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[实用新型]龙头锁及应用该锁的自行车、电动自行车和摩托车-CN201620361083.1有效
发明人：刘罕;陈俊;梅良 -专利权人：武汉千斤智能科技有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： B62H5/02 文献下载
摘要：该龙头锁包括锁座和锁盘，还包括：动力源、推杆、锁紧弹力元件和释放弹力元件；推杆滑设在锁座上；动力源设置在锁座上，且与推杆一端传动连接，动力源用于带动推杆朝远离或者靠近锁盘的方向移动；锁舌与推杆之间设置有锁紧弹力元件和释放弹力元件，锁紧弹力元件用于带锁舌朝靠近锁盘的方向移动，释放弹力元件用于带动锁舌朝远离锁盘的方向移动。当锁舌卡死时，由于锁舌和推杆属于两个部件，故而，动力源会继续带动滑块朝远离或者靠近锁盘方向移动，使得释放弹力元件或者锁紧弹力元件继续弹性形变，从而避免动力源卡死，影响动力源的使用寿命。
龙头应用自行车电动自行车摩托车

[发明专利]一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法-CN201110163852.9有效
发明人：黄晓橹;颜丙勇;陈玉文;邱慈云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明公开了一种双晶体管零电容动态RAM的制备方法，本发明的目的是提供一种具有可制造性设计的基于绝缘体上硅的后栅极工艺制造的双晶体管零电容动态RAM的制备方法，在工艺上通过自对准有效实现不同于常规CMOS工艺的T1源漏与栅极有较大的交叠Overlap和T2源漏与栅极有较大的距离Underlap特性，适用于45nm以下的采用后栅极工艺的高介电常数氧化层金属栅的集成电路制备中，具体通过离子注入调节T1和T2的栅靠近源和漏处的功函数，或者栅下靠近源极和漏极的沟道区域的掺杂类型，使得T1的沟道区域中靠近源极和漏极的沟道区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相同类型，并使得T2的源极和漏极的栅下扩散区域在不加栅压情况下反型为与源漏区相反类型。
一种双晶体管零电容动态 ram 制备方法

[发明专利]车门智能关闭方法、系统以及车辆-CN202310310043.9在审
发明人：吴显琪;王祎男;曹礼军;翟诺;张影;王德新;辛大勇;李昕;王卓君;王天一 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： E05F15/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种车门智能关闭方法、系统以及车辆，其中方法包括车门开启时采集车辆周围的危险源信息；根据危险源信息判断在预设范围外是否有危险源靠近车门，当危险源进入预设范围内，判断靠近的危险源是否会碰撞车门，危险源会碰撞车门则生成碰撞信号；根据危险源移动速度、危险源与车门距离以及碰撞区域，通过算法计算车门需要的关闭速度和关闭角度；并控制车门以关闭速度和关闭角度关闭车门，以规避危险源的碰撞；本发明通过赋予车门主动关闭的权限和判断逻辑
车门智能关闭方法系统以及车辆

[发明专利]高效晶体管结构-CN200410086532.8有效
发明人： S·苏塔迪加 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2004-10-21 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路，其由第一源极、第一漏极、第一栅极和第一管体组成。第一栅极被置于第一源极和第一漏极之间，而第一管体被置于第一源极内部并被其包围。本发明还提供了一种集成电路，其由第一源极、第一漏极、第一栅极、第一管体、第二漏极和第二栅极组成。第一栅极被置于第一源极和第一漏极之间，第一管体被置于第一源极内部并被其包围，第二栅极被置于第一源极和第二漏极之间，第一源极包含源极压点。第一和第二栅极被设置成在靠近源极压点的区域比不靠近源极压点的区域分开得更远。
高效晶体管结构

[实用新型]扩散工艺用石英源瓶-CN202021720148.X有效
发明人：兰锋 -专利权人：浙江泓芯半导体有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扩散工艺用石英源瓶，包括石英源瓶、进气管、第一阀门、出气管、第二阀门、半透膜框、第一导气管、补气罐、补气管、支撑底座与第二导气管，进气管的一端位于石英源瓶的上部，进气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部，第一阀门设置于进气管的顶端，出气管的一端位于石英源瓶的上部，出气管的另一端位于石英源瓶的内部且靠近石英源瓶的底部，第二阀门设置于出气管的顶端，半透膜框设置于石英源瓶的内部，补气罐通过第一导气管、第二导气管与石英源瓶连接本实用新型有效增强氮气的气态扩散源的均匀程度，提高扩散工序的工作效率。
扩散工艺石英

[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法及半导体器件-CN201110366206.2有效
发明人：俞柳江;周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明的核心为：沉积侧墙材料，对侧墙材料进行倾角等离子体表面处理，使得侧墙材料的顶部以及靠近源极的侧部的表面特性被改变，而靠近漏极的侧部未发生改变；对侧墙材料进行刻蚀，形成侧墙，且靠近源极的侧墙的宽度大于靠近漏极的侧墙的宽度；以侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，形成源极以及漏极，且漏极的掺杂离子离沟道距离被拉近，源极的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉远。本发明一方面提高了漏极沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源极的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。
提高效应存储单元写入速度方法半导体器件

[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法及存储单元-CN201110366256.0无效
发明人：俞柳江;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明的核心为：在靠近源极的侧墙材料上形成掩膜层，靠近漏极的侧墙材料被暴露；对暴露的侧墙材料进行部分厚度的刻蚀；去除掩膜层，对侧墙材料进行再次刻蚀，在栅极两侧形成侧墙，且靠近源极的侧墙的宽度大于靠近漏极的侧墙的宽度；以侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，形成源极以及漏极，且漏极的掺杂离子离沟道距离被拉近，源极的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉远。本发明一方面提高了漏极沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源极的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。
提高效应存储单元写入速度方法

