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[发明专利]一种非晶材料及纳米晶的处理方法-CN201910125908.8在审
发明人：王静然 -专利权人：王静然
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C8/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶材料及纳米晶的处理方法，涉及金属材料领域，该处理方法包括：通过热处理工艺，利用碳氮共渗剂对非晶材料及纳米晶进行碳氮共渗处理。在碳氮共渗过程中，碳氮共渗剂中的碳与非晶材料及纳米晶中的铁会形成渗碳体Fe₃C，而碳氮共渗剂中的氮与非晶材料及纳米晶中的铁会形成氮化铁Fe₄N，由于渗碳体Fe₃C和氮化铁Fe₄N均具有磁性，两者配合，使得非晶材料的磁感应强度(也称磁通密度或B值)得以显著提升。
碳氮共渗纳米晶非晶材料氮化铁渗碳体与非金属材料领域热处理工艺磁感应磁通配合

[发明专利]一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法-CN202110275151.8有效
发明人：吕燕飞;彭雪;蔡庆锋;赵士超 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： D01F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。
一种掺杂非晶碳中空纤维制备方法

[发明专利]非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法-CN201310625253.3有效
发明人：杨治华;梁斌;贾德昌;段小明;王胜金;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法，它涉及硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有的非晶/纳米晶硅硼碳氮陶瓷材料烧结温度高、致密度低的问题。硅硼碳氮陶瓷材料由硅粉、石墨和六方氮化硼制成。本发明的硅硼碳氮陶瓷材料呈非晶态，致密度高，硬度高，且制备工艺简单、成本低。本发明主要用于制备非晶高硬的硅硼碳氮陶瓷材料。
非晶高硬硅硼碳氮陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种气相沉积成膜设备的清洗方法-CN201310565735.4无效
发明人：雷通;桑宁波;贺忻 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种气相沉积成膜设备的清洗方法，通过改进非晶碳沉积制程中的清洗工艺,在清洗工艺制程里的保护膜沉积步骤之后，增加一步氮等离子体处理，即先生长一层无氮非晶碳膜，避免非晶碳沉积制程中的硅片背面铝沾污问题，然后对这层无氮非晶碳膜进行氮等离子体处理，改善其表面特性，保证销顶面与硅片背面有较高的摩擦系数，避免滑片问题。
一种沉积设备清洗方法

[发明专利]一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法-CN201610422751.1有效
发明人：周兵;刘竹波;王志峰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅表面制备非晶碳氮薄膜的装置及方法。将预先化学清洗的硅基片烘干，放置在旋转样品台上；抽真空，通入氩气到真空室，采用离子溅射源对硅基片表面进行物理清洗；以高纯石墨作为脉冲电弧的阴极靶材，调节脉冲放电频率，同时通入氮气，打开离子源，分别制备原子化和离子化氮掺杂的非晶碳氮薄膜本发明实现了非晶碳氮薄膜中的碳/氮原子和碳氮键/碳碳键的含量可调、碳氮键合类型和类石墨氮/类吡啶氮的结构可控。
一种表面制备非晶碳氮薄膜装置方法

[发明专利]一种非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的制备方法-CN201710843915.2有效
发明人：刘勇;崔永杰;彭帅;常雪峰;张晨宇;韩克清;张辉;余木火 -专利权人：东华大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的制备方法，包括淡黄色液体的合成，淡黄色前驱体的合成，硅硼碳氮锆前驱体初生纤维的合成，硅硼碳氮锆前驱体不熔化纤维的合成，非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维的合成。本发明的方法简单，反应条件温和，成本低；制备得到的非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维表面光滑，组织均匀，结构致密，具有良好的力学性能、热稳定性能和抗氧化性能。
一种非晶硅硼碳氮锆陶瓷纤维制备方法

[发明专利]氮掺杂中空非晶碳壳材料、制备方法及应用-CN202110676470.X有效
发明人：王烨;王兵艳;许婷婷;孔德志;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂中空非晶碳壳材料、制备方法及应用，将Tris缓冲剂缓慢滴入盐酸多巴胺溶液中，加入氧化锌纳米棒，搅拌、离心干燥，在氩气氛围中退火获得氮掺杂的非晶碳壳包覆氧化锌材料，盐酸刻蚀，得到氮掺杂的中空碳壳材料本发明氮掺杂中空非晶碳壳负极材料为棒状中空结构，独特的中空结构以及氮的亲钠性可以有效地降低成核过电势，提高循环性能。
掺杂中空非晶碳壳材料制备方法应用

