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[发明专利]一种FeCoNiCrSiAl高熵合金涂层及其制备方法-CN201810738402.X在审
发明人：肖金坤;吴雨晴;张伟;陈娟;张超 -专利权人：扬州大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种FeCoNiCrSiAl高熵合金涂层及其制备方法，其步骤为：称取Fe、Co、Ni、Cr、Si和Al的纯金属粉末，搅拌混合后，将混合粉末进行机械合金化处理，过筛，选取38~74 mm之间的合金粉末，并置于80 ℃下干燥2小时；对待喷涂的金属基体表面进行喷砂粗化处理；以高能球磨后的粉末为原料，在喷砂粗化处理后的基体表面进行大气等离子喷涂，获得FeCoNiCrSiAl高熵合金涂层；热处理强化后获得耐磨耐蚀FeCoNiCrSiAl高熵合金涂层。本发明高熵合金涂层中添加较多的Si能够降低合金的熔点，提高其自熔性，有利于形成缺陷较少的涂层，采用高能球磨的方法对原始纯金属粉末进行机械合金化，以及后续的热处理，有利于形成高熵合金固溶体，制备的高熵合金涂层耐磨损和耐腐蚀性能优异
高熵合金制备纯金属粉末机械合金化热处理粗化处理高能球磨喷砂大气等离子喷涂金属基体表面熔点耐腐蚀性能合金粉末混合粉末基体表面固溶体耐磨损自熔性耐磨喷涂称取过筛耐蚀合金

[发明专利]一种制备粗铍粉的方法及制备超高纯金属铍的方式-CN201811116373.X在审
发明人：陆世强 -专利权人：陆世强
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C22B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备粗铍粉的方法及制备超高纯金属铍的方式，所述粗铍粉由氟化铍和金属镁混合加热制得，步骤如下：将氟化铍和金属镁加入还原炉后通电加热升温，破碎制得的物料渣饼，分离出铍珠和氟化镁渣子，粉碎铍珠，本发明制备粗铍粉的方法及制备超高纯金属铍的方式，能够一次性还原全部氟化铍，节能环保，还原率高，直回收率大大提高，时间短，除了镁没有其他另加的药物，成本低，工艺流程简单，铍的纯度高。
粗铍制备超高纯氟化铍金属铍金属镁混合加热节能环保通电加热工艺流程氟化镁还原炉还原率物料渣一次性熔炼烘干冷浸渣子回收率还原破碎

[发明专利]一种高纯金靶材的金相腐蚀方法-CN202310545235.8在审
发明人：邱树将;林烽先;陈占铅;钟茂礼;温才英 -专利权人：紫金矿业集团黄金冶炼有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G01N1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯金靶材的金相腐蚀方法，具体包括以下步骤：步骤一、取样；步骤二、抛光；步骤三、加热；步骤四、金相腐蚀液配置；步骤五、腐蚀；步骤六、观测；本发明涉及金属金相检测技术领域。该高纯金靶材的金相腐蚀方法，通过直接从制作金靶材的毛胚上裁剪出一块金样块，作为待检测样本，表面光滑的同时，无需进行粗抛，可以直接进行抛光，有效避免粗抛损耗，避免贵金属金难以回收情况的同时，对贵金属金的损耗极低
一种纯金金相腐蚀方法

[发明专利]一种制备氟化铍的方法及制备超高纯金属铍的方式-CN201811116378.2有效
发明人：陆世强 -专利权人：陆世强
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C01F3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备氟化铍的方法及制备超高纯金属铍的方式,所述氟化铍由氢氧化铍和氢氟酸混合加热制得，步骤如下：将氢氧化铍和氢氟酸倒入反应器后密闭，通电搅拌后接通电源加热，将制得的氟化铍物料放入烘干箱内烘干本发明制备氟化铍的方法及制备超高纯金属铍的方式，工艺简单，引入的杂质少，生产效率比传统工艺高，得到的产品纯度高，且节约能源，处理费用低，制得的铍的纯度高。
一种制备氟化方法超高金属方式

