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[发明专利]一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法-CN201710797535.X在审
发明人：余超;程可任;祝洪喜;邓承继;丁军 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法。其技术方案是将Al4SiC4基体装入坩埚内，再将所述坩埚置于管式刚玉炉中，在氩气气氛和1000~1800℃条件下保温30~600min，冷却至室温，制得Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料；所述Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面。所述Al4SiC4基体为Al4SiC4坯体和Al4SiC4粉体中的一种；所述Al4SiC4坯体是在5~50MPa条件下将Al4SiC4粉体压制成型；所述Al4SiC4粉体的Al4SiC4含量≥98.0wt本发明不需要添加催化剂，工艺简单；所制备的Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面，尺寸可控。
一种 al4o4c 晶须纳米复合材料合成方法

[发明专利]在高速切削加工中硬质被覆层发挥优异的耐磨性的表面被覆切削工具部件和在切削工具表面形成该硬质被覆层的方法-CN03806613.0有效
发明人：佐藤和则;近藤晓裕;田中裕介 -专利权人：三菱综合材料神户工具株式会社;三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：是在碳化钨基超硬合金基体或碳氮化钛系金属陶瓷基体或立方晶氮化硼基烧结材料的表面，以1－15μm的整体平均层厚物理蒸镀Al与Ti的复合氮化物构成的硬质被覆层而成的表面被覆切削工具部件，其中，用下述硬质被覆层构成该表面被覆切削工具部件的硬质被覆层，所述硬质被覆层沿层厚方向隔给定间隔交替地重复存在Al最高含有点(Ti最低含有点)和Al最低含有点(Ti最高含有点)，并且从Al最高含有点到Al最低含有点、从Al最低含有点到Al最高含有点，Al(Ti)含量具有连续变化的成分浓度分布结构，而且，Al最高含有点满足组成式：(Al_XTi_1－X)N(其中，用原子比表示，X表示0.70－0.95)，Al最低含有点满足组成式：(Al_YTi_1－Y)N(Y表示0.40－0.65)，并且相邻的Al最高含有点和Al最低含有点的间隔为0.01－0.1μm。
高速切削加工硬质被覆发挥优异耐磨性表面工具部件形成方法

[发明专利]基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法-CN202110938095.1在审
发明人：刘胜北 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Al离子注入的GaN异质外延缓冲层的制作方法，包括步骤：1)提供一用于GaN异质外延生长的衬底；2)于衬底表层进行Al元素注入，其中，Al元素的注入浓度大于衬底的Al元素固溶度；3)对衬底进行退火工艺以修复衬底的晶格缺陷，同时使衬底表层的Al元素从衬底中析出并在衬底表面形成Al成核层；4)向衬底表面通入Al源与N源，基于Al成核层在衬底表面进行AlN缓冲层的生长。本发明可以精确控制Al元素的注入剂量，解决了原来GaN异质外延生长的AlN缓冲层制备过程中，由于预通Al源工艺窗口较小的情况下造成的外延质量问题以及外延一致性问题。
基于 al 离子注入 gan 外延缓冲制作方法

[发明专利]一种聚变堆氚增殖包层用Fe-Al/Al₂O₃阻氚涂层及其制备方法-CN201610584964.4有效
发明人：劳远侠;汪渊;牛文骁 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚变堆氚增殖包层用Fe‑Al/Al₂O₃阻氚涂层及其制备方法，本发明的涂层由Fe‑Al扩散层及其表面原位氧化生成的Al₂本发明的Fe‑Al扩散层中钢基体一侧的纳米晶界可成为Al原子向钢基体内部扩散的通道；扩散退火时，Al原子沿纳米晶界向钢基体内部迅速扩散，这将大大降低涂层和界面处Al元素的含量，抑制高铝化合物（Fe₂Al₅，FeAl₃，FeAl₂等）的形成；涂层中，低铝化合物（FeAl）的形成降低了Fe、Al元素的成分梯度，抑制了柯肯达尔空洞的产生
一种聚变增殖包层 fe al sub 涂层及其制备方法

