底电池一侧的依次叠加的至少一个子电池，至少一个子电池包括自底电池至子电池方向依次叠加的AlGaInP背场层、子电池基区、子电池发射区及子电池窗口层，AlGaInP背场层掺杂有Sb和Zn。本发明提供的AlGaInP背场层掺杂有Sb和Zn，进而能够通过Sb掺杂能够提高AlGaInP背场层的AlGaInP材料生长的无序度，增加AlGaInP材料的带隙，提高载流子的收集效率；同时有效地降低AlGaInP
一种太阳能电池供电设备

[发明专利]半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置-CN200510108809.7无效
发明人：宫嵜启介;辰巳正毅 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置，其在N型GaAs衬底(1)上形成有源层(6)上，在有源层(6)上形成P型AlGaInP外敷层(8)。另外，P型AlGaINP外敷层(8)上形成的脊部的侧方上形成具有与P型AlGaInP外敷层(8)大致相同的折射率的N型AlGaInP阻碍层(13)。
半导体激光元件以及单片波长装置

[发明专利]高输出红色半导体激光器-CN200680037164.5无效
发明人：中原健;石川努 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：该发明在倾斜n－GaAs衬底(2)上层叠有n－AlGaInP包层(3)、AlGaInP光导层(4)、MQW有源层(5)、AlGaInP光导层(6)、p－AlGaInP第1包层(7)、AlGaInP蚀刻停止层(8)、n－AlGaInP阻挡层(11)、p－AlGaAs第2包层(9)、p－GaAs接触层(10)、p电极(12)，在n－GaAs衬底(2)的背面形成有n电极(1)。
输出红色半导体激光器

[发明专利]表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法-CN201610216232.X有效
发明人：徐洲;杨凯;赵宇;林鸿亮;徐培强;何胜;李波;张永;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。采用ITO扩展电流扩展层代替n型AlGaInP电流扩展层，既可改善LED芯片的电流扩展均匀性，又消除了n型AlGaInP电流扩展层吸光的问题，提高出光效率。因此，可以延长反极性AlGaInP基LED的寿命、提高其光电转换效率。本发明具有工艺简单、方便生产操作的优点。
表面覆盖 ito 极性 algainp led 及其制造方法

[发明专利]基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法-CN202310440820.1在审
发明人：梅松;林继宏;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于SiC衬底的AlGaInP发光二极管及制备方法，该制备方法在具有极佳导热系数的SiC衬底上生长AlGaInP外延层，因此无需向现有技术中一样通过衬底转移技术将AlGaInP外延片转移至其它高导热系数的衬底上，工艺相对简单，考虑到SiC与AlGaInP晶格不匹配的问题，通过在SiC衬底上生长目标低温缓冲层和高温缓冲层为后面外延生长AlGaInP提供更好的平台，并且目标低温缓冲层采用温度不同的两步生长法，同时可大幅度降低位错密度
基于 sic 衬底 algainp 发光二极管制备方法

[发明专利]一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器-CN201710054607.1有效
发明人：徐现刚;朱振;张新 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生长的超晶格结构，所述第一上限制层中，高铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，低铝组分的AlGaInP材料的掺杂材料为Mg，第二上限制层为高铝组分的AlGaInP材料，第二上限制层的掺杂材料为
一种具有晶格限制 algainp 半导体激光器

[实用新型]一种反极性AlGaInP基发光二极管-CN201420410292.1有效
发明人：陈亮;杨凯;马祥柱;白继锋;陈宝;李忠辉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种反极性AlGaInP基发光二极管，属于光电子技术领域，在Si衬底一面依次设置粘结层、反射镜层、p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n-AlGaInP限制层，在Si衬底的另一面设置p电极和n扩展电极，所述n扩展电极与p电极电学连接，在所述n-AlGaInP限制层上设置n主电极；在n-AlGaInP限制层上还图形化地设置ｎ型砷化镓欧姆接触层，在ｎ型砷化镓欧姆接触层上通过第一可粗化n-AlGaInP
一种极性 algainp 发光二极管

[发明专利]对包括ALGAINP-LED的半导体晶圆进行激光处理以提高其光产生效率的方法-CN202080041359.7在审
发明人：延斯·埃贝克;菲利普·克罗伊特尔;克里斯托夫·克伦普;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP‑LED的半导体晶圆(10)进行处理以提高AlGaInP‑LED的光产生效率的方法，其中，每个ALGaInP‑LED包括夹在两个外层之间的用于光产生的核心有源层，核心有源层具有中心光产生区域(20)和围绕中心光产生区域的外围边缘(22)，该方法包括以下步骤：利用激光束(L)处理每个AlGaInP‑LED的核心有源层的外围边缘(22)，从而将每个外围边缘(22)中的最小带隙增加到以下这样的程度：在AlGaInP‑LED的后续操作期间，电子空穴复合基本上被限制于中心光产生区域。
包括 algainp led 半导体进行激光处理提高产生效率方法

[发明专利]半导体激光器及使用该激光器的光盘装置-CN96197975.5无效
发明人：大户口勳;足立秀人;万浓正也;福久敏哉;高森晃 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-09-17 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。
半导体激光器使用激光器光盘装置

[发明专利]一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法-CN201710849105.8在审
发明人：李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaInP薄膜LED芯片切割道的制备方法，包括以下步骤首先利用常规的MOCVD制备AlGaInP LED外延材料，然后利用金属蒸发、光刻、腐蚀、键合、合金这些常规的管芯制备工艺将外延材料转移到键合基板上，制备N面出光的AlGaInP薄膜LED芯片；在切割分离AlGaInP薄膜LED芯片之前，利用光刻工艺对切割道以外的区域用光刻胶保护，然后将将待切割的AlGaInP薄膜LED芯片放入碘酸水溶液、盐酸和水配制的切割道腐蚀液中，把切割道对应区域的外延材料腐蚀掉，制备出切割道，最后用激光切割机或砂轮切割机沿切割道中心线将AlGaInP薄膜LED芯片分离。
一种 algainp 薄膜 led 芯片切割制备方法

[发明专利]白光LED外延片及其制作工艺以及白光LED芯片的制作方法-CN201210015781.2有效
发明人：吉爱华;张杰;边树仁;胡家祺;周升涛;吉志英 -专利权人：鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：/GaN多量子阱发光层、绿光P-GaN接触层、蓝绿光级联层、蓝光N-GaN接触层、蓝光InGaN/GaN多量子阱发光层、蓝光P-GaN接触层、红蓝光级联层、红光N-GaP电流扩展及欧姆接触层、红光N-AlGaInP过渡及下限制层、红光多量子阱AlGaInP发光层、红光P-AlGaInP上限制层、红光P-GaP电流扩展层、黄红光级联层、黄光N-GaP电流扩展及欧姆接触层、黄光N-AlGaInP过渡和下限制层、黄光多量子阱AlGaInP发光层、黄光P-AlGaInP上限制层及黄光P-GaP电流扩展层。
白光 led 外延及其制作工艺以及芯片制作方法

[发明专利]一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法-CN201610243363.7在审
发明人：裴艳丽;王钢;林家勇 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料与半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法。一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片，其中，包括n型GaAs衬底、其上的GaAs缓冲层、n‑AlAs/AlGaAs布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、AlGaInP多层量子阱发光层、p‑AlGaInP
一种氧化锌透明电极结构 algainp led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法-CN201310455429.5有效
发明人：马淑芳;田海军;吴小强;关永莉;梁建;许并社 -专利权人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。
一种高效率 algainp 发光二极管外延及其制备方法

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