[发明专利]采用定向凝固生产高纯金属钒的方法-CN201911101724.4有效
发明人：顾武安;韩子柯;吕学伟;王烨;潘成;钟大鹏 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C22B34/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用定向凝固生产高纯金属钒的方法，属于钒金属冶炼技术领域，包括以下步骤：将定向凝固炉升温至700～800℃，加入氧化钒进行熔化，待氧化钒熔化完全后，喂入镁铝合金丝，开始定向凝固，待氧化钒反应完全后，停止喂线、加热，待样品冷却至室温后，分离得到钒粗品，将钒粗品破碎后用稀盐酸浸出即得高纯金属钒。
采用定向凝固生产高纯金属方法

[发明专利]一种高纯金属铍及其制备工艺-CN202110161094.0有效
发明人：何安西;唐海龙 -专利权人：西藏智材新材料有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C25C3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯金属铍及其制备工艺。净化熔盐包括占熔盐总量的质量分数分别为30～65％的NaCl、30～65％的KCl、0～40％的LiCl和0.5～6％的可溶铍离子；使阴极产物在保护气体的保护下冷却，然后进行酸洗处理；将酸洗处理后的阴极产物进行真空干燥，得到高纯金属铍
一种高纯金属及其制备工艺

[发明专利]用于形成稳定PtPd柴油氧化的湿化学方法-CN201280019036.3有效
发明人： W·范登赫克;M·A·比博格 -专利权人： SDC材料公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种纳米颗粒，其包含：包含混合金属氧化物的内部区域；和包含纯金属的外表面。在一些实施方案中，混合金属氧化物包含氧化铝和金属销连剂。在一些实施方案中，外表面上的纯金属与内部区域中的混合金属氧化物中的金属销连剂相同。在一些实施方案中，催化纳米颗粒与外表面上的纯金属结合。在一些实施方案中，内部区域和外表面使用等离子体枪形成。在一些实施方案中，使用等离子体枪将催化纳米颗粒与纯金属结合。在一些实施方案中，使用湿化学方法将催化纳米颗粒与纯金属结合。
用于形成稳定 ptpd 柴油氧化化学方法

[发明专利]一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法-CN201711295536.0有效
发明人：王书杰;孙聂枫;刘惠生;孙同年;史艳磊;邵会民;李晓岚;王阳;付莉杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种水平注入合成后旋转连续VGF晶体生长的方法，属于半导体晶体合成与生长技术领域，采用的技术方案是通过易挥发元素和纯金属元素的直接水平注入合成后，进一步借助旋转奇偶股控制炉体整体缓慢旋转，实现晶体合成后旋转以连续VGF晶体生长，来制备高纯化合物半导体晶体，避免了VGF晶体生长前纯金属将籽晶熔掉，该方法步骤简洁、设备结构简单、易于操作和控制，有利于半导体晶体的产业化生产。
晶体生长半导体晶体合成产业化生产纯金属元素高纯化合物易挥发元素缓慢旋转晶体合成控制炉体设备结构纯金属奇偶籽晶制备生长

[发明专利]一种5N级微米导电金球制备方法-CN202010285328.8有效
发明人：应宗波;林烽先;吴卫煌;罗天长;周方;钟茂礼;钟美娟 -专利权人：紫金矿业集团黄金冶炼有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种5N级微米导电金球制备方法，操作步骤包括5N级高纯金氯化制备溶液送入还原反应容器后控制溶液温度为0～10℃，搅拌加入聚乙烯吡咯烷酮分散剂和经纯水稀释的水合肼溶液进行还原金作业，得到海绵金烤干即为制球用的微米级高纯金粉；等离子球化：将微米级高纯金粉送高频等离子球化设备球化后获得5N级微米导电金球。本发明制得的产品具有分散、高纯、等离子球化后球体颗颗均匀、高强韧性的特点。
一种微米导电制备方法

[发明专利]一种铁基、纯铜过渡层和表面纯金属钼或金属钨涂层的电极材料及制备方法-CN201210556119.8有效
发明人：高原;吴炜钦;马志康;王成磊;张焱;徐晋勇;蔡航伟;陆小会;韦文竹;张光耀 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁基、纯铜过渡层和表面纯金属钼或金属钨涂层的电极材料及制备方法，它是利用电刷镀或化学镀和溅射镀技术，在铁基材料表面首先涂覆一定厚度的纯铜作为过渡层，再利用溅射镀技术沉积金属钼或金属钨，以形成一种铁基本发明采用铁基材料作为电极材料，具有加工性能好、导电性好、强度高、成本低。在其上面镀一层铜增加导电性，并作为过渡层增加表面纯金属钼（或者金属钨）层的膜基结合强度，表面纯金属钼（或者金属钨）具有耐腐蚀、强度硬度较高、电阻率较小的优点，能大幅度提高电极的比能量与比功率，接触电阻保持恒定
一种过渡表面金属涂层电极材料制备方法