[发明专利]一种纳米Al/RDX核-壳结构含能复合粒子的制备方法-CN201210584924.1无效
发明人：马振叶;赵凤起;徐娟;徐司雨;肖立柏;仪建华;查明霞 -专利权人：南京师范大学;西安近代化学研究所
申请日： 2012-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米Al/RDX核-壳结构含能复合粒子的制备方法，包括三步：(1)前驱物的制备：利用化学法合成AlH3·NR1R2R3前驱物；(2)纳米Al的生成：在一定温度下，催化分解前驱物，得到纳米Al粒子；(3)纳米Al/RDX复合粒子的制备：原位采用溶剂-反溶剂法，用析出的RDX对制备出的纳米Al直接包覆，合成纳米Al/RDX核-壳结构含能复合粒子。本发明采用推进剂主成分氧化剂RDX原位对生成的纳米Al直接包覆，可有效阻止纳米Al的氧化，保持了纳米Al的活性；同时，表面的RDX为应用体系的配方组分，纳米复合粒子之间的协同效应可改善纳米Al粒子与其他组分的相容性
一种纳米 al rdx 结构复合粒子制备方法

[发明专利]过冷原子团族控制晶化的纳米合金合成方法-CN200310112719.6无效
发明人：孟祥康;颜庆云;王凯良;孟大润;华文宇;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： C22C19/03 文献下载
摘要：过冷原子团族控制晶化的Ni/Al纳米合金的合成方法，其特征是以真空直流磁控共溅射方法用Ni/Al复合靶制备Ni和Al的Ni/Al薄膜，共溅射沉积过程是在氩气保护下沉积在异质高分子材料的基片上溅射30－150用Ni/Al复合靶制备化学成分为75％的Ni和25％的Al的Ni/Al薄膜，将高纯的Ni和Al片切成10度的扇形片，然后粘贴在一起形成一个圆片，以此作为复合靶，用比例为23Ni∶13Al的复合靶可以制得成分正好为3Ni∶1Al的沉积膜。
过冷原子团控制纳米合金合成方法

[实用新型]LED电极及倒装LED芯片-CN202222042822.9有效
发明人：李明;李冬梅;王思博;廖汉忠;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED电极，电极结构至少包括反射层、阻挡层、Al复合层、保护层，所述Al复合包括n个Al子层，以及分别设置于相邻Al子层之间的Ti子层，1≤n≤10。采用Al复合层替代Åu层制造LED电极以极大的降低成本。Al复合层中采用Al、Cr、Ni、Ti的层式结构，Ni用于隔绝Al和Ti，可以保证电极在DBR孔洞斜坡位置的稳定性，避免出现孔洞，保证电极在斜坡位置的披覆，Cr用于隔绝Al、Ni，避免后续高温工艺中Al
led 电极倒装芯片

[发明专利]高温抗剥落Y-Al₂O₃/MCrAlY复合涂层及其制备方法-CN201910818160.X在审
发明人：张淑婷;欧阳佩旋;阎红娟;宣鹏举;司丽娜;曹雷刚;祖岩 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：Y‑Al₂O₃/MCrAlY复合涂层，M是Ni、Co或Fe中的一种或几种，涂层具有多层结构，且Al₂O₃膜中不含有Y₂O₃及Y‑Al‑O氧化物。该涂层由Y‑Al₂O₃层和MCrAlY层组成，Y‑Al₂O₃层位于MCrAlY层上表面。Y‑Al₂O₃层中，Y原子占据Al₂O₃晶格中Al原子位置，涂层结构仍为Al₂O₃晶型；Y‑Al₂O₃层不含有Y₂O₃及Y‑Al‑O氧化物。
复合涂层抗剥落氧化物制备表面工程技术多层结构热端部件使用寿命涂层结构原子位置耐高温上表面晶格晶型可用舰船防护冶金占据航空

[发明专利]一种Al/GO/AP复合含能微单元材料及其制备方法-CN202310003548.0在审
发明人：宋雪峰;吴祝骏;刘庆东;仉玉成 -专利权人：上海交通大学;上海航天化工应用研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C06B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Al/GO/AP复合含能微单元材料，涉及复合含能材料技术领域，Al/GO/AP复合含能微单元材料为Al粉为核心的双壳层核壳型复合粉末，GO包覆在所述Al粉的表面形成Al/GO功能化粉体，AP包覆在所述Al/GO功能化粉体表面形成Al/GO/AP复合粉末；所述Al粉的质量分数为10％～50％，所述GO的质量分数为0％～10％，所述AP的质量分数为50％～90％。本发明还公开了该种Al/GO/AP复合含能微单元材料的制备方法，依次包括制备GO悬浮液、制备Al/GO功能化粉体、制备AP热饱和溶液、制备含有Al/GO/AP的悬浊液和Al/GO/AP复合含能微单元粉体材料的步骤本发明通过组分复合的含能微结构设计，同时提高了Al/GO/AP复合含能材料的安全性和反应活性，制备方法简单，产品粒径可控、工艺流程绿色经济可循环，适用于工业化生产。
一种 al go ap 复合含能微单元材料及其制备方法