[实用新型]移动供气源附属逃生装置的切换阀-CN200920070872.X有效
发明人：廖志军;胡迎祥 -专利权人：斯博瑞安(中国)安全防护设备有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： A62B9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种移动供气源附属逃生装置切换阀，主要由一阀体和一T形活塞构成，该阀体中空且其上设有气流孔分别与主气源、供气中压管和备用气源相通，同时阀体上还设有可以将备用气源与供气中压管连通的气流孔；活塞置于阀体的空腔中，该活塞截面面积较大的一端靠近主气源，截面面积较小的一端靠近备用气源；当备用气源对于活塞的压力大于主气源对于活塞的压力时，活塞在备用气源压力作用下自动移动到主气源一端并将主气源端封闭及导通备用气源与供气中压管端气流孔，实现自动切换到备用气源，为使用者正常供气，避免了使用者遭受意外伤害，保证了使用者在出现紧急情况时更安全地离开工作现场。
移动供气附属逃生装置切换

[发明专利]用于在通道内运动的顶端推进装置-CN201310139818.7有效
发明人： M·肖汉姆;N·哈西多夫;D·格洛兹曼 -专利权人：泰克尼恩研究和发展基金有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： A61M25/01 文献下载
摘要：流体源加装到一个端部腔室。连接通道使得流体使腔室按顺序膨胀：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。当腔室收缩时，按相同顺序收缩：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。流体源可以是延伸到内腔外部的供应源的流体供应管，或者它可以是内嵌的、且由装置承载。所述装置可以沿内腔壁或在插入的引导线上爬行。
用于通道运动顶端推进装置

[发明专利]用于在通道内运动的顶端推进装置-CN201310140327.4有效
发明人： M·肖汉姆;N·哈西多夫;D·格洛兹曼 -专利权人：泰克尼恩研究和发展基金有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：流体源加装到一个端部腔室。连接通道使得流体使腔室按顺序膨胀：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。当腔室收缩时，按相同顺序收缩：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。流体源可以是延伸到内腔外部的供应源的流体供应管，或者它可以是内嵌的、且由装置承载。所述装置可以沿内腔壁或在插入的引导线上爬行。
用于通道运动顶端推进装置

[发明专利]用于在通道内运动的顶端推进装置-CN200680037639.0有效
发明人： M·肖汉姆;N·哈西多夫;D·格洛兹曼 -专利权人：泰克尼恩研究和发展基金有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：流体源加装到一个端部腔室。连接通道使得流体使腔室按顺序膨胀：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。当腔室收缩时，按相同顺序收缩：从最靠近流体源的腔室开始，到距离流体源最远的腔室结束。流体源可以是延伸到内腔外部的供应源的流体供应管，或者它可以是内嵌的、且由装置承载。所述装置可以沿内腔壁或在插入的引导线上爬行。
用于通道运动顶端推进装置

[发明专利]一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路-CN202110159417.2有效
发明人：方健;黎明;马红跃 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，能够适应于尾电流源靠近电源轨的负跨导振荡器和尾电流源靠近地轨的负跨导振荡器；控制电路中将受控电流源与尾电流源并联，利用开关模块在电流源开关控制模块的控制下将受控电流源打开或关闭；利用检测模块检测负跨导振荡器输出节点的实时电位，并将检测结果输出至电流源开关控制模块；利用电流源开关控制模块将检测模块检测到的负跨导振荡器输出节点的实时电位与阈值进行比较，当负跨导振荡器输出节点的实时电位不超过阈值时控制开关模块将受控电流源关闭；当负跨导振荡器输出节点的实时电位超过阈值时控制开关模块将受控电流源打开，使得负跨导振荡器总的尾电流增大。
一种提升负跨导振荡器瞬态抗干扰控制电路

[发明专利]显示装置及其驱动方法-CN202110696358.2在审
发明人：李文芳 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请提供一种显示装置及其驱动方法，向靠近源极驱动器至远离源极驱动器的多个水平显示区域输入由小到大的驱动电流区间以对这多个水平显示区域实现由小到大的驱动能力，从而弥补靠近源极驱动器至远离源极驱动器的多个水平显示区域逐渐增大的电容电阻负载导致的亮度逐渐降低的问题
显示装置及其驱动方法

[发明专利]高压晶体管制造方法-CN200710094381.4有效
发明人：钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压晶体管制造方法，通过在所述硅衬底上阱区的位置进行选择性延伸轻掺杂源漏离子注入后，在晶体管沟道靠近源端一侧，增加一道靠近表面的离子注入，从而有效减小了晶体管表面的沟道长度，进而增加了晶体管的饱和电流；而且，本发明所述方法也不会影响晶体管源端的结击穿电压以及漏电流等特性，因此不会引起晶体管源漏穿通等安全问题。
高压晶体管制造方法

[发明专利]像素结构及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201810410743.4有效
发明人：罗皓;祁小敬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种像素结构及其制作方法、阵列基板和显示装置，该像素结构包括衬底基板和位于衬底基板上的像素电极、有源层、源漏电极层和公共电极；像素电极位于衬底基板和公共电极之间；源漏电极层包括与有源层电连接的第一电极和第二电极，第二电极与像素电极电连接；有源层位于衬底基板和源漏电极层之间，有源层包括靠近源漏电极层的第一表面，源漏电极层包括靠近有源层的第二表面，有源层的第一表面的部分边缘与源漏电极层的第二表面的部分边缘对齐。
像素结构及其制作方法阵列显示装置