“靶材初坯”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果400688个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高密度ITO靶的制备工艺-CN202011482787.1在审
发明人：唐安泰 -专利权人：株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度ITO靶的制备工艺，所述ITO靶材制备原材料为ITO粉末，将ITO粉末进行定量配制，并进行ITO靶材的制备工艺；所述制备工艺流程如下：还原阶段、制坯阶段、高温加压阶段、冷却排压阶段和高温煅烧阶段，高温烧结完成后的ITO靶材在经过高温加压、冷却排压阶段，实现内部热胀冷缩目的，使得晶体之间缝隙缩小，提高成型后的ITO靶材密度。本发明采用高温加压提高初坯中分子活性，比配合加压，将初坯粉末之间进行挤压，并后续进行冷却，通过热胀冷缩原理，再度将粉末之间的间隙再度缩小，配合加热进行成型，随后进行高温烧结，能够制成密度更高的ITO靶材
一种高密度 ito 制备工艺

[发明专利]铜合金靶材、其制造方法、及其制成的薄膜及太阳能电池-CN200810174332.6有效
发明人：黄威智;杜承鑫 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜合金靶材的制造方法，其包括：形成一靶材初坯；以及将靶材初坯在500-850℃区间进行热机处理或热退火处理，以令所制成的靶材中化合物相小于整体靶材面积的25％。本发明涉及一种铜合金靶材；本发明还涉及一种薄膜，其是使用如上所述的铜合金靶材经由溅镀所形成的；本发明另关于一种太阳能电池，其包含如上所述的薄膜。通过本发明(近)单相组织的铜合金靶材，使其应用于溅镀过程中不会诱发微电弧现象，而且也因着靶材(近)单相组织，使得靶材表面各处的溅镀速度相等，促使形成的薄膜成分均匀，故能提升薄膜质量及良率。
铜合金制造方法及其制成薄膜太阳能电池

[发明专利]单相结构-高密度铟锡氧化物靶材的制备方法-CN201010136122.5有效
发明人：刘家祥;刘宸;王玥 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ITO复合粉体，在ITO粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的ITO粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素坯，对素坯进行脱蜡去除其中的粘结剂，最后把脱蜡过的素坯在高温氧氛围下烧结得到ITO靶材。本发明工艺简单，过程容易控制，缩短了在高温段的烧结时间，不用添加分散剂和烧结助剂，所需生产成本较低，素坯是粉体经过造粒后压制而成，烧结出的靶材成分更均匀，不容易开裂，且为单相结构、高密度。
单相结构高密度氧化物制备方法

[发明专利]高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法-CN201511032741.9有效
发明人：刘家祥;梁飞;李敏;雷文 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：高相对密度低电阻率氧化铟锡靶材的制备方法是一种以常压烧结法制备ITO靶材的方法。在氧化铟锡粉体中加入复合烧结助Nb₂O₅‑Bi₂O₃球磨混合后，加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的氧化铟锡粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素坯，最后素坯在高温氧氛围下烧结得到氧化铟锡靶材。本发明工艺简单，过程容易控制，降低了烧结温度的同时还提升了电性能，设备简单，所需生产成本较低，烧结出的氧化铟锡靶材成分均匀且相对密度高、电阻率低。
氧化铟锡靶材烧结氧化铟锡粉体低电阻率初坯素坯造粒制备化学共沉淀常压烧结复合粉体复合烧结冷等静压模压成型球磨混合氧化铟锡电性能电阻率粘结剂生产成本

[发明专利]高纯高密度ITO靶材的制备方法-CN201410737689.6在审
发明人：钟小华;麻七克;朱刘;童培云 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯高密度ITO靶材的制备方法，其包括步骤：将自制的ITO粉加纯水配制成浆料，之后加入分散剂，在砂磨机中砂磨，之后加入粘结剂和消泡剂进行球磨，再经喷雾造粒得到ITO造粒粉；将得到的ITO造粒粉装入模具中预压成型得到ITO初坯；将得到的ITO初坯在冷等静压机上成型得到ITO素坯；将得到的ITO素坯在脱脂炉中脱脂，之后再在通氧气氛的烧结炉中烧结，即得到高纯高密度的ITO靶材。本发明的高纯高密度ITO靶材的成分更均匀，不易开裂，纯度高，相对密度高。
高纯高密度 ito 制备方法

[发明专利]溅镀靶材的制造方法-CN200710001003.7有效
发明人：李仲仁;赵勤孝 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明是一种溅镀靶材的制造方法，其是将靶材原料粉末置入模具中，以较低温低压的热压方式进行烧结，然后再将此初胚进行热均压处理；借由低温低压的热压方式让靶材初坯不具开放性孔洞(open pore)，而再经由热均压的方式即可将靶材密度提升至96％以上，因此不需经过成本较高的封罐过程，且低温低压的热压制程易于实施，故此制程采用较低成本的方式即可获得性质良好的靶材。
溅镀靶材制造方法

[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法-CN202111133848.8在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钨粉和硅粉的混粉进行高能球磨，得到初合金粉；(2)将步骤(1)得到的初合金粉置于模具中并进行抽真空处理，之后依次进行第一热处理、保温保压和冷却，得到所属钨硅靶坯。本发明提供的技术方案通过将高能球磨和特定的烧结过程相结合，实现了高性能钨硅合金靶坯的制备，解决了钨硅合金靶坯在作为靶材使用时溅射膜表面会产生微粒的问题。
一种钨硅靶坯制备方法