[发明专利]一种Ru－Ni－Al复合涂层及其制备方法-CN200710122225.4无效
发明人：周春根;姚登樽;蔡锐;张虎;徐惠彬 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2007-09-24 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： C23F15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电镀和包埋渗组合工艺，制备Ru－Ni－Al复合涂层的方法；是在Nb－24Ti－16Si－6Al－6Cr－2Hf基体上首先采用电镀工艺制Ni层、Ru层(Ni/Ru双层涂层)；然后采用包埋渗工艺制Ru－Ni－Al混合涂层。Ru－Ni－Al复合涂层在高温1000～1250℃氧化100h后能够形成连续、致密的Al₂O₃氧化物层，从而阻止涂层和基体的进一步被氧化，改善了Nb－24Ti所述Ru－Ni－Al复合涂层中Ru－Ni－Al混合层包含Ru₄Al₁₃、Ni₂Al₃和RuAl₂三相；Ni－Al混合层中包含35at％的Ni和65at％的Al；互扩散层中含有Nb、Ti、Al、Si、Cr元素。
一种 ru ni al 复合涂层及其制备方法

[发明专利]取向电工钢板用退火隔离剂组合物、取向电工钢板及其制造方法-CN201980085069.X在审
发明人：韩敏洙;金润水;朴钟泰 -专利权人： POSCO公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C21D8/12 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例的取向电工钢板包含基体组织、位于基体组织上的Al渗透层及位于Al渗透层上的覆膜。Al渗透层包含0.5至5重量％的Al，覆膜包含Al‑Mg复合物。
取向电工钢板退火隔离组合及其制造方法

[发明专利]Fe3-CN201910232796.6有效
发明人：罗西希;孟广慧;曹静;谢辉;王永锋;丁旭;于方丽 -专利权人：西安航空学院
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Fe3Al@Al2O3吸收剂及其制备方法及吸波胶带，Fe3Al@Al2O3吸收剂为核壳结构，由DO3型Fe3Al内核和α‑Al2O3纳米外壳组成。Fe3Al@Al2O3吸收剂的制备方法为机械合金化‑有序化转变‑控制氧化三步法；将Fe3Al@Al2O3吸收剂应用于吸波胶带，吸波胶带从下至上依次由吸波层
fe base sub

[发明专利]基于Al₂O₃/(La₂O₃)_x(Al₂O₃)_1-x/Al₂O₃结构的非易失性存储器件及其制备方法-CN201810314375.3在审
发明人：李荣;汤振杰 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1‑x/Al2O3结构的非易失性存储器件及其制备方法，利用原子层化学气相沉积方法在Si衬底表面顺序生长Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1‑x/Al2O3结构，其中靠近Si衬底的Al2O3为隧穿层，(La2O3)x(Al2O3)1‑x为存储层，靠近金属电极的Al2O3为阻挡层。
非易失性存储器件制备原子层化学衬底表面金属电极气相沉积顺序生长存储层隧穿层阻挡层衬底

[发明专利]一种50%Sip/6061Al复合材料-CN201711219382.7在审
发明人：高明超 -专利权人：沈阳东青科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：为了改善Al合金的硬度、耐磨性，研制了一种50%Sip/6061Al复合材料。采用气雾化6061Al合金粉、Si粉为原料，所制得的50%Sip/6061Al复合材料，其硬度、致密化程度、抗弯强度都得到大幅提升。其中，Si粉和6061Al合金粉末的球磨能够得到复合要求的50%Sip/6061Al复合粉体，Si颗粒镶嵌于6061Al合金基体中，并能够在复合粉体中均匀分布。断裂时Si相全部解理断裂，Sip/Al界面结合强度高。本发明能够为制备高性能的6061Al合金提供一种新的生产工艺。
复合材料复合粉体合金断裂制备高性能耐磨性合金粉末合金基体界面结合颗粒镶嵌合金粉气雾化致密化解理抗弯球磨生产工艺复合

[发明专利]自支撑(Al, Ga, In)N制品及其形成方法-CN201110301148.5有效
发明人：罗伯特·P·沃多;乔治·R·布兰德斯;迈克尔·A·蒂施勒;迈克尔·K·凯利 -专利权人：克利公司
申请日： 2002-08-12 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了自支撑(Al，Ga，In)N制品及其形成方法。形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法的步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构
支撑 al ga in 制品及其形成方法