[发明专利]一种铝基电子封装材料的制备方法-CN201910197540.6有效
发明人：王亚平;王永娣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： B22F3/18 文献下载
摘要：一种铝基电子封装材料的制备方法，首先将纯金属铝粉施加机械变形、或者将纯金属铝粉与其它元素粉末混合后施加机械变形，提高纯金属铝粉或混合粉末固相的吉布斯自由能，得到圆柱形或矩形块体；最后通过压力熔渗方式将圆柱形或矩形块体在低于平衡熔点下熔化形成的低温熔体渗入金刚石或石墨粉末中得到铝基电子封装材料——铝/金刚石或铝/石墨块体材料；本发明在于利用低于平衡熔点的非平衡态熔体进行压力熔渗，解决熔点之上的液体铝或铝合金具有高反应活性、熔渗过程中与石墨或金刚石颗粒发生严重界面反应生成Al
一种电子封装材料制备方法

[发明专利]一种铂电阻芯片及铂电阻芯片的制备方法-CN201110048220.8无效
发明人：吴新潮;段利庆 -专利权人：西安天衡计量仪表有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01C3/12 文献下载
摘要：方法包括：按质量比称取纯金属铂粉与氢氟酸混合，搅拌制成纯金属铂浆料；采用激光喷溅工艺将纯金属铂浆料喷射到陶瓷基片上；用激光切割铂金层成细丝；用激光调整细丝的阻值，细丝两端焊接镀铂镍线作为引线，与基片呈一体化独石结构结构简单，成本低，生产效率高，电阻值分散性小，测温范围：-50℃～450℃；耐高温性：可长期工作在300℃，广泛用于制造各种不同规格及不同金属材质的电阻芯片。
一种铂电阻芯片制备方法

[发明专利]黄金纳米成像方法-CN202010315519.4在审
发明人：徐连发 -专利权人：北京蓝天绿都新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供黄金纳米成像方法，包括如下步骤：(1)制备纯金靶；(2)对GVC‑1000离子溅射仪的真空室内进行抽真空；(3)往真空室内通入混合气体；(4)对纯金靶和GVC‑1000离子溅射仪的真空室壁间加高电压，对纯金靶进行离子束撞击。
黄金纳米成像方法

[发明专利]一种高氮系合金及其制备方法-CN202110891343.1在审
发明人：陈梦雄 -专利权人：天津冶泽科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及高氮合金技术领域，具体是指一种高氮系合金其成分按重量百分比组成：Si40％‑55％，N20％‑35％，Mn≤5.00％，C≤5.00％，S≤0.20％，P≤0.20％，余量为Fe、抗氧化剂和固氮剂本发明的高氮系合金的制备方法，通过研究氮在钢水中对钒、铌、钛等元素的作用机理，充分的保证了硅的氮化效果，提高了合金中的含氮量；同时本发明的制备方法的原材料选用的是高纯金属硅、高纯金属锰、抗氧化剂和固氮剂
一种高氮系合金及其制备方法

[发明专利]一种高内耗声阻稳压棒、制备方法、应用及测压传感元件-CN201510844839.8有效
发明人：唐明强;王冲;赵放 -专利权人：泉州天智合金材料科技有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高内耗声阻稳压棒、制备方法、应用及测压传感元件，高内耗声阻稳压棒采用烧结Pb-Sn合金材料制作而成，该烧结Pb-Sn合金材料成分为质量比为1：1的Pb纯金属粉末和Sn纯金属粉末。高内耗声阻稳压棒的制备方法包括原料备制、酸洗及烘干、热压烧结等步骤。测压传感元件包括绝缘外壳、TZP压电晶体及高内耗声阻稳压棒。本发明高内耗声阻稳压棒可应用在一切高压、超高压冲击波的测压传感元件上，爆炸冲击波的速度极快，作用时间极短，冲击波瞬间压强极高。
一种内耗声阻稳压制备方法应用传感元件