[发明专利]一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构-CN202010838556.3有效
发明人：吴家伟;王喜勤;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构，通过在第一非晶硅层上沉积含碳介电层，在含碳介电层上沉积第二非晶硅层，对沉积有含碳介电层的第一非晶硅层和第二非晶硅层进行退火，使第一非晶硅层和第二非晶硅层转换为第一多晶硅层和第二多晶硅层含碳介电层中的碳或碳、氮原子向已形成的第一非晶硅层中扩散，在将非晶硅转换为多晶硅的过程中，碳或碳、氮原子可以阻碍晶粒生长，从而能够调节晶粒的尺寸生成较小晶粒尺寸的多晶硅层，改善多晶硅层性能。
一种多晶形成方法以及半导体结构

[发明专利]一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法-CN201110027087.8有效
发明人：贾德昌;叶丹;杨治华;段小明;周玉;孟庆昌;张培峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制、产量低和成型过程伴有分解的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和金属铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、成型过程没有分解、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好
一种金属纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法-CN201110027089.7有效
发明人：贾德昌;叶丹;杨治华;段小明;周玉;孟庆昌;张培峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法，它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方法：一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉为原料；二、原料球磨，得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末；三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸块体陶瓷材料、成本低、产量高，适于工业化生产等优点，可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段；所得以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好
一种氮化纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料制备方法

[发明专利]在钛合金材料表面制备耐磨非晶碳氮双层薄膜的方法-CN201410383041.3无效
发明人：刘东光 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及在钛合金材料表面制备耐磨非晶碳氮双层薄膜的方法。在磁控溅射真空反应室中设置两个纯石墨靶和一个钛靶；在氩气环境下，在钛合金基底表面先溅射沉积纯钛结合层，接着溅射沉积类石墨碳氮膜层，再溅射沉积富sp³碳氮膜层；其中类石墨碳氮膜层和富sp³碳氮膜层为非晶碳氮双层薄膜；所述非晶碳氮双层薄膜硬度为29～34GPa。在真空中进行摩擦试验，非晶碳氮双层薄膜具有极低的摩擦系数和磨损率，显示出优异的减摩与耐磨性；可用于钛合金材料的表面防护改性，减少摩擦磨损，大幅度提高钛合金材料的使用寿命。
钛合金材料表面制备耐磨非晶碳氮双层薄膜方法

[发明专利]一种非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料的制备方法-CN201710843923.7有效
发明人：刘勇;彭帅;崔永杰;常雪峰;张晨宇;韩克清;张辉;余木火 -专利权人：东华大学
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料的制备方法，制备过程是以六甲基二硅氮烷、三氯化硼和三氯硅烷为原料，通过缩聚反应得到淡黄色液体，然后加入三甲基胺‑氢化铝和二氯二茂锆得到黄色前驱体，最后热压烧结得到非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料本发明的方法简单，条件温和，成本低；制备得到的非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料组织结构均匀且化学纯度高，具有优异的耐高温性能和抗氧化性能，可以通过调控非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料中Zr、Al含量，来进一步调控其综合性能
一种非晶硅硼碳氮锆铝陶瓷材料制备方法

[发明专利]在晶圆上制造栅极的方法-CN200910085997.4有效
发明人：游宽结;张文广 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在晶圆上制造栅极的方法，在晶圆衬底上依次沉积栅氧化层、多晶硅层、非晶态碳层、不含氮抗反射层及光刻胶层，图案化光刻胶层后，该方法还包括：按照光刻胶层的图形，刻蚀不含氮抗反射层，在不含氮抗反射层形成图形后，去除光刻胶层；按照不含氮抗反射层的图形，刻蚀非晶态碳层，在非晶态碳层形成图形；按照非晶态碳层的图形，依次刻蚀多晶硅层和栅氧化层后，进行灰化，在晶圆衬底上得到栅极。
晶圆上制造栅极方法

[发明专利]一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法-CN201310461217.8有效
发明人：雷通;桑宁波;贺忻 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法，包括在等离子条件下对等离子腔体进行预清洗工艺步骤S1和对等离子腔体沉积环境保护薄膜工艺步骤S2；步骤S2具体包括将含有C2H2、Ar和He的气体通入等离子腔体中，在等离子腔体壁上沉积一层具有第一厚度的无掺氮非晶碳薄膜，以及将含有C2H2和N2的气体通入等离子腔体中，在无掺氮非晶碳薄膜上再生长一层具有第二厚度的掺氮非晶碳薄膜；其中，第二厚度小于第一厚度。因此，本发明避免了晶圆背面铝玷污，以及引起晶圆位置容易偏移的问题。
一种用于非晶碳沉积工艺中的清洗方法

[发明专利]用于重整非晶碳聚合物膜的方法-CN202010348121.0有效
发明人： T.J.V.布兰夸特 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于重整非晶碳膜的方法，作为其沉积工艺的一部分，所述方法包括以下工艺：(i)在反应空间中将非晶碳膜沉积在衬底上，直到非晶碳膜的厚度达到预定厚度，然后停止沉积工艺；并且(ii)在基本上不含氢、氧和氮的气氛中，将非晶碳膜暴露于Ar和/或He等离子体。
用于重整非晶碳聚合物方法

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