[发明专利]一种铽靶坯的制备方法-CN202111133849.2在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;曹欢欢;王玉辉 -专利权人：宁波江丰热等静压技术有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种铽靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将铸坯依次进行第一热处理和第一锻伸，得到初料；(2)将步骤(1)得到的初料依次进行第二热处理和第二锻伸，得到中间料；(3)将步骤(2)得到的中间料轧制得到轧制料，之后将轧制料进行第三热处理，得到所述铽靶坯。该制备方法解决了目前所制备得到靶材质量较差，使用寿命短的问题，同时还提升了铽靶材在使用过程中的精确度，还使得得到的铽靶坯中的晶粒尺寸更加均匀，晶粒同时也变的更加细小。
一种铽靶坯制备方法

[发明专利]一种ITO废靶回收粉末制备ITO靶材的方法-CN201710224205.1有效
发明人：李龙腾;刘冠鹏 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种ITO废靶回收粉末制备ITO靶材的方法，以气化回收ITO粉为原料，加入不小于原料质量0.5%的氧化锡和/或氧化铟粉末作为烧结活性增强剂，并使其分布于ITO粉中；将混合后的粉末加水、分散剂球磨后喷雾干燥，然后放入模具中以分阶段逐步加压，每次升压后保持一定时间的方式压制成初坯，然后再以分阶段逐步升压，每次升压后保持一定时间的方式经冷等静压制成坯体，制成的坯体经保温脱脂后，在氧气气氛下烧制成ITO靶材。新加入的粉末分布于ITO回收粉中能够从整体上提高混合粉末的烧结活性，改变其成型和烧结过程中的特性，坯体成型过程中分段逐步加压，使坯体具有较高的密度，ITO靶材相对密度能够达到99.5%以上。
一种 ito 回收粉末制备方法

[发明专利]靶材的形成方法-CN201310371290.6在审
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张亚光 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种靶材的形成方法，包括：提供具有第一厚度的第一靶材坯体；对所述第一靶材坯体进行至少两次粗车，形成具有第二厚度的第二靶材坯体；对所述第二靶材坯体进行精车，得到靶材。本发明提供的靶材的形成方法有利于得到溅射速率稳定的靶材。
形成方法

[发明专利]一种二硫化钼靶材的制备方法-CN201810795425.4有效
发明人：康明生;崔娜;朱辉;郄奕;张卫;李松敏 -专利权人：河北东同光电科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。
一种二硫化钼制备方法

[发明专利]一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法-CN202010336636.9有效
发明人：康明生;崔娜 -专利权人：河北东同光电科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理，得到稳定的四方晶型粉体；对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体；将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结，烧结完成后，阶梯降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好，完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求，为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
一种磁控溅射致密导电氧化锆陶瓷制备方法

[发明专利]一种环形靶材加工方法-CN202310860173.X在审
发明人：姚力军;潘杰;袁锦泽;陈玉蓉 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及靶材加工技术领域，具体公开了一种环形靶材加工方法，包括以下步骤：对实心靶坯进行加工，以形成内外侧具有台阶的环形靶坯；将环形靶坯具有台阶的一端焊接于背板上，以形成靶材组件；通过多个平口钳夹持靶材组件，以对背板焊接环形靶坯的一面进行加工以形成台阶面；通过多个平口钳夹持靶材组件，以对背板背离环形靶坯的一面进行精加工。本发明先对实心靶坯进行加工，再将实心靶坯焊接于背板上，能够防止靶材组件在加工时出现变形，并导致环形靶坯与背板脱焊的情况；采用多个平口钳对靶材组件进行夹持，能够分散并减小单个平口钳的夹持力度，最大限度减小因夹持所造成的变形，防止因外力整平过程中，环形靶坯与背板脱焊。
一种环形加工方法

[发明专利]一种旋转靶材坯管矫直方法-CN202111337328.9在审
发明人：胡习光 -专利权人：江阴恩特莱特镀膜科技有限公司
申请日： 2021-11-14 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B21D3/10 文献下载
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，尤其涉及一种旋转靶材坯管矫直方法。包括如下步骤：先对旋转靶材坯管进行检测，找出旋转靶材坯管的弯曲最大处；之后转动旋转靶材坯管，将弯曲最大处的弓起面朝上；然后对弓起处进行加热，使旋转靶材坯管产生变形；接着对步骤C中的加热部位进行冷却，使其回复到室温；然后再次对旋转靶材坯管进行检测，得到其弯曲情况，如果此时旋转靶材坯管的直度符合要求，则矫直完成，如果此时旋转靶材坯管的直度仍不符合要求，则重复步骤A‑D，直到其直度符合要求为止。本发明采用对坯管最大弯曲处的弓起部位进行加热后进行冷却的办法，来将坯管矫直，不需要大型的液压机，也不会导致低强度金属靶材在较大的压力下发生变形。
一种旋转靶材坯管矫直方法

[发明专利]一种大尺寸旋转陶瓷靶材制备方法-CN202010333199.5有效
发明人：李庆丰;骆树立;王建堂;骆如河;骆胜华;骆胜磊;骆利军;王壮伟;骆胜凯;骆胜喜 -专利权人：河北恒博新材料科技股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸旋转陶瓷靶材制备方法，属于靶材制备技术领域，包括以下步骤1）制作靶材坯体，2）成型模具，3）靶材坯体脱脂，4）预烧结靶材坯体，5）烧结靶材。本发明提供的一种大尺寸旋转陶瓷靶材制备方法，提高了靶材成材率，降低了原材料报废率，降低了生产成本。
一种尺寸旋转陶瓷制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条